制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 160 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7 mOhms
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 430 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: HiPerFET
系列: IXTP160N10
封裝: Tube
商標(biāo): IXYS
配置: Single
下降時(shí)間: 42 ns
高度: 9.15 mm
長(zhǎng)度: 10.66 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 61 ns
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 49 ns
典型接通延遲時(shí)間: 33 ns
寬度: 4.83 mm
單位重量: 2 g
IXFH230N075T2
IXFH320N10T2
IXFH340N075T2
IXFH400N075T2
IXFH76N15T2
IXFK220N17T2
IXFK240N15T2
IXFK320N17T2
IXFK360N15T2
IXFK520N075T2
IXFN240N15T2
IXFN320N17T2
IXFN360N15T2
