IRLR3410TRPBF的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
IRLR3410TRPBF
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
8006018526
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代碼
EAR99
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
0.54
Samacsys Description
HEXFET N-Ch MOSFET 17A 100V DPAK International Rectifier IRLR3410TRPBF N-channel MOSFET Transistor, 17 A, 100 V, 3-Pin DPAK
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
5.6
其他特性
AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等級(jí)（Eas）
150 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
100 V
最大漏極電流 (ID)
17 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
0.125 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss)
90 pF
JEDEC-95代碼
TO-252AA
JESD-30 代碼
R-PSSO-G2
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級(jí)
1
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
175 °C
最低工作溫度
-55 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
79 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
60 A
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
YES
端子面層
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
30
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
場(chǎng)效應(yīng)管的原理與應(yīng)用研究
場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種利用電場(chǎng)效果來(lái)調(diào)節(jié)電流的半導(dǎo)體器件。在現(xiàn)代電子技術(shù)中，場(chǎng)效應(yīng)管因其優(yōu)良的放大特性、輸入阻抗高和功耗低等優(yōu)點(diǎn)而廣泛應(yīng)用于各類電路中。本論文將深入探討場(chǎng)效應(yīng)管的基本工作原理、結(jié)構(gòu)類型以及在不同領(lǐng)域的應(yīng)用。
一、場(chǎng)效應(yīng)管的基本原理
場(chǎng)效應(yīng)管的基本工作原理基于電場(chǎng)對(duì)導(dǎo)電通道內(nèi)載流子的影響。FET的主要組成部分包括源極、漏極和柵極。源極和漏極之間形成一個(gè)導(dǎo)電通道，通常由N型或P型半導(dǎo)體材料制成。柵極則用于施加電壓，通過(guò)調(diào)整柵極電壓，來(lái)改變導(dǎo)電通道的導(dǎo)電能力，從而調(diào)節(jié)流經(jīng)漏極與源極之間的電流。
在N型場(chǎng)效應(yīng)管中，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，通道中的電子被吸引，導(dǎo)電能力增強(qiáng)；相反，施加負(fù)電壓則會(huì)導(dǎo)致電子被排斥，降低導(dǎo)電能力。對(duì)于P型場(chǎng)效應(yīng)管，情況正好相反，柵極施加負(fù)電壓時(shí)會(huì)增強(qiáng)通道中的空穴，使得電流增大，而施加正電壓則會(huì)使空穴數(shù)量減少，從而削弱電流。
這一電場(chǎng)效應(yīng)使得場(chǎng)效應(yīng)管表現(xiàn)出良好的控制特性，使其在信號(hào)放大和開(kāi)關(guān)電路中成為極為重要的元件。
二、場(chǎng)效應(yīng)管的類型
場(chǎng)效應(yīng)管主要分為三類：增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（Enhancement Mode FET）、耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管（Depletion Mode FET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。每種類型的場(chǎng)效應(yīng)管都有其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和工作特性。
1. 增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管：增強(qiáng)型FET在未施加?xùn)烹妷簳r(shí)并不導(dǎo)電。當(dāng)施加足夠的柵電壓后，通道才會(huì)形成，實(shí)現(xiàn)電流的導(dǎo)通。這種類型的FET通常用于邏輯電路和開(kāi)關(guān)電路中。
2. 耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管：耗盡型FET在無(wú)柵電壓時(shí)仍然能導(dǎo)電。施加適當(dāng)?shù)臇烹妷簳?huì)減少通道中的載流子濃度，使得電流減小或完全截止。此類型的場(chǎng)效應(yīng)管多用于模擬信號(hào)處理和線性放大。
3. MOSFET：絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）是一種在柵極與通道之間有絕緣層（通常為二氧化硅）的場(chǎng)效應(yīng)管。由于其高輸入阻抗和較低的功耗，MOSFET在數(shù)字電路和高頻應(yīng)用中非常常見(jiàn)。MOSFET又可分為N溝道和P溝道兩種類型。
三、場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用
場(chǎng)效應(yīng)管在電子工程中有著廣泛的應(yīng)用，其主要領(lǐng)域包括放大器、電源開(kāi)關(guān)回路、數(shù)字電路和射頻應(yīng)用等。
首先，在放大器電路中，場(chǎng)效應(yīng)管因其輸入阻抗高而能夠有效地放大微弱信號(hào)，廣泛用于音頻、視頻信號(hào)處理領(lǐng)域。例如，在音響系統(tǒng)中，場(chǎng)效應(yīng)管作為音頻放大器的重要組成部分，為聲音信號(hào)提供必要的增益。
其次，在開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域，MOSFET被廣泛應(yīng)用于高效的電源管理。由于其開(kāi)關(guān)損耗低，導(dǎo)通電阻小，MOSFET能夠在高頻開(kāi)關(guān)條件下實(shí)現(xiàn)高效的能源轉(zhuǎn)換。這使得其成為現(xiàn)代開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中的優(yōu)選元件。與傳統(tǒng)的線性電源相比，開(kāi)關(guān)電源在能源利用率和尺寸方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。
數(shù)字電路中，場(chǎng)效應(yīng)管作為基本的邏輯開(kāi)關(guān)構(gòu)成了絕大多數(shù)電子器件的核心。MOSFET的高速度和低功耗使得它們?cè)诩呻娐吩O(shè)計(jì)中成為不可或缺的元件。無(wú)論是微處理器、存儲(chǔ)器，還是其他數(shù)字電路，場(chǎng)效應(yīng)管均扮演著至關(guān)重要的角色。因此，隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，場(chǎng)效應(yīng)管的尺寸不斷縮小，其性能不斷提高，為更高效的數(shù)字信號(hào)處理提供了可能。
在射頻應(yīng)用中，場(chǎng)效應(yīng)管也顯示出其卓越的性能。尤其是在無(wú)線通信設(shè)備中，場(chǎng)效應(yīng)管因其高增益和頻率特性，常被用作射頻放大器。無(wú)論是在廣播、電視傳輸，還是蜂窩通信系統(tǒng)，場(chǎng)效應(yīng)管都起著不可或缺的作用。
此外，場(chǎng)效應(yīng)管還被廣泛應(yīng)用于傳感器網(wǎng)絡(luò)和電子測(cè)量?jī)x器中。例如，在溫度、濕度、光電等多種傳感器中，場(chǎng)效應(yīng)管能夠幫助提升信號(hào)檢測(cè)的靈敏度，使得傳感器能夠更準(zhǔn)確地捕捉到環(huán)境變化信息。
總的來(lái)說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)管由于其優(yōu)異的電學(xué)特性以及廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，已成為現(xiàn)代電子技術(shù)和信息科技發(fā)展的重要基礎(chǔ)。在未來(lái)的科技進(jìn)步中，研究人員和工程師將繼續(xù)探索場(chǎng)效應(yīng)管的新型應(yīng)用，并致力于推動(dòng)其性能的進(jìn)一步提升和應(yīng)用范圍的拓展。
IRLR3410TRPBF
IR(國(guó)際整流器)
NCV7351D10R2G
ON(安森美)
ATMEGA48-20AU
Atmel(愛(ài)特梅爾)
BTS7030-2EPA
TI(德州儀器)
OPA991IDBVR
TI(德州儀器)
XPT2046
中性
LPS22HHTR
ST(意法)
UBX-M8030-KT
U-BLOX(優(yōu)北羅)
74ALVC164245DGG
NXP(恩智浦)
FS32K148UAT0VMHT
NXP(恩智浦)
L78M12CDT-TR
ST(意法)
ADS1292RIRSMR
TI(德州儀器)
NCP45525IMNTWG-H
ON(安森美)
STM32G474CET6
ST(意法)
AD9739BBCZ
ADI(亞德諾)
LM317MDTRKG
ON(安森美)
IRF2807PBF
IR(國(guó)際整流器)
SIT1050T
SIT(芯力特)
TPD6S300ARUKR
TI(德州儀器)
ZXTN2010ZTA
Diodes(美臺(tái))
AD8226ARMZ
ADI(亞德諾)
M27C256B-12F1
ST(意法)
XC7S75-2FGGA484I
XILINX(賽靈思)
MMC5983MA
MEMSIC
AD8251ARMZ
ADI(亞德諾)
LTC6811HG-1#3ZZTRPBF
LINEAR(凌特)
MC78M05CDTG
ON(安森美)
K4B4G1646E-BMMA
SAMSUNG(三星)
STM32G473VET6
ST(意法)
10M50DAF484C8G
ALTERA(阿爾特拉)
74LVC14APW
Philips(飛利浦)
BCM5482SA2KFBG
Broadcom(博通)
PMEG4050EP
Nexperia(安世)
THVD1400DR
TI(德州儀器)
AD8220ARMZ
ADI(亞德諾)
AD629ARZ
ADI(亞德諾)
TQP7M9102
TriQuint (超群)
MPC8270CZQMIBA
Freescale(飛思卡爾)
MCF5235CVM150
Freescale(飛思卡爾)
XCZU6CG-2FFVC900I
XILINX(賽靈思)
STM32F401VET6
ST(意法)
STM8S105C6T6TR
ST(意法)
CY8C4245LQI-483
Cypress(賽普拉斯)
AD7476ARTZ
ADI(亞德諾)
THGBMJG8C2LBAIL
TOSHIBA(東芝)
TSUMV56RBUT-Z1
MSTAR(晨星)
ADR01BRZ
ADI(亞德諾)
ISO7762DBQ
TI(德州儀器)
REF02AU
TI(德州儀器)
LT1963AEST-3.3
LINEAR(凌特)
IPD50N10S3L-16
Infineon(英飛凌)
TPS5450DDA
TI(德州儀器)
MPC5121YVY400B
MOT(仁懋)
HMC704LP4E
ADI(亞德諾)
MK22FX512AVMD12
NXP(恩智浦)
AD8137YRZ
ADI(亞德諾)
ADC128S022CIMT
NS(國(guó)半)
ISO3082DW
Burr-Brown(TI)
MT28EW128ABA1LPC-0SIT
micron(鎂光)
ADL5501AKSZ
ADI(亞德諾)
RDA5876
RDA(銳迪科)
S9S12G128F0CLL
NXP(恩智浦)
EP1K30TC144-3
ALTERA(阿爾特拉)
LMV321M5
TI(德州儀器)
R7F7010343AFP
Renesas(瑞薩)
DS26C32ATM
TI(德州儀器)
AD8601ARTZ
ADI(亞德諾)
LM5008MM
NS(國(guó)半)
MPC8265ACVVMIBC
MSP430F149IPM
TI(德州儀器)
ADG608BRZ
ADI(亞德諾)
ATA6824C-MFHW
Atmel(愛(ài)特梅爾)
SAK-TC397XP-256F300SBD
TLV2381IDBV
TI(德州儀器)
TLV76050DBZR
TI(德州儀器)
ADUM1400CRWZ-RL
ADI(亞德諾)
ADUM5401ARWZ-RL
ADI(亞德諾)
25AA02E48T-I/OT
Microchip(微芯)
ADM483EARZ-REEL
ADI(亞德諾)
MSP430F5437AIPNR
TI(德州儀器)
SN65HVD232QDRQ1
TI(德州儀器)
MGA-62563-TR1G
ALLEGRO(美國(guó)埃戈羅)
SP0503BAHTG
Littelfuse(力特)
TMS320F28335PTPS
TI(德州儀器)
IRLML0040TRPBF
IR(國(guó)際整流器)
ULN2004ADR
TI(德州儀器)
EL357N(B)(TA)-G
Everlight(億光)
S29AL008J70TFI010
SPANSION(飛索)
TPS7B6933QDCYRQ1
TI(德州儀器)
MIC5205-3.3YM5-TR
Micrel(麥瑞)
PIC18F6722-I/PT
Microchip(微芯)
STM32F767NIH6
ST(意法)
AM4376BZDNA100
TI(德州儀器)
ADA4530-1ARZ-R7
ADI(亞德諾)
L6470HTR
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AT21CS01-STUM10-T
Microchip(微芯)
MBRB40250TG
ON(安森美)
TL5209DR
TI(德州儀器)
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FDS9435A
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HEF4066BT
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TI(德州儀器)
MAX9295AGTJ/V+T
Maxim(美信)
TPS2530DBVR
TI(德州儀器)
NB3L553MNR4G
ON(安森美)
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TI(德州儀器)
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IR(國(guó)際整流器)
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TI(德州儀器)
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Philips(飛利浦)
LPC2468FET208
NXP(恩智浦)
TPS7A6601QDGNRQ1
TI(德州儀器)
PIC18F25K80-I/SO
Microchip(微芯)
ATTINY45-20SU
Atmel(愛(ài)特梅爾)
10M08SCU169C8G
INTEL(英特爾)
PESD5V0S1BA
NXP(恩智浦)
