bychip可替代AP2307GN導(dǎo)讀
mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導(dǎo)體。
MOS管原理本文MOS管的原理說明以 增強(qiáng)型NMOS 為例。為了理解 MOS管的基本原理，首先要知道更基礎(chǔ)的 N 型半導(dǎo)體 和 P 型半導(dǎo)體。了解MOS管的工作原理，能夠讓我們能更好的運(yùn)用MOS管，而不是死記怎么用。
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3、開關(guān)速度快，開關(guān)損耗低，特別適應(yīng)PWM輸出模式。 6、MOS管柵極很容易被靜電擊穿，柵極輸入阻抗大，感應(yīng)電荷很難釋放，高壓很容易擊穿絕緣層，造成損壞。 4、在電路設(shè)計(jì)上的靈活性大，柵偏壓可正可負(fù)可零，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負(fù)偏壓下工作； 4、低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)，制造成本低廉與使用面積較小、高整合度。所以現(xiàn)在芯片內(nèi)部集成的幾乎都是MOS管。 2、導(dǎo)通電阻低，可以做到幾個(gè)毫歐的電阻，極低的傳導(dǎo)損耗，。MOS管特點(diǎn) 1、輸入阻抗非常高，因?yàn)镸OS管柵極有絕緣膜氧化物，甚至可達(dá)上億歐姆，所以他的輸入幾乎不取電流，可以用作電子開關(guān)。 5、極強(qiáng)的大電流處理能力，可以方便地用作恒流源。
摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高。在P型半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導(dǎo)電。P型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體，是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體。
電流ID為0，管子不工作。夾斷區(qū)在輸出特性最下面靠近橫坐標(biāo)的部分，表示MOS管不能導(dǎo)電，處在截止?fàn)顟B(tài)。
以P型半導(dǎo)體為襯底，在一個(gè) 低摻雜容度 的 P 型半導(dǎo)體上，通過擴(kuò)散技術(shù)做出來2塊 高摻雜容度 的 N 型半導(dǎo)體，引出去分別作為 源級（S） 和 漏極（D）。
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FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。
2SK2415-Z-E1-AZ、2SK3065、2SK3105-T1B-A、2SK3484-Z-E1-AZ、2SK4033、AM2308N-T1-PF、AM2394NE、AM30N10-70D-T1-PF、AM4424N-T1-PF、AM4599C-T1-PF。
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如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。
總的來說，只有在gate 對source電壓V 超過閾值電壓Vt時(shí)，才會有drain電流。由電子組成的電流從source通過channel流到drain。這個(gè)channel就像一薄層短接drain和source的N型硅。
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