MT40A256M16LY-062E IT:F特征
•VDD=VDDQ=1.2V±60mV
•VPP=2.5V，-125mV/+250mV
•模上、內(nèi)部、可調(diào)VREFDQ生成
•1.2V偽開漏I/O
•TC最高可達95°C
–64ms，8192次循環(huán)刷新，最高85°C
–32ms，8192次循環(huán)刷新，溫度>85°C至95°C
•16個內(nèi)部銀行（x4、x8）：4組，每組4個銀行
•8個內(nèi)部銀行（x16）：2組，每組4個銀行
•8n位預(yù)取架構(gòu)
•可編程數(shù)據(jù)選通前導(dǎo)碼
•數(shù)據(jù)選通前導(dǎo)碼訓(xùn)練
•命令/地址延遲（CAL）
•多用途寄存器讀取和寫入功能
•寫入均衡
•自刷新模式
•低功耗自動自刷新（LPASR）
•溫度控制刷新（TCR）
•細粒度刷新
•自刷新中止
•最大程度省電
•輸出驅(qū)動器校準
•標稱端接、駐車端接和動態(tài)端接
（ODT）
•數(shù)據(jù)總線的數(shù)據(jù)總線反轉(zhuǎn)（DBI）
•命令/地址（CA）奇偶校驗
•數(shù)據(jù)總線寫入循環(huán)冗余檢查（CRC）
•每個DRAM的可尋址性
•連接測試
•sPPR和hPPR功能
•符合JEDEC JESD-79-4
