技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝/外殼:
TCPAK57
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù):
1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:
60 V
Id - C連續(xù)漏極電流:
198 A
Rds On - 漏-源電阻:
1.49 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th - 門(mén)源門(mén)限電壓 :
2 V
Qg - 閘極充電:
92.2 nC
最低工作溫度:
- 55 C
最高工作溫度:
+ 175 C
Pd - 功率消耗 :
113 W
通道模式:
Enhancement
封裝:
Reel
封裝:
Cut Tape
品牌:
onsemi
配置:
Single
下降時(shí)間:
11 ns
互導(dǎo) - 最小值:
217 S
產(chǎn)品類型:
MOSFETs
上升時(shí)間:
25 ns
系列:
NVMJST1D4N06CL
原廠包裝數(shù)量:
3000
子類別:
Transistors
晶體管類型:
1 N-Channel
標(biāo)準(zhǔn)斷開(kāi)延遲時(shí)間:
60 ns
標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)啟延遲時(shí)間:
16 ns
NVMJST1D4N06CLTXG
發(fā)布時(shí)間:2024/9/24 16:57:00 訪問(wèn)次數(shù):56 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
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