SN65HVD3082EDR的詳細參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
SN65HVD3082EDR
Brand Name
Texas Instruments
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
1971936279
零件包裝代碼
SOIC
包裝說明
GREEN, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8
針數(shù)
8
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Malaysia, Mexico
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
風(fēng)險等級
1.27
Samacsys Description
Half-Duplex RS-485 Transceiver
Samacsys Manufacturer
Texas Instruments
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
15
差分輸出
YES
驅(qū)動器位數(shù)
1
高電平輸入電流最大值
0.0001 A
輸入特性
DIFFERENTIAL SCHMITT TRIGGER
接口集成電路類型
LINE TRANSCEIVER
接口標(biāo)準(zhǔn)
EIA-485-A; TIA-485-A
JESD-30 代碼
R-PDSO-G8
JESD-609代碼
e4
長度
4.9 mm
濕度敏感等級
1
功能數(shù)量
1
端子數(shù)量
8
最高工作溫度
85 °C
最低工作溫度
-40 °C
最小輸出擺幅
1.5 V
輸出特性
DIFFERENTIAL
最大輸出低電流
0.008 A
輸出極性
TRUE
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
SOP
封裝等效代碼
SOP8,.25
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
最大接收延遲
200 ns
接收器位數(shù)
1
座面最大高度
1.75 mm
最大壓擺率
0.9 mA
最大供電電壓
5.5 V
最小供電電壓
4.5 V
標(biāo)稱供電電壓
5 V
電源電壓1-最大
5.5 V
電源電壓1-分鐘
4.5 V
電源電壓1-Nom
5 V
表面貼裝
YES
技術(shù)
CMOS
溫度等級
INDUSTRIAL
端子面層
NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式
GULL WING
端子節(jié)距
1.27 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
最大傳輸延遲
1300 ns
寬度
3.9 mm
SN65HVD3082EDR 接口芯片的分析與應(yīng)用
引言
隨著信息技術(shù)的迅速發(fā)展，數(shù)據(jù)通信日益成為電子設(shè)備不可或缺的一部分。在現(xiàn)代化的自動化系統(tǒng)和工業(yè)控制中，接口芯片就像是技術(shù)交流的橋梁，它們負責(zé)不同設(shè)備或模塊之間的信號傳遞。在眾多接口芯片中，SN65HVD3082EDR 作為一款高性能的差分信號收發(fā)器，因其優(yōu)越的特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域而備受關(guān)注。
SN65HVD3082EDR 的特性
1. 電氣特性
SN65HVD3082EDR 主要用于 CAN（控制器局域網(wǎng)絡(luò)）通信，工作電壓范圍一般為 4.5V 至 5.5V。其接收和發(fā)送的數(shù)據(jù)速率可達到 1Mbps，同時該芯片具有較高的抗干擾能力，能夠支持長達 1km 的通信距離。這些特性使得 SN65HVD3082EDR 在噪聲較大的工業(yè)環(huán)境中依然能夠保持穩(wěn)定的信號傳輸。
2. 低功耗設(shè)計
該芯片在待機模式下功耗極低，能夠有效延長設(shè)備的使用壽命，成為低功耗應(yīng)用中不可或缺的選擇。這種低功耗設(shè)計特別適合電池供電的設(shè)備，同時對環(huán)境保護也具有積極的影響。
3. 充足的保護功能
SN65HVD3082EDR 的內(nèi)部防護設(shè)計提升了其在極端工作條件下的可靠性。例如，其具有過流保護、熱關(guān)斷以及靜電放電（ESD）保護功能，這使得芯片具備較強的生存能力，能在不良環(huán)境下穩(wěn)定工作。
應(yīng)用領(lǐng)域
1. 工業(yè)控制
在現(xiàn)代工業(yè)自動化中，SN65HVD3082EDR 常用于設(shè)備間的串行通信。由于其優(yōu)異的抗干擾性，廣泛應(yīng)用于機械手臂、傳感器及控制器等設(shè)備的連接。這不僅提高了工業(yè)設(shè)備的通信效率，還降低了因信號干擾而導(dǎo)致的故障率。
2. 智能交通系統(tǒng)
在智能交通系統(tǒng)中，SN65HVD3082EDR 也發(fā)揮著重要的作用。交通信號控制、車輛之間的通信以及交通監(jiān)控系統(tǒng)都依賴于該芯片。在交通管理中，各種實時數(shù)據(jù)的快速傳輸對于應(yīng)對突發(fā)情況至關(guān)重要，而 SN65HVD3082EDR 則提供了高效、可靠的支持。
3. 醫(yī)療設(shè)備
隨著醫(yī)療行業(yè)的智能化發(fā)展，SN65HVD3082EDR 在醫(yī)療設(shè)備中的應(yīng)用也越來越廣泛。醫(yī)療檢測設(shè)備、監(jiān)護儀以及其它診斷設(shè)備的通信均會使用到該芯片。其高穩(wěn)定性和抗干擾能力在醫(yī)療環(huán)境中顯得尤為重要，確保了數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性與實時性。
設(shè)計考慮
1. 布線與信號完整性
在設(shè)計采用 SN65HVD3082EDR 的電路板時，布線是一個關(guān)乎信號完整性的關(guān)鍵因素。需要盡量縮短差分信號線的長度，避免產(chǎn)生不必要的延遲和信號衰減。此外，為了降低外部噪聲的影響，建議采用屏蔽線纜并合理布置地線。
2. 電源設(shè)計
合適的電源設(shè)計對 SN65HVD3082EDR 的正常工作至關(guān)重要。推薦使用穩(wěn)壓電源，確保提供給芯片的電壓在符合規(guī)格范圍內(nèi)。此外，電源去耦電容的合理布局也能提高電源的穩(wěn)定性，從而提升整體性能。
3. 溫度管理
由于芯片工作時可能產(chǎn)生熱量，適當(dāng)?shù)纳峁芾硪膊豢珊鲆暋Ｊ褂眠m當(dāng)?shù)纳岽胧�，例如散熱片或風(fēng)扇，可以有效降低芯片的工作溫度，延長其使用壽命。同時，環(huán)境溫度的變化對芯片的性能也會產(chǎn)生影響，因此在選擇應(yīng)用場景時需要加以考慮。
未來發(fā)展方向
隨著工業(yè)4.0和物聯(lián)網(wǎng)的普及，對高性能接口芯片的需求將會不斷增長。SN65HVD3082EDR 作為這一領(lǐng)域的重要產(chǎn)品，其性能和特性將促使其在未來的應(yīng)用中表現(xiàn)出更大的潛力。在智能設(shè)備、自動化生產(chǎn)線以及智能城市建設(shè)中，能否充分利用 SN65HVD3082EDR 進行高效的數(shù)據(jù)傳輸，將成為決定未來技術(shù)競爭力的重要因素。
結(jié)語
盡管 SN65HVD3082EDR 作為一款接口芯片在行業(yè)中已展現(xiàn)出其獨特的優(yōu)勢，但其在具體應(yīng)用中的探索仍然是一個持續(xù)的過程。未來的研究將聚焦于如何優(yōu)化其在不同環(huán)境中的性能表現(xiàn)，以滿足更多應(yīng)用需求。 通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新和優(yōu)化設(shè)計，SN65HVD3082EDR 將繼續(xù)在數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域發(fā)揮著重要的作用。
SN65HVD3082EDR
TI(德州儀器)
TPA3118D2DAPR
TI(德州儀器)
AT24C64D-SSHM-T
Atmel(愛特梅爾)
IHW20N135R5
Infineon(英飛凌)
XCF02SVOG20C
XILINX(賽靈思)
BTS50055-1TMA
Infineon(英飛凌)
L78L05ABUTR
ST(意法)
FS32K144HAT0MLHT
ST(意法)
88E1111-B2-NDC2I000
Marvell(美滿)
LM258DR
TI(德州儀器)
LM2904DR
XINBOLE(芯伯樂)
STM32F767ZIT6
ST(意法)
STM32F105RCT6
ST(意法)
ATXMEGA128A4U-AU
TI(德州儀器)
NCP1342AMDCDAD1R2G
ON(安森美)
STM32F767BIT6
ST(意法)
XC7A100T-2FGG484I
XILINX(賽靈思)
MK10DN512VLL10
Freescale(飛思卡爾)
DS18B20+
XINBOLE(芯伯樂)
MMBT3904LT1G
CJ(江蘇長電/長晶)
SZNUP2105LT1G
ON(安森美)
LMX2594RHAR
TI(德州儀器)
MCP6002T-I/SN
Microchip(微芯)
STM32F030R8T6
ST(意法)
STM32F103VBT6
ST(意法)
STM8S003F3U6TR
ST(意法)
IRFR5305TRPBF
VBsemi(臺灣微碧)
L7805CV
ST(意法)
TJA1043T/1
NXP(恩智浦)
VN5E010AHTR-E
ST(意法)
LMD18200T
TI(德州儀器)
SN74LVC1G08DBVR
TI(德州儀器)
LM3481MMX/NOPB
NS(國半)
OPA2277UA/2K5
TI(德州儀器)
EP4CE6F17C8N
XILINX(賽靈思)
GD25Q127CSIG
GD(兆易創(chuàng)新)
TMS320F28377DPTPT
TI(德州儀器)
LM1117IMPX-3.3
TI(德州儀器)
FS32K144HAT0MLLT
NXP(恩智浦)
VNB35N07TR-E
ST(意法)
MBRS140T3G
ON(安森美)
TPS54302DDCR
TI(德州儀器)
TPS74801DRCR
TI(德州儀器)
AD9914BCPZ
ADI(亞德諾)
MBRS1100T3G
ON(安森美)
STW11NK100Z
ST(意法)
88E1111-B2-BAB1I000
Marvell(美滿)
DSPB56367AG150
MOTOROLA(摩托羅拉)
STM32F429ZGT6
ST(意法)
STM32G030F6P6
ST(意法)
ADS7924IRTER
TI(德州儀器)
ATTINY13A-SSU
Atmel(愛特梅爾)
XTR115UA
TI(德州儀器)
LSM6DS3TR-C
ST(意法)
MK24FN1M0VLQ12
NXP(恩智浦)
MK60DN512VMD10
NXP(恩智浦)
XTR111AIDGQR
TI(德州儀器)
S9S12G128AMLFR
NXP(恩智浦)
LM3481MMX
TI(德州儀器)
XC7Z100-2FFG900I
XILINX(賽靈思)
MC33078DR2G
ON(安森美)
AD623ARZ
ADI(亞德諾)
XC7A35T-2FGG484I
XILINX(賽靈思)
ULN2803ADW
TI(德州儀器)
MT41K256M16TW-107IT:P
micron(鎂光)
2N7002
LRC(樂山無線電)
LP8867QPWPRQ1
TI(德州儀器)
REF3025AIDBZR
TI(德州儀器)
BAT54S
Diodes(美臺)
DAC7612U
TI(德州儀器)
SSD2832G24
SOLOMON(晶門科技)
MBRS360T3G
Vishay(威世)
MS51FB9AE
Nuvoton(新唐)
LMR33620CQRNXRQ1
TI(德州儀器)
TMS320F28377DZWTT
TI(德州儀器)
IXFB44N100P
IXYS(艾賽斯)
MCF52223CAF66
Freescale(飛思卡爾)
TPS54202DDCR
TI(德州儀器)
MK70FN1M0VMJ12
Freescale(飛思卡爾)
SP3485EN-L/TR
SIPEX(西伯斯)
EPM240T100I5N
ALTERA(阿爾特拉)
ATMEGA162-16AU
Atmel(愛特梅爾)
TPS54160DGQR
TI(德州儀器)
BC817-40
NXP(恩智浦)
PIC16F1947-I/PT
Microchip(微芯)
MK10DX256VLK7
Freescale(飛思卡爾)
5M240ZT100A5N
ALTERA(阿爾特拉)
LIS2DW12TR
TI(德州儀器)
LM2675MX-5.0/NOPB
TI(德州儀器)
TPS7A4901DGNR
TI(德州儀器)
SN74LVC8T245PWR
TI(德州儀器)
IKZ75N65EH5
Infineon(英飛凌)
PCA9306DCUR
TI(德州儀器)
ACS712ELCTR-20A-T
ALLEGRO(美國埃戈羅)
MT41K128M16JT-125IT:K
micron(鎂光)
CC1101RGPR
TI(德州儀器)
KLMAG1JETD-B041
SAMSUNG(三星)
MT41K256M16TW-107
micron(鎂光)
MCP6001T-I/OT
MIC(昌福)
EPCQ128ASI16N
ALTERA(阿爾特拉)
P4080NSE7PNC
NXP(恩智浦)
LM324DT
ST(意法)
XTR117AIDGKR
TI(德州儀器)
STM32H743BIT6
ST(意法)
STM32F722RET6
ST(意法)
KSZ8999
Microchip(微芯)
EP3C25E144I7N
ALTERA(阿爾特拉)
