PBSS4140U,115的詳細參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
PBSS4140U,115
Brand Name
Nexperia
是否Rohs認證
符合
生命周期
Active
Objectid
4002387738
零件包裝代碼
SC-70
包裝說明
PLASTIC, SC-70, 3 PIN
針數(shù)
3
制造商包裝代碼
SOT323
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Malaysia
ECCN代碼
EAR99
風險等級
1.5
Samacsys Manufacturer
Nexperia
Samacsys Modified On
2022-06-22 21:39:32
YTEOL
7
最大集電極電流 (IC)
1 A
集電極-發(fā)射極最大電壓
40 V
配置
SINGLE
最小直流電流增益 (hFE)
200
JESD-30 代碼
R-PDSO-G3
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
3
最高工作溫度
150 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類型
NPN
認證狀態(tài)
Not Qualified
參考標準
AEC-Q101
表面貼裝
YES
端子面層
TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
晶體管應用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
標稱過渡頻率 (fT)
150 MHz
雙極性晶體管 (Bipolar Junction Transistor, BJT) 是一種重要的半導體器件，廣泛應用于電子電路中。BJT 的工作原理基于電流的控制和放大。PBSS4140U, 115 是一種NPN型的雙極性晶體管，其在電流放大、開關控制等方面具有廣泛的應用。
一、雙極性晶體管的結構與基本原理
雙極性晶體管由三個半導體區(qū)域組成：發(fā)射區(qū)（Emitter）、基區(qū)（Base）和集電區(qū)（Collector）。在NPN型晶體管中，發(fā)射區(qū)通常是與摻雜濃度最高的N型半導體，而基區(qū)則是摻雜濃度較低的P型半導體。發(fā)射區(qū)域的電子經(jīng)過基區(qū)進入集電區(qū)，形成電流的流動。當基極施加一定電壓，使基區(qū)與發(fā)射區(qū)形成電場時，部分電子能夠穿越基區(qū)，最終收集到集電區(qū)。
1.1 電流放大
雙極性晶體管的一個顯著特點是能夠?qū)崿F(xiàn)電流的放大。在NPN結構中，IE（發(fā)射電流）由IB（基電流）和IC（集電電流）組成，滿足關系公式 IE = IB + IC。由于基極電流IB相對很小，而集電極電流IC則相對較大，因此可以實現(xiàn)電流的放大。電流增益（β）即為集電電流與基電流的比例，通常在數(shù)十到數(shù)百之間。
1.2 開關特性
雙極性晶體管還具有很好的開關特性。通過控制基極電流，可以使晶體管在導通與截止狀態(tài)之間切換。在控制電路中，基極電流的開關狀態(tài)直接影響集電極與發(fā)射極之間的電流流動。這使得BJT在數(shù)字電路和開關電源等應用中發(fā)揮了重要作用。
二、PBSS4140U, 115 的特性與應用
PBSS4140U, 115 是一種特定型號的雙極性晶體管，常常在電子和電氣工程中得到應用。它是一種小型SMD（表面貼裝設備）產(chǎn)品，其性能參數(shù)使其適用于多種應用場合。
2.1 重要參數(shù)
PBSS4140U, 115 的一些關鍵參數(shù)通常包括：
- 最大集電極電壓（V_CE）：表示晶體管在滿載工作時可以承受的最高電壓。 - 最大集電極電流（I_C）：表示在正常工作條件下，晶體管集電極可以承受的最大電流。 - 增益（h_FE）：也稱為電流增益，反映晶體管的放大能力。 - 開關速度：對某些應用而言，非常重要的參數(shù)，影響響應時間和功率損耗。
這些參數(shù)直接影響PBSS4140U, 115 的可用性，在實際電路設計中，必須考慮這些因素。
2.2 應用領域
PBSS4140U, 115 的應用廣泛，包括但不限于：
- 音頻放大器：利用其良好的電流放大性能，可以用于音頻信號的增強和處理。 - 開關電源：在開關電源中，作為開關元件用于控制功率的傳遞。 - 電流調(diào)節(jié)器：可以用于反饋控制系統(tǒng)中，通過調(diào)節(jié)輸出電流來維持一定的負載。
三、PBSS4140U, 115 的工作特性分析
在探討PBSS4140U, 115 的工作特性時，必須考慮其在不同工作條件下的表現(xiàn)。對于雙極性晶體管，其工作分為三個區(qū)域：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。
3.1 截止區(qū)
在截止狀態(tài)時，基極電流幾乎為零，從而使集電極和發(fā)射極之間的電流也為零。此時，PBSS4140U, 115 處于關斷狀態(tài)，對電路無影響。這個狀態(tài)對于開關電源的關閉和切換非常重要。
3.2 放大區(qū)
當基極施加適當?shù)钠秒娏鲿r，PBSS4140U, 115 將進入放大區(qū)。此時，基極與發(fā)射極的電流比（β 或者 h_FE）基于外部負載和輸入信號的變化而變化。在此狀態(tài)下，晶體管能夠接收微小的輸入信號，并輸出放大后的信號，非常適用于音頻放大器或傳感器接口。
3.3 飽和區(qū)
在飽和狀態(tài)下，基極施加的電流非常大，晶體管表現(xiàn)為導通狀態(tài)，允許最大的集電極電流通過。在開關電源或繼電器驅(qū)動中，晶體管會快速進入此狀態(tài)，以快速響應中斷信號。
四、設計注意事項
在電路設計中使用PBSS4140U, 115 需注意多個方面。首先，應確保工作電壓和電流在制造商推薦的范圍內(nèi)。過高的電壓或電流可能導致器件損壞或性能下降。其次，考慮到環(huán)境溫度對晶體管性能的影響，熱管理也是設計中不可忽視的部分。
另一個設計注意事項是選擇合適的偏置電阻。合理的偏置可以確保晶體管工作在最佳狀態(tài)，既能保證信號的線性放大特性，又能防止飽和或截止狀態(tài)造成信號失真。
最后，有效的布局設計同樣重要。優(yōu)良的PCB設計能夠減少信號干擾，提高整個電路的穩(wěn)定性和可靠性。
PBSS4140U, 115 的未來發(fā)展
隨著電子技術的迅速發(fā)展，PBSS4140U, 115 的應用領域?qū)⒉粩鄶U展。新興的物聯(lián)網(wǎng)技術、智能家居設備以及更高效的能源管理系統(tǒng)都將為其提供廣闊的市場空間。同時，隨著半導體材料和制造工藝的不斷改進，PBSS4140U, 115 的性能也有望得到進一步提升，滿足更高的工作要求。
PBSS4140U，115
Nexperia(安世)
STM32L152VCT6
ST(意法)
ATMEGA162V-8AU
Microchip(微芯)
EG2131
Egmicro(屹晶微)
IRFH7440TRPBF
Infineon(英飛凌)
M25P16-VMW6TG
ST(意法)
STM32L452RET6
ST(意法)
XCKU085-2FLVA1517E
XILINX(賽靈思)
GD32F450ZKT6
GD(兆易創(chuàng)新)
PCA9548ABS
NXP(恩智浦)
PZTA42T1G
ON(安森美)
IRFP4310ZPBF
IR(國際整流器)
LPC4088FBD208
NXP(恩智浦)
RTL8309M-CG
REALTEK(瑞昱)
ADS8331IPW
TI(德州儀器)
AT8236
杭州中科微
LM293DR2G
ON(安森美)
STM8S001J3M3
ST(意法)
THGBMDG5D1LBAIL
TOSHIBA(東芝)
BMP180
Bosch(博世)
MC9S12DG128MPVE
Freescale(飛思卡爾)
TCPT1300X01
Vishay(威世)
VN1160TR-E
SMT
990-9413.1B
TI(德州儀器)
PDIUSBD12PW
NXP(恩智浦)
TIP41CG
ON(安森美)
VNLD5300TR-E
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TI(德州儀器)
MSP430F147IPMR
TI(德州儀器)
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TPS70930DBVR
TI(德州儀器)
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XILINX(賽靈思)
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REALTEK(瑞昱)
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ST(意法)
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IR(國際整流器)
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TS3011ILT
ST(意法)
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INTEL(英特爾)
FDS86240
Fairchild(飛兆/仙童)
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Philips(飛利浦)
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WINBOND(華邦)
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TI(德州儀器)
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ADI(亞德諾)
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PIC12LF1840T-I/SN
Microchip(微芯)
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ST(意法)
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Philips(飛利浦)
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ON(安森美)
W5200
WIZnet
AD9832BRUZ
ADI(亞德諾)
BQ25616RTWR
TI(德州儀器)
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NXP(恩智浦)
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ST(意法)
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WINBOND(華邦)
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Microchip(微芯)
INA2128U
TI(德州儀器)
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Nanya Technology
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Renesas(瑞薩)
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SAMSUNG(三星)
NCP1075STBT3G
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TOSHIBA(東芝)
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INTEL(英特爾)
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FTDI(飛特帝亞)
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Vishay(威世)
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INTEL(英特爾)
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MOTOROLA(摩托羅拉)
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micron(鎂光)
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China(國產(chǎn))
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NXP(恩智浦)
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STM32L451RET6
ST(意法)
LMV7239M5X
NS(國半)
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micron(鎂光)
THGBMJG6C1LBAB7
TOSHIBA(東芝)
AD8626ARZ
ADI(亞德諾)
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Freescale(飛思卡爾)
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NVIDIA
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