封裝/外殼: D2PAK-7
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 1.2 kV
Id - C連續(xù)漏極電流: 72 A
Rds On - 漏-源電阻: 23 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 6 V
Qg - 閘極充電: 37.8 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 385 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: SiC FET
品牌: Qorvo
配置: Single
下降時(shí)間: 10 ns
產(chǎn)品: SiC FET
產(chǎn)品類型: SiC MOSFETS
上升時(shí)間: 25 ns
系列: UF4SC
原廠包裝數(shù)量: 800
子類別: Transistors
技術(shù): SiC
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間: 64 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時(shí)間: 23 ns
