IMYH200R012M1HXKSA1

IMYH200R012M1HXKSA1制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): SiC
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 2 kV
Id-連續(xù)漏極電流: 123 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 16.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 23 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 246 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 552 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: CoolSIC
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 24 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 30 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 13 ns
工廠包裝數(shù)量: 240
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 50 ns
典型接通延遲時(shí)間: 16 ns
零件號(hào)別名: IMYH200R012M1H SP005427368