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標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000
類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET® IRFR3505TRPBF
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)：55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：30A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：13 毫歐 @ 30A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：93nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds：2030pF @ 25V
功率 - 最大：140W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak
包裝：帶卷 (TR)
其它名稱：IRFR3505TRPBF-NDIRFR3505TRPBFTR
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