制造商: IXYS
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 48 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 50 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 60 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 250 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: HiPerFET
系列: IXTP48N20
封裝: Tube
商標(biāo): IXYS
配置: Single
下降時(shí)間: 28 ns
高度: 9.15 mm
長(zhǎng)度: 10.66 mm
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 26 ns
50
子類(lèi)別: MOSFETs
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 46 ns
典型接通延遲時(shí)間: 20 ns
寬度: 4.83 mm
單位重量: 2 g
IXTY90N055T2
IXTZ550N055T2
IXFA220N06T3
IXFA270N06T3
IXFH220N06T3
IXFH270N06T3
IXFP220N06T3
IXFP270N06T3
IXTA230N04T4
