bychip可替代APM3048ADU4導(dǎo)讀
MOS管原理本文MOS管的原理說明以 增強型NMOS 為例。為了理解 MOS管的基本原理，首先要知道更基礎(chǔ)的 N 型半導(dǎo)體 和 P 型半導(dǎo)體。了解MOS管的工作原理，能夠讓我們能更好的運用MOS管，而不是死記怎么用。
在實際應(yīng)用中，以 增強型NMOS 和 增強型PMOS 為主。 結(jié)合下圖與上面的內(nèi)容也能解釋為什么實際應(yīng)用以增強型為主，主要還是電壓為0的時候，D極和S極能否導(dǎo)通的問題。所以通常提到NMOS和PMOS指的就是這兩種。
APM3048ADU4" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />
bychip可替代
3、開關(guān)速度快，開關(guān)損耗低，特別適應(yīng)PWM輸出模式。 6、MOS管柵極很容易被靜電擊穿，柵極輸入阻抗大，感應(yīng)電荷很難釋放，高壓很容易擊穿絕緣層，造成損壞。 4、在電路設(shè)計上的靈活性大，柵偏壓可正可負可零，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負偏壓下工作； 4、低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強，制造成本低廉與使用面積較小、高整合度。所以現(xiàn)在芯片內(nèi)部集成的幾乎都是MOS管。 2、導(dǎo)通電阻低，可以做到幾個毫歐的電阻，極低的傳導(dǎo)損耗，。MOS管特點 1、輸入阻抗非常高，因為MOS管柵極有絕緣膜氧化物，甚至可達上億歐姆，所以他的輸入幾乎不取電流，可以用作電子開關(guān)。 5、極強的大電流處理能力，可以方便地用作恒流源。
MOS管導(dǎo)通條件：|Vgs| > |Vgs(th)|。MOS管的導(dǎo)通條件 MOS管的開關(guān)條件： N溝道：導(dǎo)通時 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)時導(dǎo)通； P溝道：導(dǎo)通時 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)時導(dǎo)通。
摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高。在P型半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導(dǎo)電。P型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體，是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體。
電流ID為0，管子不工作。夾斷區(qū)在輸出特性最下面靠近橫坐標的部分，表示MOS管不能導(dǎo)電，處在截止狀態(tài)。
APM3048ADU4" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113372847284.jpg" />
APM4015PUC-TRL
AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。
2SK2415-Z-E1-AZ、2SK3065、2SK3105-T1B-A、2SK3484-Z-E1-AZ、2SK4033、AM2308N-T1-PF、AM2394NE、AM30N10-70D-T1-PF、AM4424N-T1-PF、AM4599C-T1-PF。
FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。
CSD17579Q3A、DMC2038LVT-7-F、DMG1012T、DMN3024LSD-13、DMP3020LSS-13、DMP3099L-7、DTU40P06、FDC5661N、FDC6306P、FDG6321C。
APM3048ADU4" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />
總的來說，只有在gate 對source電壓V 超過閾值電壓Vt時，才會有drain電流。由電子組成的電流從source通過channel流到drain。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅。
場效應(yīng)管通過投影 P溝道m(xù)os管符號 P溝道m(xù)os管符號一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。
文章來源：www.bychip.cn
