IPDQ60R022S7AXTMA1制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: HDSOP-22
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 24 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 22 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.5 V
Qg-柵極電荷: 150 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 416 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: CoolMOS
系列: S7A
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標(biāo): Infineon Technologies
產(chǎn)品類型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 750
子類別: MOSFETs
零件號別名: IPDQ60R022S7A SP002373870
IPDQ60R022S7AXTMA1
發(fā)布時間:2023/10/7 13:59:00 訪問次數(shù):67 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
同公司其他新聞- 10-11LM20323EVAL
- 10-11LM20323MHE/NOPB
- 10-11PXN012-60QLJ
- 10-11AD8541ARZ-REEL
- 10-11IRF7425TRPBF
- 10-11A6S-2102-H
- 05-08184192-1
- 05-081552860000
- 05-083590S-1-103L
- 05-0859170-1-S-00-D
- 05-081008HQ-39NXGLB
- 05-081008HQ-56NXGLB
