bychip可替代_APM2054NUC-TRL導(dǎo)讀
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。什么是MOS管？這種基本的名詞解釋還是得用官方的話語說明一下： MOS，是MOSFET的縮寫。
它是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。什么是場效應(yīng)管？場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。
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MOS管全名為：金屬 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半導(dǎo)體 (Semiconductor)場效應(yīng)晶體管。
摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高。在P型半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導(dǎo)電。P型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體，是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體。
這個簡單點，包括生產(chǎn)難度，實現(xiàn)成本，實現(xiàn)方式等等。為什么介紹MOS管的文章都以NMOS舉例？說白了就是NMOS相對 PMOS 來說：簡單點。對于人類發(fā)展而言，肯定是從某個事物簡單的的部分開始深入研究發(fā)展，教學(xué)也是相同的道理，從某個簡單部分開始更能夠讓人入門了解一個事物，然后再步步深入。
我們先來看一下MOS管的輸出特性曲線，MOS管的輸出特性可以分為三個區(qū)：夾斷區(qū)(截止區(qū))、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)。在一定的Vds下，D極電流 Id 的大小是與 G極電壓Vgs有關(guān)的。
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AO3419
場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過 ID 。一般實際應(yīng)用作為開關(guān)用需要考慮到末端負載的功耗，判斷是否會超過 ID。ID(導(dǎo)通電流) 最大漏源電流。是指場效應(yīng)管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常用的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。MOS管是一種場效應(yīng)管，其主要作用是在電路中實現(xiàn)信號放大、開關(guān)控制等功能。
FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。
金屬柵極被置于氧化物層之上，而這層氧化物又被放置在半導(dǎo)體材料的表面上。
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如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。
如果這個晶體管的GATE相對于BACKGATE正向偏置，電子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就積累，沒有channel形成。
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