IRF9321TRPBF Infineon英飛凌PMOS -30V -15A
IRF9321TRPBF是一款由Infineon（英飛凌）公司生產(chǎn)的P溝道場效應(yīng)管（MOSFET），具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)良的性能參數(shù)。以下是對該產(chǎn)品的詳細(xì)解析：
IRF9321TRPBF基本信息
制造商：Infineon（英飛凌）
類型：P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）
封裝形式：SOIC-8。
IRF9321TRPBF技術(shù)規(guī)格參數(shù)
漏源極電壓（Vds）：-30V，表示在P溝道MOSFET中，漏極和源極之間的最大反向電壓。
連續(xù)漏極電流（Ids）：-15A，表示在正常工作條件下，漏極可以連續(xù)流過的最大電流。
漏源極導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：在多個資料中提到的值略有不同，如0.0059Ω或0.0072Ω，這取決于具體的測試條件和Vgs（柵源電壓）值。較低的導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗。
閾值電壓（Vth）：1.8V（或類似值），表示使MOSFET開始導(dǎo)通所需的柵源電壓。
輸入電容（Ciss）：2590pF @ 25V，表示在特定條件下測得的柵極輸入電容。
額定功率（Pd）：2.5W，表示MOSFET在特定條件下可以承受的最大功率耗散。
工作溫度范圍：-55℃至150℃，表示MOSFET能夠正常工作的溫度范圍。
IRF9321TRPBF應(yīng)用領(lǐng)域
IRF9321TRPBF因其優(yōu)良的性能和適中的參數(shù)，被廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域：
電源管理：在電源管理系統(tǒng)中，作為電源開關(guān)或調(diào)整器件，提供中功率的電源管理功能。
電機(jī)控制：適用于中功率電機(jī)控制模塊，為電機(jī)驅(qū)動提供可靠的電流支持。
電路開關(guān)：由于其較高的電流承受能力，可用于中功率的電路開關(guān)模塊，實(shí)現(xiàn)電路的通斷控制。
IRF9321TRPBF特性與優(yōu)勢
高電壓與電流承受能力：能夠承受-30V的漏源極電壓和-15A的連續(xù)漏極電流，滿足中功率
應(yīng)用的需求。
低導(dǎo)通電阻：有助于減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域：適用于電源管理、電機(jī)控制和電路開關(guān)等多個領(lǐng)域。
封裝形式緊湊：SOIC-8封裝形式緊湊，便于在電路板上進(jìn)行布局和布線。
IRF9321TRPBF注意事項(xiàng)
在使用IRF9321TRPBF時，需要遵循其電氣特性和應(yīng)用規(guī)范，以確保器件的正常工作和可靠性。
特別是在高功率應(yīng)用中，需要注意散熱設(shè)計(jì)，確保器件工作在適當(dāng)?shù)臏囟确秶鷥?nèi)。
此外，還需要注意器件的極性（P溝道），以及最大工作電壓和電流的限制，避免超過其規(guī)格范圍而導(dǎo)致?lián)p壞。
綜上所述，IRF9321TRPBF是一款性能優(yōu)良、應(yīng)用廣泛的P溝道場效應(yīng)管（MOSFET），在電源管理、電機(jī)控制和電路開關(guān)等領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。
產(chǎn)品屬性 屬性值
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 15 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 11.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 34 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標(biāo): Infineon Technologies
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
產(chǎn)品類型: MOSFETs
工廠包裝數(shù)量: 4000
子類別: Transistors
寬度: 3.9 mm
單位重量: 540 mg
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