IRF8788TRPBF Infineon英飛凌NMOS 30V 24A
IRF8788TRPBF是一款由Infineon（英飛凌）公司生產(chǎn)的N溝道MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。該產(chǎn)品具有高電流、低導(dǎo)通電阻和高性能等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于高電流應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)中。以下是關(guān)于IRF8788TRPBF的詳細(xì)解析：
IRF8788TRPBF基本信息
制造商：Infineon（英飛凌）
類型：N溝道MOSFET
封裝：SOP8
IRF8788TRPBF技術(shù)規(guī)格參數(shù)
漏源電壓（Vdss）：30V
這是MOSFET在漏極和源極之間可以承受的最大電壓，超過此值可能會(huì)導(dǎo)致器件損壞。
連續(xù)漏極電流（Id）：
在25°C時(shí)，最大連續(xù)漏極電流為24A。
柵源極閾值電壓（Vth）：
有資料提及為1.78V，也有資料提及為2.35V @ 100uA，這取決于具體的測試條件和標(biāo)準(zhǔn)。
漏源導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：
在不同條件下有所不同，如4mΩ @ 10V, 4.5mΩ @ 4.5V，也有資料提及為2.8mΩ @ 24A, 10V。較低的導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗。
最大功率耗散（Pd）：
在25°C時(shí)，最大功率耗散為2.5W。這是MOSFET在特定條件下可以承受的最大功率損耗。
IRF8788TRPBF應(yīng)用領(lǐng)域
IRF8788TRPBF適用于多個(gè)高電流應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，主要包括：
電源管理模塊：適用于負(fù)責(zé)電源開關(guān)和電池管理系統(tǒng)等，能夠提供高效的電源控制功能。
電動(dòng)工具：可用于電動(dòng)工具中的驅(qū)動(dòng)控制和負(fù)載開關(guān)，滿足電動(dòng)工具對(duì)高電流和高性能的需求。
高功率負(fù)載開關(guān)模塊：適用于高功率負(fù)載開關(guān)和電源控制器等，確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。
IRF8788TRPBF其他特性
高性能：IRF8788TRPBF具有高性能特點(diǎn)，能夠滿足高電流應(yīng)用對(duì)快速響應(yīng)和高效率的需求。
低導(dǎo)通電阻：較低的導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
可靠性高：作為知名制造商Infineon的產(chǎn)品，IRF8788TRPBF在質(zhì)量和可靠性方面有著良好的口碑。
IRF8788TRPBF是一款由Infineon公司生產(chǎn)的N溝道MOSFET，具有高電流、低導(dǎo)通電阻和高性能等特點(diǎn)。該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電源管理、電動(dòng)工具和高功率負(fù)載開關(guān)模塊等高電流應(yīng)用領(lǐng)域。在選擇和使用時(shí)，需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景和需求進(jìn)行匹配和考慮。
產(chǎn)品屬性 屬性值
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 24 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.04 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 44 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 11 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 95 S
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
產(chǎn)品類型: MOSFETs
上升時(shí)間: 24 ns
工廠包裝數(shù)量: 4000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 23 ns
典型接通延遲時(shí)間: 23 ns
寬度: 3.9 mm
單位重量: 540 mg
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