制造商:
onsemi
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOIC-8
晶體管極性:
N-Channel, P-Channel
通道數(shù)量:
2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
40 V
Id-連續(xù)漏極電流:
6.1 A, 5.2 A
Rds On-漏源導通電阻:
26 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1.5 V, 3 V
Qg-柵極電荷:
21 nC, 20 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
2 W
原裝現(xiàn)貨 15302611997
