HFA08TB60PBF的詳細參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
是否Rohs認證
符合
生命周期
Transferred
Objectid
2084978781
零件包裝代碼
TO-220AC
包裝說明
LEAD FREE PACKAGE-2
針數(shù)
3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8541.10.00.80
風險等級
7.48
應用
ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外殼連接
CATHODE
配置
SINGLE
二極管元件材料
SILICON
二極管類型
RECTIFIER DIODE
最大正向電壓 (VF)
2.1 V
JEDEC-95代碼
TO-220AC
JESD-30 代碼
R-PSFM-T2
JESD-609代碼
e3
最大非重復峰值正向電流
60 A
元件數(shù)量
1
相數(shù)
1
端子數(shù)量
2
最高工作溫度
150 °C
最大輸出電流
8 A
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度）
250
認證狀態(tài)
Not Qualified
最大重復峰值反向電壓
600 V
最大反向恢復時間
0.055 µs
表面貼裝
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
HFA08TB60PBF 高效率二極管的特性與應用
在現(xiàn)代電子器件中，二極管作為一種最基本的電子元件，在電路中起著至關重要的作用。隨著科技發(fā)展和應用需求的不斷增加，高效率二極管的研究與應用日趨重要。HFA08TB60PBF作為一種高效率的二極管，其特性和應用范圍廣泛，值得深入探討。
HFA08TB60PBF二極管屬于高頻、高效率的硅基二極管，其主要特點是具有優(yōu)秀的反向恢復特性和低正向壓降。反向恢復時間是評估二極管在高頻開關條件下性能的關鍵指標，HFA08TB60PBF的反向恢復時間相對較短，使其能夠在快速開關的應用中維持較低的導通損耗。在高頻應用中，快速的開關速度使得該二極管能夠有效減少電能損失，從而提高電路的整體效率。
根據(jù)數(shù)據(jù)手冊，HFA08TB60PBF的耐壓值為600V，能夠滿足大多數(shù)中高壓應用的要求。這意味著在高電壓操作環(huán)境中，該二極管能夠保持較好的可靠性，而不會出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。同時，其導通電流高達8A，適用于較大電流的場合。這種高承載能力使得HFA08TB60PBF在電源管理、逆變器和其他功率轉換設備中具有廣泛的使用潛力。
高效率二極管的重要特性之一是正向壓降，HFA08TB60PBF的正向壓降約為1V，這一數(shù)值相比傳統(tǒng)二極管顯著降低，意味著在正常工作狀態(tài)下其熱損耗較小。這對于需要長時間高負載工作的電子設備而言，是極為重要的。在電源設計中，正向壓降的降低直接關聯(lián)到電源的效率提升，降低了熱量的產生，有助于延長設備的使用壽命。
在具體應用方面，HFA08TB60PBF通常用于開關電源、電動機驅動、太陽能逆變器等場合。在開關電源中，該二極管能夠作為整流元件，提升電源轉換效率。由于其低正向壓降和短暫的反向恢復時間，HFA08TB60PBF能夠在高頻操作下，顯著降低能量損失，確保電源系統(tǒng)以較高的效率運行。
在電動機驅動應用中，HFA08TB60PBF可以作為逆變器中的關鍵組成部分，通過其高效率的整流能力，改善電動機的運行穩(wěn)定性和效率。在控制電動機速率或方向的過程中，反向恢復時間成為一個重要因素，HFA08TB60PBF憑借出色的反向恢復特性，能夠在快速切換條件下保持高效的工作，確保電動機的平穩(wěn)運行。
在太陽能逆變器的應用中，HFA08TB60PBF作為功率轉換的重要元器件，其高效率特性尤為重要。太陽能電池板生成的直流電需要通過逆變器轉化為交流電，供給家庭或工業(yè)用途。顯而易見，使用高效率二極管能夠減少能量損耗，從而提高太陽能系統(tǒng)的整體性能。此外，高耐壓特性也保證了在各種氣候條件下，太陽能逆變器的穩(wěn)定性和可靠性。
除了以上的應用場合，HFA08TB60PBF在其他一些領域也顯示出了良好的使用前景。例如，在汽車電子中，隨著電動汽車及混合動力汽車的興起，高效率二極管可以用于電池管理系統(tǒng)、DC-DC轉換器和其他電氣設備。其低熱損耗特性可以有效提升汽車電氣系統(tǒng)的整體性能和安全性，從而促進新能源車輛的發(fā)展。
在安裝與使用HFA08TB60PBF二極管時，設計者需特別注意其散熱問題。盡管該二極管在性能上相對優(yōu)秀，但在高負載情況下，仍可能產生一定的熱量。因此，在實際電路設計中，合理的散熱方案是必不可少的，確保二極管在額定范圍內安全運行。
HFA08TB60PBF的封裝形式通常為通孔式TO-220封裝，這一設計使得其在PCB布局上具有較大的靈活性。設計人員可以根據(jù)具體電路需求，將二極管與其他元件合理安排，以達到最佳的電路性能和空間利用效果。同時，封裝的散熱性能也為其高效運行提供了良好的基礎。
在選擇高效率二極管時，除了考慮產品本身的特性外，還需結合具體的應用環(huán)境。不同的工作條件如溫度、負載類型和頻率等都會對二極管的性能產生影響。因此，綜合分析各種因素，選擇最適合的二極管是電路設計成功的關鍵。
近年來，隨著各類新技術的出現(xiàn)，二極管行業(yè)也在不斷創(chuàng)新與發(fā)展。HFA08TB60PBF的成功應用不僅依賴于其自身的優(yōu)良性能，更是現(xiàn)代電子產品向高效能、低能耗方向發(fā)展的體現(xiàn)。在未來的發(fā)展中，高效率二極管無疑將在更多新興領域中找到廣泛的應用機會，推動電子技術的進步與發(fā)展。
HFA08TB60PBF
INFINEON （英飛凌）
IPG20N06S4L-14A
Infineon(英飛凌)
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
Infineon(英飛凌)
IRFS7530TRLPBF
Infineon(英飛凌)
IS61WV5128BLL-10TLI
ISSI(美國芯成)
LD7790GS
Leadtrend
LP5907QMFX-3.0Q1
TI(德州儀器)
LT1994IMS8#PBF
LINEAR(凌特)
M3406-ADJ
西安航天民芯
MABACT0059
L-com
MAX24025IMP+T
Maxim(美信)
MC9S08DZ128MLF
Freescale(飛思卡爾)
MCP1711T-33I/OT
Microchip(微芯)
MCP6546T-E/OT
Microchip(微芯)
MF-SM185/33-2
Bourns(伯恩斯)
MKE18F512VLH16
NXP(恩智浦)
MKL02Z16VFK4
Freescale(飛思卡爾)
MP1655GG-Z
MPS(美國芯源)
MUR3060WT
ON(安森美)
NVMFD5C650NLT1G
ON(安森美)
PMBS3906
Nexperia(安世)
PSS10S92E6-A
Mitsubishi Electric (三菱)
PW0268
RT8509GQW
RICHTEK(臺灣立锜)
S1223-01
Hamamatsu Photonics
SI5326A-C-GM
SILICON LABS(芯科)
SN74AHCT08PWR
TI(德州儀器)
SN74AXCH8T245PWR
TI(德州儀器)
STGW40V60DLF
ST(意法)
TAJE337M016RNJ
AVX(京瓷)
TLC59581RTQR
TI(德州儀器)
TPS2513ADBVR
TI(德州儀器)
TPS3825-33QDBVRQ1
TI(德州儀器)
TPS79133DBVR
TI(德州儀器)
VFC32KU
TI(德州儀器)
XB3303A
xysemi(賽芯微)
XC6VLX130T-2FFG784I
XILINX(賽靈思)
25AA1024T-I/MF
Microchip(微芯)
80HCPS1432CHMGI
IDT(Renesas收購)
AD1674BD
ADI(亞德諾)
ADS131M02IPWR
TI(德州儀器)
ADS7841E
Burr-Brown(TI)
AM29F160DB-75EI
AMD(超微)
AMC3302DWER
TI(德州儀器)
AT5160TP1U
GMT(致新)
ATMEGA8-16AI
Atmel(愛特梅爾)
BAV21WS
Opto Diode Corporation
CSD16406Q3
TI(德州儀器)
DM9161BEP
DAVICOM(聯(lián)杰國際)
ESP32-PICO-V3
ESPRESSIF 樂鑫
ETA4056E8A
ETA(鈺泰)
GD25Q40CEIGR
GD(兆易創(chuàng)新)
HFBR-24E2Z
Avago(安華高)
IR2121PBF
Infineon(英飛凌)
KSZ8041RNLI-TR
Microchip(微芯)
L6225PD
ST(意法)
LP2992AIM5-1.8
NS(國半)
MAX6337US16D3+T
Maxim(美信)
MC34PF3000A2EP
NXP(恩智浦)
MC68HC908GR4CFAE
Freescale(飛思卡爾)
MCP1700T-1202E/TT
Microchip(微芯)
P0584NL
Pulse(YAGEO)
PBHV9560ZX
NXP(恩智浦)
PIC16F726-I/SS
Microchip(微芯)
PIC16HV540-20I/SO
Microchip(微芯)
PS2805-4
Renesas(瑞薩)
R5F212BCSNFP
Renesas(瑞薩)
RD01MUS2-T113
Mitsubishi Electric (三菱)
RN2483A-I/RM105
Microchip(微芯)
RT6222DHGJ6F
RICHTEK(臺灣立锜)
S9S12G48BCLC
NXP(恩智浦)
SA636DK
NXP(恩智浦)
SI2305DS-T1-E3
Vishay(威世)
STPS30150CT
ST(意法)
STTH60W03CW
ST(意法)
SY8703ABC
SILERGY(矽力杰)
TPS3831G33DQNR
TI(德州儀器)
TPS71501QDCKRQ1
TI(德州儀器)
VS-36MT120
Vishay(威世)
XC6227C381MR-G
TOREX(特瑞仕)
24LC65T-I/SM
Microchip(微芯)
2920L050DR
Littelfuse(力特)
74HC164N
Philips(飛利浦)
ADP3338AKCZ-2.5
ADI(亞德諾)
ADS850Y/250
TI(德州儀器)
ADSP-21488KSWZ-4B
ADI(亞德諾)
ADSP-BF534BBCZ-5A
ADI(亞德諾)
ADUM140D0BRZ
ADI(亞德諾)
AGQ200S12Z
Panasonic(松下)
ALM2403QPWPRQ1
TI(德州儀器)
AT8833CT
杭州中科微
ATXMEGA64A3U-MH
Microchip(微芯)
BAR88-02V
Infineon(英飛凌)
BD9596BMWV-E2
Rohm(羅姆)
BSN20BKR
Nexperia(安世)
CJA1117B-3.3
CJ(江蘇長電/長晶)
DR74-330-R
Cooper
ETA3425S2F
ETA(鈺泰)
FM25Q16A-SO-T-G
FM(復旦微)
H5AN8G6NAFR-UHC
SK(海力士)
H5PS5162FFR-25C
SK(海力士)
HI3798MRBCV20100000
Hisilicon
HK32F030F4P6
Hk-hotline(合泰盟方)
IL712-3E
NVE Corp/Sensor Products
IS34ML01G081-TLI
ISSI(美國芯成)
IS43TR16512AL-125KBL
ISSI(美國芯成)
IXTP102N15T
IXYS(艾賽斯)
LM324APT
ST(意法)
