bychip可替代AOD484導(dǎo)讀
這個(gè)器件有兩個(gè)電極，一個(gè)是金屬，另一個(gè)是extrinsic silicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開(kāi)。首先考察一個(gè)更簡(jiǎn)單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。
它是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱(chēng)單極型晶體管。什么是場(chǎng)效應(yīng)管？場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。
AOD484" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />
bychip可替代
VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(th)，MOS管進(jìn)入恒流區(qū)：恒流區(qū)在輸出特性曲線(xiàn)中間的位置，電流ID基本不隨VDS變化，ID的大小主要決定于電壓VGS，所以叫做恒流區(qū)，也叫飽和區(qū)，當(dāng)MOS用來(lái)做放大電路時(shí)就是工作在恒流區(qū)（飽和區(qū)）。 注：MOS管輸出特性的恒流區(qū)（飽和區(qū)），相當(dāng)于三極管的放大區(qū)。
P型襯底在 MOS管內(nèi)部是和 源級(jí)（S）相連。
此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所降低。應(yīng)用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時(shí)的柵極電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓。VGS(th)(開(kāi)啟電壓) 當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓 VGS 超過(guò) VGS(th) 時(shí)，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。
以P型半導(dǎo)體為襯底，在一個(gè) 低摻雜容度 的 P 型半導(dǎo)體上，通過(guò)擴(kuò)散技術(shù)做出來(lái)2塊 高摻雜容度 的 N 型半導(dǎo)體，引出去分別作為 源級(jí)（S） 和 漏極（D）。
AOD484" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />
APM4435KC-TRL
這個(gè)值要盡可能的小，因?yàn)橐坏┳柚灯螅蜁?huì)使得功耗變大�，F(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。RDS(on)(漏源電阻) 導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗，它決定了MOSFET導(dǎo)通時(shí)的消耗功率。 MOS管 導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損耗。
AO4407、AO4407A、AO4409、AO4421、AO4430、AO4435、AO4485、AO4485、AO4606、AO4611。
APM4828KC-TRL、BSH103、BSH114、BSL302SN、BSP250、CEM4953、CES2312、CEU4311、CJ8810、CMD12N10。
FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。
AOD484" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />
摻雜極性的反轉(zhuǎn)被稱(chēng)為inversion，反轉(zhuǎn)的硅層叫做channel。Channel形成時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓Vt。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高，越來(lái)越多的電子在表面積累，channel變成了強(qiáng)反轉(zhuǎn)。
在對(duì)稱(chēng)的MOS管中，對(duì)source和drain的標(biāo)注有一點(diǎn)任意性。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來(lái)決定了。定義上，載流子流出source，流入drain。
文章來(lái)源： www.bychip.cn
