941C12P47K-F 能保護(hù)ICGT的無感吸收電容，我們銷售全系CDE原裝無感吸收電容
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參數(shù)名稱參數(shù)值
是否無鉛 不含鉛
是否Rohs認(rèn)證 符合
生命周期 Active
Objectid 2110765908
包裝說明 ,
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8532.25.00.60
風(fēng)險等級 7.41
Samacsys Manufacturer Cornell Dubilier
Samacsys Modified On 2024-01-18 00:58:59
YTEOL 7.9
其他特性 RIPPLE CURRENT IS MEASURED AT 100KHZ AND 70CEL
電容 0.47 µF
電容器類型 FILM CAPACITOR
介電材料 POLYPROPYLENE
ESR 7 mΩ
高度 17.7 mm
JESD-609代碼 e3
長度 46 mm
安裝特點(diǎn) THROUGH HOLE MOUNT
負(fù)容差 10%
端子數(shù)量 2
最高工作溫度 105 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝形狀 TUBULAR PACKAGE
封裝形式 Axial
正容差 10%
額定（AC）電壓（URac） 500 V
額定（直流）電壓（URdc） 1200 V
紋波電流 10900 mA
表面貼裝 NO
端子面層 TIN
端子形狀 WIRE
寬度 27.1 mm
近期，國內(nèi)又一批半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項目迎來新動態(tài)，涉及華天科技、偉測半導(dǎo)體、芯源微、天科合達(dá)、長晶半導(dǎo)體、芯粵能、先
導(dǎo)半導(dǎo)體、鼎龍股份、安集科技等企業(yè)，項目涵蓋光刻膠、半導(dǎo)體封裝、晶圓制造、第三代半導(dǎo)體、半導(dǎo)體設(shè)備、芯片設(shè)計
等重點(diǎn)領(lǐng)域。
芯源微上海臨港廠區(qū)竣工投產(chǎn)
據(jù)上海臨港消息，近日，芯源微上海臨港廠區(qū)竣工投產(chǎn)儀式暨新產(chǎn)品發(fā)布儀式在新片區(qū)舉行。
此前消息顯示，2022年，上海芯源微承擔(dān)建設(shè)的“芯源微臨港研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目主體工程在臨港新片區(qū)重裝備產(chǎn)業(yè)區(qū)全面開工
，園區(qū)占地45畝、規(guī)劃總建筑面積約5.4萬平方米，于2023年第四季度竣工，建成后將具備較強(qiáng)的國際先進(jìn)水平半導(dǎo)體設(shè)備研
發(fā)能力，加速高端半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代進(jìn)程。
上海芯源微企業(yè)發(fā)展有限公司成立于2021年，是沈陽941C12P47K-F芯源微電子設(shè)備股份有限公司的全資子公司。上海芯源微主要開展28nm
及以下高端工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路光刻工藝涂膠顯影設(shè)備、化學(xué)清洗設(shè)備及其核心零部件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。
本次儀式上，芯源微發(fā)布了自主研發(fā)的首款高端設(shè)備——KCE前道單片式化學(xué)清洗機(jī)，具有高工藝覆蓋性、高穩(wěn)定性、高潔凈
度、高產(chǎn)能、高智能化等優(yōu)勢，自研16 champer高產(chǎn)能架構(gòu)，工藝覆蓋率可以達(dá)到80%以上，并且適配高溫SPM工藝。目前已
為近十家客戶進(jìn)行了Wafer Demo測試，多項工藝水平達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。
柳鑫實(shí)業(yè)總部大樓暨半導(dǎo)體封裝新材料項目開工
據(jù)柳鑫NEWCCESS消息，3月24日，柳鑫實(shí)業(yè)總部大樓暨半導(dǎo)體封裝新材料項目開工奠基儀式舉行。
本次開工的產(chǎn)業(yè)項目，將主要用于研發(fā)制造NBF系列電子絕緣積層膠膜，該產(chǎn)品是半導(dǎo)體先進(jìn)制程的關(guān)鍵核心材料之一，廣泛
應(yīng)用于CPU、GPU及AI智能等高性能芯片封裝。項目建成投產(chǎn)后，將推動和實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體封裝“卡脖子”材料的產(chǎn)業(yè)化。
明鑫大廈項目預(yù)計總投資8.6億元，將建造總部辦公樓、生產(chǎn)廠房及配套基礎(chǔ)設(shè)施，對原有生產(chǎn)經(jīng)營場所進(jìn)行搬遷，同時引入
先進(jìn)的軟硬件設(shè)備，以滿足 NBF 封裝絕緣膜新材料產(chǎn)業(yè)化及PCB鉆孔蓋/墊板的擴(kuò)產(chǎn)需求。
據(jù)官網(wǎng)介紹，深圳市柳鑫實(shí)業(yè)股份有限公司，是深圳市資本運(yùn)營集團(tuán)有限公司控股的旗下子公司，創(chuàng)立于1996年，是國內(nèi)最早
專業(yè)經(jīng)營PCB蓋墊板及電子新材料的企業(yè)。該公司一直專注研發(fā)電子新材料、復(fù)合材料和改性材料，旗下PCB鉆孔專用蓋墊板、
精密鉆針產(chǎn)品系列種類齊全，廣泛應(yīng)用于電子、醫(yī)療、交通、物聯(lián)網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域。
連城數(shù)控擬10.5億元擴(kuò)大長晶設(shè)備產(chǎn)能
1月10日，連城數(shù)控發(fā)布公告稱，公司及下屬全資子公司連科半導(dǎo)體擬941C12P47K-F與無錫市錫山區(qū)錫北鎮(zhèn)人民政府簽署《錫山區(qū)工業(yè)項目
投資協(xié)議書》，計劃在無錫市投資建設(shè)“第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造項目”。
3月22日，連城數(shù)控再次發(fā)布公告稱，協(xié)議各方已正式完成《第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造項目投資協(xié)議書》的全部簽署工作。
本次協(xié)議簽署后，協(xié)議各方將按照約定積極推進(jìn)本次項目投資事宜。
公告指出，“第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造項目”擬投資不超過10.5億元，規(guī)劃建設(shè)半導(dǎo)體大硅片長晶和加工設(shè)備、碳化硅長晶和
加工設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)制造基地。
資料顯示，連城數(shù)控主要從事于光伏及半導(dǎo)體行業(yè)，是提供晶體材料生長、加工設(shè)備及核心技術(shù)等多方面業(yè)務(wù)支持的集成服務(wù)
商。
2020年底，連城數(shù)控開始對碳化硅晶體生長爐進(jìn)行研發(fā)立項；2021年9月開始對碳化硅等超硬材料多線切割機(jī)研發(fā)立項；2023
年上半年，該公司取得了多項技術(shù)研發(fā)成果，如創(chuàng)新推出單晶爐設(shè)備“一鍵拉晶”系統(tǒng)、液相法碳化硅長晶爐順利下線并取得客戶
數(shù)臺訂單、碳化硅立式感應(yīng)合成爐科研成果通過專家團(tuán)鑒定等。
鑫晶通、先導(dǎo)半導(dǎo)體等有新消息
據(jù)徐州發(fā)布3月20日消息，徐州一大批項目刷新“進(jìn)度條”，其中涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域的項目包括鑫晶通單晶硅材料項目、先導(dǎo)半導(dǎo)
體薄膜材料研發(fā)生產(chǎn)基地項目。
鑫晶通單晶硅材料項目位于新沂市瓦窯鎮(zhèn)，項目施工現(xiàn)場，塔吊正在進(jìn)941C12P47K-F行吊裝作業(yè)。目前，2號廠房主體已經(jīng)完成，現(xiàn)在設(shè)備
正在調(diào)試當(dāng)中，3號廠房正在進(jìn)行基礎(chǔ)建設(shè)，預(yù)計2號廠房5月底開始試生產(chǎn)，3號廠房主體大約在5、6月份完工。
鑫晶通單晶硅材料項目總投資5億元。建成后，預(yù)計年銷售收入6億元，稅收1000萬元。當(dāng)前，該項目正緊鑼密鼓加快施工進(jìn)度
，沖刺首季“開門紅”。
先導(dǎo)半導(dǎo)體薄膜材料研發(fā)生產(chǎn)基地項目占地150畝，建筑面積15萬平方米，去年6月正式立項，目前廠房主體已建設(shè)完成，正
在進(jìn)行內(nèi)部裝修，相關(guān)設(shè)備也將在近期陸續(xù)進(jìn)場并完成調(diào)試，預(yù)計3月底項目可實(shí)現(xiàn)試生產(chǎn)。項目達(dá)產(chǎn)后，新上的半導(dǎo)金屬體
靶材產(chǎn)線、HIT顯示靶材產(chǎn)線、鎳氫電極產(chǎn)線等，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)各類電子專用材料1000噸，半導(dǎo)體專用電子材料100萬片。
資料顯示，江蘇先導(dǎo)電子科技有限公司前身是先導(dǎo)薄膜材料有限公司，于2023年6月完成股份制改造并正式更名為先導(dǎo)電子科
技股份有限公司。該公司是先導(dǎo)集團(tuán)下屬子公司，致力于研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和回收真空鍍膜用濺射靶材和蒸發(fā)材料。產(chǎn)品系列
包括高純金屬、合金、貴金屬及
