製造商: Toshiba
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: L-TOGL-9
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 40 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 400 A
Rds On - 漏-源電阻: 470 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3 V
Qg - 閘極充電: 295 nC
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 750 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
品牌: Toshiba
下降時間: 130 ns
濕度敏感: Yes
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 65 ns
原廠包裝數(shù)量: 1500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時間: 395 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時間: 120 ns