IRFP250NPBF是一種功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的特定型號(hào)，由英飛凌科技（Infineon Technologies）生產(chǎn)。以下是關(guān)于IRFP250NPBF的一些基本信息：
架構(gòu)和類型：IRFP250NPBF是一種N溝道功率MOSFET。N溝道MOSFET具有負(fù)責(zé)控制漏極電流的負(fù)性溝道。
電氣特性：
額定電壓（VDS）：200V
額定電流（ID）：30A
導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）
柵極電壓（VGS）范圍：±20V
瞬態(tài)熱阻（RθJA）：62°C/W（典型值）
工作溫度范圍：-55°C至+175°C
封裝類型：IRFP250NPBF采用TO-247封裝。TO-247封裝是一種具有三個(gè)引腳的封裝，提供較佳的散熱性能。
應(yīng)用領(lǐng)域：IRFP250NPBF適用于各種高功率開關(guān)應(yīng)用，如電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器、電源轉(zhuǎn)換、照明控制等。它在工業(yè)設(shè)備、電動(dòng)工具、太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)等領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用。
IRFP250NPBF具有高電流承載能力、低導(dǎo)通電阻和較佳的熱穩(wěn)定性，適合在高溫環(huán)境下工作。它能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)操作。
產(chǎn)品屬性 屬性值
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 30 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 75 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 82 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 214 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 33 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 17 S
高度: 20.7 mm
長(zhǎng)度: 15.87 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 43 ns
工廠包裝數(shù)量: 400
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 41 ns
典型接通延遲時(shí)間: 14 ns
寬度: 5.31 mm
單位重量: 6 g
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