941C12W1P5K-F 無(wú)感吸收電容
參數(shù)名稱(chēng)參數(shù)值
是否無(wú)鉛 不含鉛
是否Rohs認(rèn)證 符合
生命周期 Active
Objectid 2110765911
包裝說(shuō)明 ,
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8532.25.00.60
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 7.41
YTEOL 7.9
其他特性 RIPPLE CURRENT IS MEASURED AT 100KHZ AND 70CEL
電容 1.5 µF
電容器類(lèi)型 FILM CAPACITOR
介電材料 POLYPROPYLENE
ESR 4 mΩ
高度 27.6 mm
JESD-609代碼 e3
長(zhǎng)度 54 mm
安裝特點(diǎn) THROUGH HOLE MOUNT
負(fù)容差 10%
端子數(shù)量 2
最高工作溫度 105 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝形狀 TUBULAR PACKAGE
封裝形式 Axial
正容差 10%
額定（AC）電壓（URac） 500 V
額定（直流）電壓（URdc） 1200 V
紋波電流 19700 mA
表面貼裝 NO
端子面層 TIN
端子形狀 WIRE
寬度 40.2 mm
930C12W3-3K-F
930C12W3K-F
940C8W2K-F
941C12P15K-F
941C12P1K-F
941C12P22K-F
941C12P33K-F
941C12P47K-F
941C12P68K-F
941C12W1K-F
941C12W1P5K-F
941C12W2K-F
941C16P47K-F
941C16W1K-F
941C16W1P5K-F
941C20W1K-F
941C20P1K-F
941C20P15K-F
941C6P15K-F
941C6P22K-F
941C6P47K-F
941C6W1K-F
941C6W2K-F
941C8W1K-F
941C30S22K-F
941C8W2K-F
據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電3納米訂單動(dòng)能強(qiáng)勁，受到蘋(píng)果、英特爾及超威等客戶(hù)頻頻追單。
從三大廠商下單狀況來(lái)看。報(bào)道稱(chēng)，作為臺(tái)積電2024年3納米的新訂單來(lái)源之一，英特爾Lunar Lake中央處理器、繪圖處理器等確定將于第2季在臺(tái)積電投片量產(chǎn)，而這也是英特爾首度將主流消費(fèi)性平臺(tái)全系列芯片交由臺(tái)積電代工。
此前，英特爾CEO帕特·基辛格證實(shí)，與臺(tái)積電的合作已由5納米制程推進(jìn)至3納米�；粮癖硎荆羁�2024年第四季登場(chǎng)的Arrow Lake與Lunar Lake的運(yùn)算芯片塊（CPU tile）將采用臺(tái)積電3納米制程。
蘋(píng)果方面，2024年，蘋(píng)果iPhone 16新機(jī)將導(dǎo)入A18系列處理器，加上最新筆電自研芯片M4也將到位，報(bào)道稱(chēng)，蘋(píng)果上述兩款主力芯片都將在第2季開(kāi)始在臺(tái)積電以3納米生產(chǎn)。
事實(shí)上，早在2023年，蘋(píng)果發(fā)布的新款iPhone 15手機(jī)便配備了臺(tái)積電代工的A17 Pro芯片，這也是臺(tái)積電3納米工藝在頂尖芯片上的首次應(yīng)用。
至于超威，其今年將推出研發(fā)代號(hào)為“Nirvana”的Zen 5全新架構(gòu)平臺(tái)，預(yù)料將大幅強(qiáng)化AI應(yīng)用，并維持慣例，采用臺(tái)積電晶圓代工，并以3納米制程投片，預(yù)期下半年問(wèn)世。
事實(shí)上，除了上述三大廠商外，臺(tái)積電3納米制程客戶(hù)還包括聯(lián)發(fā)科、高通、英偉達(dá)、博通等。
此前業(yè)界指出，為因應(yīng)客戶(hù)訂單的強(qiáng)勁需求，臺(tái)積電擴(kuò)產(chǎn)的3納米制程將可望逐步到位，預(yù)期今年臺(tái)941C12W1P5K-F積電3納米制程產(chǎn)能將可望將近倍數(shù)成長(zhǎng)，且產(chǎn)能利用率有望一路旺到年底。
據(jù)悉，臺(tái)積電于2022年開(kāi)始生產(chǎn)3納米制程芯片。2023年第四季度，臺(tái)積電3納米制程工藝占晶圓總收入的15%，而在大客戶(hù)相繼采用3納米量產(chǎn)效應(yīng)帶動(dòng)下，預(yù)計(jì)其3納米營(yíng)收占比有望突破2成，成為臺(tái)積電第二大營(yíng)收貢獻(xiàn)來(lái)源，僅次于5納米。
封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)
據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電3納米訂單動(dòng)能強(qiáng)勁，受到蘋(píng)果、英特爾及超威等客戶(hù)頻頻追單。
從三大廠商下單狀況來(lái)看。報(bào)道稱(chēng)，作為臺(tái)積電2024年3納米的新訂單來(lái)源之一，英特爾Lunar Lake中央處理器、繪圖處理器等確定將于第2季在臺(tái)積電投片量產(chǎn)，而這也是英特爾首度將主流消費(fèi)性平臺(tái)全系列芯片交由臺(tái)積電代工。
此前，英特爾CEO帕特·基辛格證實(shí)，與臺(tái)積電的合作已由5納米制程推進(jìn)至3納米�；粮癖硎�，最快2024年第四季登場(chǎng)的Arrow Lake與Lunar Lake的運(yùn)算芯片塊（CPU tile）將采用臺(tái)積電3納米制程。
蘋(píng)果方面，2024年，蘋(píng)果iPhone 16新機(jī)將導(dǎo)入A18系列處理器，加上最新筆電自研芯片M4也將到位，報(bào)道稱(chēng)，蘋(píng)果上述兩款主力芯片都將在第2季開(kāi)始在臺(tái)積電以3納米生產(chǎn)。
事實(shí)上，早在2023年，蘋(píng)果發(fā)布的新款iPhone 15手機(jī)便配備了臺(tái)積電代工的A17 Pro芯片，這也是臺(tái)積電3納米工藝在頂尖芯片上的首次應(yīng)用。
至于超威，其今年將推出研發(fā)代號(hào)為“Nirvana”的Zen 5全新架構(gòu)平臺(tái)，預(yù)料將大幅強(qiáng)化AI應(yīng)用，并維持慣例，采用臺(tái)積電晶圓代工，并以3納米制程投片，預(yù)期下半年問(wèn)世。
事實(shí)上，除了上述三大廠商外，臺(tái)積電3納米制程客戶(hù)還包括聯(lián)發(fā)科、高通、英偉達(dá)、博通等。
此前業(yè)界指出，為因應(yīng)客戶(hù)訂單的強(qiáng)勁需求，臺(tái)積電擴(kuò)產(chǎn)的3納米制程將可望逐步到位，預(yù)期今年臺(tái)941C12W1P5K-F積電3納米制程產(chǎn)能將可望將近倍數(shù)成長(zhǎng)，且產(chǎn)能利用率有望一路旺到年底。
據(jù)悉，臺(tái)積電于2022年開(kāi)始生產(chǎn)3納米制程芯片。2023年第四季度，臺(tái)積電3納米制程工藝占晶圓總收入的15%，而在大客戶(hù)相繼采用3納米量產(chǎn)效應(yīng)帶動(dòng)下，預(yù)計(jì)其3納米營(yíng)收占比有望突破2成，成為臺(tái)積電第二大營(yíng)收貢獻(xiàn)來(lái)源，僅次于5納米。
