bychip可替代_AP2310N導(dǎo)讀
N型半導(dǎo)體即自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。N 型半導(dǎo)體也稱為電子型半導(dǎo)體。
MOS管分類按溝道分類，場效應(yīng)管分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管。按材料分類，可以分為分為耗盡型和增強(qiáng)型：增強(qiáng)型管：柵極-源極電壓 Vgs 為零時(shí)漏極電流也為零； 耗盡型管：柵極-源極電壓 Vgs 為零時(shí)漏極電流不為零。
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bychip可替代
VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管進(jìn)入可變電阻區(qū)： 可變電阻區(qū)在輸出特性的最左邊，Id隨著Vds的增加而上升，兩者基本上是線性關(guān)系，所以可以看作是一個(gè)線性電阻，當(dāng)VGS不同電阻的阻值就會不同，所以在該區(qū)MOS管相當(dāng)就是一個(gè)由VGS控制的可變電阻。
電流ID為0，管子不工作。夾斷區(qū)在輸出特性最下面靠近橫坐標(biāo)的部分，表示MOS管不能導(dǎo)電，處在截止?fàn)顟B(tài)。
摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高。在P型半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導(dǎo)電。P型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體，是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體。
以P型半導(dǎo)體為襯底，在一個(gè) 低摻雜容度 的 P 型半導(dǎo)體上，通過擴(kuò)散技術(shù)做出來2塊 高摻雜容度 的 N 型半導(dǎo)體，引出去分別作為 源級（S） 和 漏極（D）。
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2SJ356
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常用的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。MOS管是一種場效應(yīng)管，其主要作用是在電路中實(shí)現(xiàn)信號放大、開關(guān)控制等功能。
場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過 ID 。一般實(shí)際應(yīng)用作為開關(guān)用需要考慮到末端負(fù)載的功耗，判斷是否會超過 ID。ID(導(dǎo)通電流) 最大漏源電流。是指場效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過的最大電流。
FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。
AP2310GN、AP2310N、AP2625GY、AP4407GM、AP4575GM、AP6906GH-HF、AP85U03GH-HF、AP9575AGH、AP9575GM、APM1403ASC-TRL。
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最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。
Gate，電介質(zhì)和backgate保持原樣。MOS電容的特性能被用來形成MOS管。在GATE的兩邊是兩個(gè)額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個(gè)稱為source，另一個(gè)稱為drain。
文章來源：www.bychip.cn
