產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-254-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 27.4 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 105 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo): Infineon / IR
配置: Single
下降時(shí)間: 130 ns
高度: 13.84 mm
長(zhǎng)度: 13.84 mm
產(chǎn)品類型: MOSFETs
上升時(shí)間: 190 ns
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 170 ns
典型接通延遲時(shí)間: 35 ns
寬度:6.6 mm
