bychip可替代AP2310GN導(dǎo)讀
它是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。什么是場(chǎng)效應(yīng)管？場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。什么是MOS管？這種基本的名詞解釋還是得用官方的話語(yǔ)說明一下： MOS，是MOSFET的縮寫。
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bychip可替代
MOS管導(dǎo)通條件：|Vgs| > |Vgs(th)|。MOS管的導(dǎo)通條件 MOS管的開關(guān)條件： N溝道：導(dǎo)通時(shí) Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)時(shí)導(dǎo)通； P溝道：導(dǎo)通時(shí) Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)時(shí)導(dǎo)通。
。對(duì)于N溝道增強(qiáng)型的MOS管，當(dāng)Vgs >Vgs(th)時(shí)，MOS就會(huì)開始導(dǎo)通，如果在 D 極和 S 極之間加上一定的電壓,就會(huì)有電流Id產(chǎn)生。
3、開關(guān)速度快，開關(guān)損耗低，特別適應(yīng)PWM輸出模式。 6、MOS管柵極很容易被靜電擊穿，柵極輸入阻抗大，感應(yīng)電荷很難釋放，高壓很容易擊穿絕緣層，造成損壞。 4、在電路設(shè)計(jì)上的靈活性大，柵偏壓可正可負(fù)可零，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負(fù)偏壓下工作； 4、低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)，制造成本低廉與使用面積較小、高整合度。所以現(xiàn)在芯片內(nèi)部集成的幾乎都是MOS管。 2、導(dǎo)通電阻低，可以做到幾個(gè)毫歐的電阻，極低的傳導(dǎo)損耗，。MOS管特點(diǎn) 1、輸入阻抗非常高，因?yàn)镸OS管柵極有絕緣膜氧化物，甚至可達(dá)上億歐姆，所以他的輸入幾乎不取電流，可以用作電子開關(guān)。 5、極強(qiáng)的大電流處理能力，可以方便地用作恒流源。
以P型半導(dǎo)體為襯底，在一個(gè) 低摻雜容度 的 P 型半導(dǎo)體上，通過擴(kuò)散技術(shù)做出來2塊 高摻雜容度 的 N 型半導(dǎo)體，引出去分別作為 源級(jí)（S） 和 漏極（D）。
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AO6601
AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。
FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。
2SK2415-Z-E1-AZ、2SK3065、2SK3105-T1B-A、2SK3484-Z-E1-AZ、2SK4033、AM2308N-T1-PF、AM2394NE、AM30N10-70D-T1-PF、AM4424N-T1-PF、AM4599C-T1-PF。
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常用的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。MOS管是一種場(chǎng)效應(yīng)管，其主要作用是在電路中實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大、開關(guān)控制等功能。
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?場(chǎng)效應(yīng)管(FET)，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。
當(dāng)電壓差超過閾值電壓時(shí)，channel就出現(xiàn)了。當(dāng)GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時(shí)，不會(huì)形成channel。
文章來源： www.bychip.cn
