bychip可替代IRF7309TRPBF導(dǎo)讀
基礎(chǔ)知識中 MOS 部分遲遲未整理，實際分享的電路中大部分常用電路都用到了MOS管， 今天勢必要來一篇文章，徹底掌握mos管！。
場效應(yīng)管屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。
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注：MOS管輸出特性的恒流區(qū)（飽和區(qū)），相當于三極管的放大區(qū)。VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(th)，MOS管進入恒流區(qū)：恒流區(qū)在輸出特性曲線中間的位置，電流ID基本不隨VDS變化，ID的大小主要決定于電壓VGS，所以叫做恒流區(qū)，也叫飽和區(qū)，當MOS用來做放大電路時就是工作在恒流區(qū)（飽和區(qū)）。
我們先來看一下MOS管的輸出特性曲線，MOS管的輸出特性可以分為三個區(qū)：夾斷區(qū)(截止區(qū))、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)。在一定的Vds下，D極電流 Id 的大小是與 G極電壓Vgs有關(guān)的。
在P型襯底和兩個N型半導(dǎo)體 之間加一層 二氧化硅（SiO?）絕緣膜，然后通過多晶硅引出引腳組成柵極（G）。
VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管進入可變電阻區(qū)： 可變電阻區(qū)在輸出特性的最左邊，Id隨著Vds的增加而上升，兩者基本上是線性關(guān)系，所以可以看作是一個線性電阻，當VGS不同電阻的阻值就會不同，所以在該區(qū)MOS管相當就是一個由VGS控制的可變電阻。
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IRF540NSTRPBF
2SK2415-Z-E1-AZ、2SK3065、2SK3105-T1B-A、2SK3484-Z-E1-AZ、2SK4033、AM2308N-T1-PF、AM2394NE、AM30N10-70D-T1-PF、AM4424N-T1-PF、AM4599C-T1-PF。
AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。
在 MOS管中，半導(dǎo)體材料通常是硅。MOS管的基本原理是利用一個金屬柵極、氧化物和半導(dǎo)體組成的結(jié)構(gòu)來控制導(dǎo)體的電阻。
AP2310GN、AP2310N、AP2625GY、AP4407GM、AP4575GM、AP6906GH-HF、AP85U03GH-HF、AP9575AGH、AP9575GM、APM1403ASC-TRL。
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?場效應(yīng)管(FET)，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。
只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會形成channel。假設(shè)source 和backgate都接地，drain接正電壓。
文章來源：www.bychip.cn
