SN65HVD234DR的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
SN65HVD234DR
Brand Name
Texas Instruments
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
1970283014
零件包裝代碼
SOIC
包裝說明
SOP, SOP8,.25
針數(shù)
8
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mexico
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
風(fēng)險等級
1.23
Samacsys Description
3.3 V CAN Transceiver with Sleep Mode
Samacsys Manufacturer
Texas Instruments
Samacsys Modified On
2023-06-22 02:40:13
YTEOL
15
數(shù)據(jù)速率
1000 Mbps
JESD-30 代碼
R-PDSO-G8
JESD-609代碼
e4
長度
4.9 mm
濕度敏感等級
1
信道數(shù)量
1
功能數(shù)量
1
端子數(shù)量
8
收發(fā)器數(shù)量
1
最高工作溫度
125 °C
最低工作溫度
-40 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
SOP
封裝等效代碼
SOP8,.25
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
座面最大高度
1.75 mm
最大壓擺率
6 mA
標(biāo)稱供電電壓
3.3 V
表面貼裝
YES
電信集成電路類型
INTERFACE CIRCUIT
溫度等級
AUTOMOTIVE
端子面層
NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式
GULL WING
端子節(jié)距
1.27 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
寬度
3.9 mm
SN65HVD234DR 總線收發(fā)器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
引言
在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中，數(shù)據(jù)通訊技術(shù)已經(jīng)成為推動技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要因素。其中，CAN（Controller Area Network）總線標(biāo)準(zhǔn)因其高可靠性、實(shí)時性和低干擾特性，廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)控制和醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。SN65HVD234DR是德州儀器(Texas Instruments)公司推出的一款先進(jìn)的CAN總線收發(fā)器，具備多種優(yōu)良的特性，能夠滿足現(xiàn)代電子系統(tǒng)在數(shù)據(jù)傳輸過程中的嚴(yán)格要求。
SN65HVD234DR的基本特性
SN65HVD234DR是一款雙向適配的CAN總線收發(fā)器。其工作電壓范圍為4.5V到5.5V，并在ISO 11898-2標(biāo)準(zhǔn)的操作下性能表現(xiàn)良好。該器件主要應(yīng)用于CAN系統(tǒng)中的傳輸功能，其技術(shù)規(guī)格如下：
1. 數(shù)據(jù)傳輸速率：支持高達(dá)1Mbps的比特率，適合高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)膽?yīng)用場景。 2. 總線保護(hù)：SN65HVD234DR內(nèi)置ESD保護(hù)機(jī)制，符合IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的要求，以抵御靜電放電帶來的損害。 3. 靜態(tài)功耗：在待機(jī)狀態(tài)下功耗極低，有助于延長設(shè)備的電池壽命。 4. 抗干擾能力：優(yōu)良的共模抑制比（CMR），確保數(shù)據(jù)信號在噪聲環(huán)境下仍能穩(wěn)定傳輸。
設(shè)計(jì)考慮
在設(shè)計(jì)基于SN65HVD234DR的系統(tǒng)時，有幾個關(guān)鍵因素需要考慮。首先，最佳的電源設(shè)計(jì)是確保設(shè)備正常工作的基礎(chǔ)，包括穩(wěn)壓電源的選擇和旁路電容的配置。通常，0.1?F和10?F的旁路電容應(yīng)并聯(lián)連接于VCC與GND之間，以降低電源干擾。
其次，線路布局也極為重要。由于SN65HVD234DR在工作時會產(chǎn)生高頻信號，其印刷電路板（PCB）的設(shè)計(jì)需遵循良好的電磁兼容性（EMC）原則。芯片引腳的連接要盡量短，以減少信號延遲和反射。此外，應(yīng)避免在數(shù)字信號走線附近布置模擬信號走線，以減小干擾。
接下來，進(jìn)行總線終端的合理設(shè)計(jì)也至關(guān)重要。根據(jù)CAN總線的特性，通常在總線的兩端各加一個120Ω的終端電阻以匹配阻抗，防止信號反射。這將對整個總線系統(tǒng)的信號完整性產(chǎn)生積極影響。
應(yīng)用場景
SN65HVD234DR在多個領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用中表現(xiàn)出色。在汽車電子中，CAN總線技術(shù)被廣泛應(yīng)用于發(fā)動機(jī)控制單元（ECU）、車身控制系統(tǒng)和動力傳動系統(tǒng)。其高可靠性的特征保證了在不同工況下數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和實(shí)時性。例如，在發(fā)動機(jī)管理系統(tǒng)中，精確的傳感器數(shù)據(jù)采集和控制信號傳輸能夠有效提升汽車的燃油效率及安全性。
在工業(yè)自動化領(lǐng)域，SN65HVD234DR被用于各種設(shè)備之間的通信，如PLC（可編程邏輯控制器）與上位機(jī)之間的數(shù)據(jù)交換。通過能夠承受極端環(huán)境的CAN總線系統(tǒng)，提升了工業(yè)生產(chǎn)線的自動化水平和實(shí)時監(jiān)控能力。此外，在醫(yī)療設(shè)備領(lǐng)域，數(shù)據(jù)采集與監(jiān)控系統(tǒng)中使用CAN總線技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)設(shè)備的高效協(xié)同，非常適合實(shí)時數(shù)據(jù)傳輸與控制。
性能評估
SN65HVD234DR性能的評估通常包括其傳輸延遲、誤碼率和抗干擾能力等指標(biāo)。在實(shí)際應(yīng)用中，通過標(biāo)準(zhǔn)測試流程，可以評估其在不同溫度和電壓條件下的工作穩(wěn)定性。一般來說，SN65HVD234DR在環(huán)境溫度范圍內(nèi)（-40°C至85°C）的工作表現(xiàn)良好，緊密的工藝流程使它遵循工業(yè)級別的標(biāo)準(zhǔn)，這一點(diǎn)是在選擇相應(yīng)通信器件時應(yīng)特別關(guān)注的。
此外，誤碼率測試也可以采用某些標(biāo)準(zhǔn)化的方法進(jìn)行，如通過循環(huán)冗余校驗(yàn)（CRC）等技術(shù)，驗(yàn)證數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃�。良好的抗干擾能力能夠保證設(shè)備在電磁干擾較大的環(huán)境中正常運(yùn)行，進(jìn)一步增強(qiáng)了其在汽車和工業(yè)應(yīng)用中的吸引力。
在性能評估過程中，用戶還需考慮到實(shí)際應(yīng)用場景的特定需求，如數(shù)據(jù)傳輸量、實(shí)時性要求等，以便對SN65HVD234DR的功能進(jìn)行更好的適配和優(yōu)化。
結(jié)語
隨著智能系統(tǒng)與物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的發(fā)展，CAN總線技術(shù)的重要性愈發(fā)突出。在這種背景下，SN65HVD234DR作為了一款高效可靠的總線收發(fā)器，將繼續(xù)在復(fù)雜的應(yīng)用環(huán)境中發(fā)揮重要作用。無論是在汽車電子、工業(yè)自動化還是醫(yī)療設(shè)備領(lǐng)域，其卓越的性能使其成為設(shè)計(jì)者的理想選擇。未來，隨著技術(shù)的不斷演進(jìn)，其應(yīng)用領(lǐng)域和潛力將被進(jìn)一步挖掘和拓展。
SN65HVD234DR
TI(德州儀器)
LMV321IDBVR
TI(德州儀器)
LM317T
NS(國半)
HI-8585PSI
Holt Integrated Circuits Inc.
SG3525ADWR2G
ON(安森美)
TLC6C598CQDRQ1
TI(德州儀器)
STM32F207ZET6
ST(意法)
STM32H753BIT6
ST(意法)
LMR14030SDDAR
TI(德州儀器)
STW9N150
ST(意法)
LM35DZ
TI(德州儀器)
MAX3232IPWR
TI(德州儀器)
74HC165D
Nexperia(安世)
STM32F030RCT6
ST(意法)
STM8S105C6T6
ST(意法)
AT89C2051-24PU
Atmel(愛特梅爾)
STM32F072CBT6
ST(意法)
ADUM4160BRWZ
ADI(亞德諾)
L9301-TR
ST(意法)
FDMS86263P
Fairchild(飛兆/仙童)
DAC8814ICDBR
TI(德州儀器)
INA128UA
TI(德州儀器)
CC2541F256RHAR
ADI(亞德諾)
OPA2277U/2K5
TI(德州儀器)
TCAN1042DRQ1
TI(德州儀器)
STM32F446RCT6
ST(意法)
OPA2197IDR
TI(德州儀器)
L7812CV
ST(意法)
MC33063ADR2G
ON(安森美)
BTS723GW
TI(德州儀器)
STM32F446RET6
ST(意法)
XC7Z020-2CLG400I
XILINX(賽靈思)
L9779WD-SPI-TR
ST(意法)
MC33172DR2G
ON(安森美)
KLM4G1FETE-B041
SAMSUNG(三星)
LM317LDR2G
ST(意法)
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ST(意法)
STM32H753IIT6
ST(意法)
STM32L432KCU6
ST(意法)
RTL8211E-VB-CG
REALTEK(瑞昱)
TPS54340DDAR
TI(德州儀器)
GD32F103RBT6
GD(兆易創(chuàng)新)
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MPS(美國芯源)
TLV62569DBVR
TI(德州儀器)
ATXMEGA128D3-AU
Microchip(微芯)
MK60DN512ZVMD10
NXP(恩智浦)
MPC8308CVMAGDA
Freescale(飛思卡爾)
MKL25Z128VLK4
NXP(恩智浦)
HCPL-316J-500E
Agilent(安捷倫)
PESD1CAN
Nexperia(安世)
VNQ7040AYTR
ST(意法)
M24M01-RMN6TP
ST(意法)
STM32F302CBT6
ST(意法)
FT232RQ
FTDI(飛特帝亞)
AD780BRZ
ADI(亞德諾)
WM8960CGEFL/RV
WOLFSON(歐勝)
TJA1043T
NXP(恩智浦)
MK60FN1M0VLQ15
NXP(恩智浦)
STM32F429NIH6
ST(意法)
ATMEGA8A-PU
Atmel(愛特梅爾)
TLV2381IDBVR
TI(德州儀器)
TJA1042T/1J
TI(德州儀器)
STM32L151CBT6A
ST(意法)
OP2177ARZ
ADI(亞德諾)
EP4CE10E22C8N
ALTERA(阿爾特拉)
LM7301IM5
NS(國半)
GD32F303VET6
GD(兆易創(chuàng)新)
DP83848IVV
TI(德州儀器)
MAX3232ESE+T
Maxim(美信)
TPS7A6650QDGNRQ1
TI(德州儀器)
ADM3251EARWZ-REEL
ADI(亞德諾)
SN65HVD232DR
TI(德州儀器)
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TI(德州儀器)
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ADI(亞德諾)
M24M02-DRMN6TP
ST(意法)
MCIMX535DVV1C
NXP(恩智浦)
ISO1050DWR
TI(德州儀器)
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ST(意法)
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TI(德州儀器)
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SANYO(三洋半導(dǎo)體)
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TOSHIBA(東芝)
LM2674MX-ADJ
NS(國半)
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ADI(亞德諾)
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TI(德州儀器)
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TI(德州儀器)
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BQ79616PAPRQ1
TI(德州儀器)
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KSZ9031RNXIA
Microchip(微芯)
MPX5500DP
NXP(恩智浦)
10M08DAF256I7G
ALTERA(阿爾特拉)
MSP430F149IPMR
TI(德州儀器)
CC2530F256RHAR
TI(德州儀器)
