SIHH250N60EF-T1GE3

製造商: Vishay
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: PowerPAK-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 5 V
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 89 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
下降時間: 22 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 44 ns
原廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時間: 54 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時間: 42 ns