NCP59800BMNADJTBG 是一款線性穩(wěn)壓器 品牌：ON（安森美） 封裝：DFN-8 引腳數(shù)：8 PIN（3000個/圓盤）
NCP59800 屬于 1 A 低漏線性穩(wěn)壓器 (LDO) 系列，具有高電源抑制比 (PSRR) 和超低輸出噪聲。該 LDO 系列采用先進的 BiCMOS 工藝，電氣性能極佳。它是通信設(shè)備中所用的噪音敏感性模擬射頻前端的理想選擇。NCP59800 采用 3 mm x 3 mm DFN8 封裝。
NCP59800BMNADJTBG的詳細參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
NCP59800BMNADJTBG
Brand Name
onsemi
是否無鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
8150039327
包裝說明
DFN-8
制造商包裝代碼
506DB
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Thailand
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
Factory Lead Time
2 days
風(fēng)險等級
1.01
Samacsys Description
LDO Voltage Regulators 1A LOW NOISE RF LDO VOLTAGE REGULATOR
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
7.3
可調(diào)性
ADJUSTABLE
最大回動電壓 1
0.5 V
最大差分輸入-輸出電壓
5.2 V
最小差分輸入-輸出電壓
1.4 V
JESD-30 代碼
S-PDSO-N8
JESD-609代碼
e4
長度
3 mm
濕度敏感等級
1
功能數(shù)量
1
輸出次數(shù)
1
端子數(shù)量
8
工作溫度TJ-Max
125 °C
工作溫度TJ-Min
-40 °C
最大輸出電流 1
1 A
最大輸出電壓 1
5 V
最小輸出電壓 1
0.8 V
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
HVSON
封裝等效代碼
SOLCC8,.12,25
封裝形狀
SQUARE
封裝形式
SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包裝方法
TR
峰值回流溫度（攝氏度）
260
調(diào)節(jié)器類型
ADJUSTABLE POSITIVE SINGLE OUTPUT LDO REGULATOR
座面最大高度
1 mm
表面貼裝
YES
技術(shù)
BICMOS
端子面層
NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式
NO LEAD
端子節(jié)距
0.65 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
寬度
3 mm
本公司主營是二三極管，MOS管和邏輯IC等，如果你這邊有需求的話，可以加上面的聯(lián)系方式
下面是公司的庫存
NCP59800BMNADJTBG
ON(安森美)
PIC32MZ1024EFE100-I/PT
Microchip(微芯)
TME0505S
TRACO Power
TPS71550QDCKRQ1
TI(德州儀器)
TPS7B8601QDDARQ1
TI(德州儀器)
BQ25892RTWR
TI(德州儀器)
C8051F311-GMR
SILICON LABS(芯科)
CH438Q
WCH(南京沁恒)
EECF5R5H105
PanJit(強茂)
LTC2271CUKG#PBF
LINEAR(凌特)
MOC3041SR2M
ON(安森美)
MPM38222GR-Z
MPS(美國芯源)
SI4431-B1-FMR
SILICON LABS(芯科)
SI53154-A01AGM
SILICON LABS(芯科)
TC4069UBF
TOSHIBA(東芝)
TM1628
TM(天微)
UA9637ACDR
TI(德州儀器)
UC2844BD1013TR
ST(意法)
ASSR-1411-301E
Avago(安華高)
AT89LP6440-20AU
Atmel(愛特梅爾)
ATMEGA649V-8AU
Microchip(微芯)
FM17580
FM(復(fù)旦微)
IMX415-AAQR-C
SONY(索尼)
IRM-H638T/TR2
Everlight(億光)
KLMBG2JENB-B041
SAMSUNG(三星)
LAN9512-JZX
MIC(昌福)
LMH1218RTWR
TI(德州儀器)
MCIMX6U5EVM10AB
NXP(恩智浦)
MUX508IPWR
TI(德州儀器)
N25Q128A13ESE40E
micron(鎂光)
OPA2211AIDRGR
TI(德州儀器)
PCA9539DBR
TI(德州儀器)
PIC16F1503-I/P
Microchip(微芯)
PIC24FJ128GA704-I/PT
Microchip(微芯)
SN65LVDS93AIDGGRQ1
TI(德州儀器)
SN74AUP1G97DCKR
TI(德州儀器)
VS-40TPS12-M3
Vishay(威世)
ZRB500F01TA
Zetex Semiconductors
ASP-134603-01
Samtec
BCP53T1G
ON(安森美)
BCX53
CJ(江蘇長電/長晶)
CN3791
CONSONANCE(上海如韻)
FDC6301N
ON(安森美)
HD6412240FA20V
Renesas(瑞薩)
L6598D013TR
ST(意法)
MSP430F2121IPWR
TI(德州儀器)
N79E8132AS16
Nuvoton(新唐)
NVMFS5C450NWFAFT3G
ON(安森美)
OPA172IDCKR
TI(德州儀器)
PCF8574AP
Philips(飛利浦)
PE42582A-X
Peregrine Semiconductor
REF5040IDR
TI(德州儀器)
STP45N65M5
ST(意法)
TLE8250G
Infineon(英飛凌)
TMS320C32PCMA50
TI(德州儀器)
TMS320F2812GHHS
TI(德州儀器)
XC3S1200E-4FTG256C
XILINX(賽靈思)
74HC1G66GW
Nexperia(安世)
AD9238BSTZ-65
ADI(亞德諾)
ADG5412BRUZ
ADI(亞德諾)
AM29F040B-70JI
SPANSION(飛索)
BTN7970B
Infineon(英飛凌)
BZV55-C9V1
NXP(恩智浦)
FSGM0565RWDTU
ON(安森美)
GD32F407IGH6
GD(兆易創(chuàng)新)
IPD110N12N3G
Infineon(英飛凌)
LMV331SN3T1G
ON(安森美)
MCP6441T-E/OT
Microchip(微芯)
NGTB50N120FL2WG
ON(安森美)
STM32L476JEY6TR
ST(意法)
TS3A4751RUCR
TI(德州儀器)
V24C12H100BL
Vicor Corporation
XCZU4CG-1FBVB900I
XILINX(賽靈思)
533980471
Molex(莫仕)
ACS724KMATR-20AB-T
ALLEGRO(美國埃戈羅)
ADV7611BSWZ-RL
ADI(亞德諾)
ATSAM3S2BA-AU
Atmel(愛特梅爾)
B1212S-1WR3
MORNSUN(金升陽)
CD74HC4066M96
TI(德州儀器)
DS1816R-10
Maxim(美信)
FDMT80080DC
ON(安森美)
KSZ8041MLLI
Microchip(微芯)
L9305EP-TR
ST(意法)
LM1881MX
TI(德州儀器)
LMR23625CFPDRRR
TI(德州儀器)
MT41J64M16JT-125:G
micron(鎂光)
N32L406CBL7
NRVBS4201T3G
ON(安森美)
NVB082N65S3F
ON(安森美)
PIC16F1713-I/SO
Microchip(微芯)
STM32H747AII6
ST(意法)
TM1629
TMTECH ( 凱鈺 )
TP2262-SR
3PEAK(思瑞浦)
TPS3802K33DCKR
TI(德州儀器)
XC3SD1800A-4CSG484C
XILINX(賽靈思)
24AA256UID-I/ST
Microchip(微芯)
74LVC8T245PW-Q100
NXP(恩智浦)
9774015243R
Wurth(伍爾特)
ADA4945-1ACPZ
ADI(亞德諾)
AR8032-BL1B
Qualcomm(高通)
AS358MTR-E1
SL Power Electronics
BP2866CJ
（BPS）上海晶豐明源
CAT25160YI-GT3
ON(安森美)
DAC8162SDGSR
TI(德州儀器)
FDME1024NZT
ON(安森美)
INA293A1IDBVR
TI(德州儀器)
IXDN604PI
IXYS(艾賽斯)
L6208D
ST(意法)
