bychip可替代_IRF7240TRPBF導(dǎo)讀
MOS管分類按溝道分類,場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)管。按材料分類,可以分為分為耗盡型和增強(qiáng)型:增強(qiáng)型管:柵極-源極電壓 Vgs 為零時(shí)漏極電流也為零; 耗盡型管:柵極-源極電壓 Vgs 為零時(shí)漏極電流不為零。
基礎(chǔ)知識(shí)中 MOS 部分遲遲未整理,實(shí)際分享的電路中大部分常用電路都用到了MOS管, 今天勢(shì)必要來(lái)一篇文章,徹底掌握mos管!。
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bychip可替代
VGS(最大柵源電壓) 柵極能夠承受的最大電壓,柵極是MOS管最薄弱的地方,設(shè)計(jì)的時(shí)候得注意一下,加載柵極的電壓不能超過(guò)這個(gè)最大電壓。
所以現(xiàn)在芯片內(nèi)部集成的幾乎都是MOS管。 5、極強(qiáng)的大電流處理能力,可以方便地用作恒流源。 4、在電路設(shè)計(jì)上的靈活性大,柵偏壓可正可負(fù)可零,三極管只能在正向偏置下工作,電子管只能在負(fù)偏壓下工作; 4、低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng),制造成本低廉與使用面積較小、高整合度。MOS管特點(diǎn) 1、輸入阻抗非常高,因?yàn)镸OS管柵極有絕緣膜氧化物,甚至可達(dá)上億歐姆,所以他的輸入幾乎不取電流,可以用作電子開關(guān)。 6、MOS管柵極很容易被靜電擊穿,柵極輸入阻抗大,感應(yīng)電荷很難釋放,高壓很容易擊穿絕緣層,造成損壞。 2、導(dǎo)通電阻低,可以做到幾個(gè)毫歐的電阻,極低的傳導(dǎo)損耗,。 3、開關(guān)速度快,開關(guān)損耗低,特別適應(yīng)PWM輸出模式。
VGS>VGS(th) ,且VDS < VGS - VGS(th),MOS管進(jìn)入可變電阻區(qū): 可變電阻區(qū)在輸出特性的最左邊,Id隨著Vds的增加而上升,兩者基本上是線性關(guān)系,所以可以看作是一個(gè)線性電阻,當(dāng)VGS不同電阻的阻值就會(huì)不同,所以在該區(qū)MOS管相當(dāng)就是一個(gè)由VGS控制的可變電阻。
我們先來(lái)看一下MOS管的輸出特性曲線,MOS管的輸出特性可以分為三個(gè)區(qū):夾斷區(qū)(截止區(qū))、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)。在一定的Vds下,D極電流 Id 的大小是與 G極電壓Vgs有關(guān)的。
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FR3505
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種常用的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。MOS管是一種場(chǎng)效應(yīng)管,其主要作用是在電路中實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大、開關(guān)控制等功能。
現(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右,幾毫歐的也有。 MOS管 導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在,這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量,這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。RDS(on)(漏源電阻) 導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗,它決定了MOSFET導(dǎo)通時(shí)的消耗功率。這個(gè)值要盡可能的小,因?yàn)橐坏┳柚灯,就?huì)使得功耗變大。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損耗。
是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許通過(guò)的最大電流。ID(導(dǎo)通電流) 最大漏源電流。 場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò) ID 。一般實(shí)際應(yīng)用作為開關(guān)用需要考慮到末端負(fù)載的功耗,判斷是否會(huì)超過(guò) ID。
AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。
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由電子組成的電流從source通過(guò)channel流到drain?偟膩(lái)說(shuō),只有在gate 對(duì)source電壓V 超過(guò)閾值電壓Vt時(shí),才會(huì)有drain電流。這個(gè)channel就像一薄層短接drain和source的N型硅。
如果這個(gè)晶體管的GATE相對(duì)于BACKGATE正向偏置,電子就被吸引到表面,空穴就被排斥出表面。硅的表面就積累,沒(méi)有channel形成。
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