IRFP3206PBF是英飛凌科技（Infineon Technologies）生產(chǎn)的一種功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）器件。以下是對IRFP3206PBF的簡要介紹：
IRFP3206PBF是一款高性能N溝道功率MOSFET。它具有60V的額定電壓（VDS）和200A的額定電流（ID），適用于高功率開關(guān)應(yīng)用。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和出色的熱穩(wěn)定性，能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。
IRFP3206PBF采用TO-247封裝，該封裝具有三個(gè)引腳，提供了良好的散熱性能。TO-247封裝適用于需要高功率處理和散熱的應(yīng)用。
IRFP3206PBF廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器、電源轉(zhuǎn)換、照明控制等領(lǐng)域。它能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)操作，適用于工業(yè)設(shè)備、電動(dòng)工具、太陽能發(fā)電系統(tǒng)等應(yīng)用場景。
產(chǎn)品屬性 屬性值
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 200 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 170 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 280 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
高度: 20.7 mm
長度: 15.87 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 400
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.31 mm
單位重量: 6 g
IRFP064NPBF
IRFP150NPBF
IRFP150MPBF
IRFP250NPBF
IRFP250MPBF
IRFP260NPBF
IRFP260MPBF
IRFP360PBF
IRFP3206PBF
IRFP3710PBF
IRFP4110PBF
IRFP4227PBF
IRFP4310ZPBF
IRFP4332PBF
IRFP4368PBF
IRFP4468PBF
IRFP4568PBF
IRFP4668PBF
IRFP4768PBF
IRFP4868PBF
IRFP7430PBF
IRFP7530PBF
IRFP9140NPBF
