bychip可替代AP4575GM導(dǎo)讀
MOS管原理本文MOS管的原理說明以 增強型NMOS 為例。為了理解 MOS管的基本原理，首先要知道更基礎(chǔ)的 N 型半導(dǎo)體 和 P 型半導(dǎo)體。了解MOS管的工作原理，能夠讓我們能更好的運用MOS管，而不是死記怎么用。
基礎(chǔ)知識中 MOS 部分遲遲未整理，實際分享的電路中大部分常用電路都用到了MOS管， 今天勢必要來一篇文章，徹底掌握mos管！。
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bychip可替代
VGS(最大柵源電壓) 柵極能夠承受的最大電壓，柵極是MOS管最薄弱的地方，設(shè)計的時候得注意一下，加載柵極的電壓不能超過這個最大電壓。
我們先來看一下MOS管的輸出特性曲線，MOS管的輸出特性可以分為三個區(qū)：夾斷區(qū)(截止區(qū))、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)。在一定的Vds下，D極電流 Id 的大小是與 G極電壓Vgs有關(guān)的。
這個簡單點，包括生產(chǎn)難度，實現(xiàn)成本，實現(xiàn)方式等等。為什么介紹MOS管的文章都以NMOS舉例？說白了就是NMOS相對 PMOS 來說：簡單點。對于人類發(fā)展而言，肯定是從某個事物簡單的的部分開始深入研究發(fā)展，教學(xué)也是相同的道理，從某個簡單部分開始更能夠讓人入門了解一個事物，然后再步步深入。
VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管進入可變電阻區(qū)： 可變電阻區(qū)在輸出特性的最左邊，Id隨著Vds的增加而上升，兩者基本上是線性關(guān)系，所以可以看作是一個線性電阻，當(dāng)VGS不同電阻的阻值就會不同，所以在該區(qū)MOS管相當(dāng)就是一個由VGS控制的可變電阻。
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AO3402
AOD425A、AOD442、AOD482、AOD484、AOD484、AP2301N、AP2303GN、AP2306GN、AP2307GN、AP2309GN。
MOS管的基本原理是利用一個金屬柵極、氧化物和半導(dǎo)體組成的結(jié)構(gòu)來控制導(dǎo)體的電阻。在 MOS管中，半導(dǎo)體材料通常是硅。
APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。
FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。
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最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。
如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。
文章來源：www.bychip.cn
