MAX4521ESE的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
是否無(wú)鉛
含鉛
是否Rohs認(rèn)證
不符合
生命周期
Obsolete
Objectid
1474349994
零件包裝代碼
SOIC
包裝說(shuō)明
SOP, SOP16,.25
針數(shù)
16
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
8.57
YTEOL
0
其他特性
ALSO OPERATE WITH 2V TO 12V SINGLE SUPPLY
模擬集成電路 - 其他類型
SPST
JESD-30 代碼
R-PDSO-G16
JESD-609代碼
e0
長(zhǎng)度
9.9 mm
濕度敏感等級(jí)
1
負(fù)電源電壓最大值（Vsup）
-6 V
負(fù)電源電壓最小值（Vsup）
-2 V
標(biāo)稱負(fù)供電電壓 (Vsup)
-5 V
正常位置
NC
信道數(shù)量
1
功能數(shù)量
4
端子數(shù)量
16
標(biāo)稱斷態(tài)隔離度
90 dB
通態(tài)電阻匹配規(guī)范
1 Ω
最大通態(tài)電阻 (Ron)
100 Ω
最高工作溫度
85 °C
最低工作溫度
-40 °C
輸出
SEPARATE OUTPUT
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
SOP
封裝等效代碼
SOP16,.25
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
座面最大高度
1.75 mm
最大供電電壓 (Vsup)
6 V
最小供電電壓 (Vsup)
2 V
標(biāo)稱供電電壓 (Vsup)
5 V
表面貼裝
YES
最長(zhǎng)斷開(kāi)時(shí)間
30 ns
最長(zhǎng)接通時(shí)間
80 ns
切換
BREAK-BEFORE-MAKE
技術(shù)
CMOS
溫度等級(jí)
INDUSTRIAL
端子面層
TIN LEAD
端子形式
GULL WING
端子節(jié)距
1.27 mm
端子位置
DUAL
寬度
3.9 mm
MAX4521ESE模擬開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)與應(yīng)用
引言
在現(xiàn)代電子設(shè)備中，模擬開(kāi)關(guān)的出現(xiàn)使得信號(hào)的選擇與切換變得更加高效和靈活。MAX4521ESE是一款高性能的雙通道模擬開(kāi)關(guān)，其設(shè)計(jì)不僅滿足了許多應(yīng)用的需求，還在多個(gè)領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。該器件在性能、功耗、集成度等多個(gè)方面表現(xiàn)出色，適用于多種信號(hào)處理和路由的場(chǎng)合。
1. 模擬開(kāi)關(guān)的基本概念
模擬開(kāi)關(guān)是一種可以控制信號(hào)通路的元件，其工作原理是通過(guò)開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉狀態(tài)來(lái)選擇切換信號(hào)源。模擬開(kāi)關(guān)可以取代傳統(tǒng)機(jī)械開(kāi)關(guān)，提供更高的速度和可靠性。隨著電子技術(shù)的發(fā)展，越來(lái)越多的應(yīng)用開(kāi)始采用集成的模擬開(kāi)關(guān)，以減小電路板面積，提高系統(tǒng)集成度。
2. MAX4521ESE主要特點(diǎn)
MAX4521ESE是一款雙通道、低電壓工作、低功耗的模擬開(kāi)關(guān)，具有以下幾個(gè)顯著特點(diǎn)：
- 低電壓操作：該開(kāi)關(guān)支持2.7V至12V的電源電壓，適合各種低電壓應(yīng)用，尤其是在便攜式設(shè)備中。 - 低功耗：在靜態(tài)模式下，MAX4521ESE的功耗極低，非常適合需要長(zhǎng)時(shí)間待機(jī)的電池供電設(shè)備。 - 高開(kāi)關(guān)速度：其開(kāi)關(guān)速度快，能夠有效處理高頻信號(hào)，適用于頻率范圍廣泛的信號(hào)切換。 - 高線性度：該模擬開(kāi)關(guān)具有優(yōu)良的線性特性，可以在信號(hào)傳輸過(guò)程中，保持信號(hào)的清晰度和完整性。
3. MAX4521ESE的結(jié)構(gòu)與工作原理
MAX4521ESE的內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用了先進(jìn)的CMOS技術(shù)，利用MOSFET作為核心開(kāi)關(guān)元件。其開(kāi)關(guān)控制端可通過(guò)輸入信號(hào)的電平狀態(tài)來(lái)控制兩個(gè)模擬通道的開(kāi)關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷。具體而言，當(dāng)控制端（通常標(biāo)記為A或B）為高電平時(shí)，相應(yīng)的通道導(dǎo)通，信號(hào)得以傳遞；當(dāng)控制端為低電平時(shí)，通道關(guān)閉，信號(hào)被切斷。這種簡(jiǎn)單而高效的控制方式使得MAX4521ESE在實(shí)時(shí)切換上的表現(xiàn)非常優(yōu)異。
4. 應(yīng)用領(lǐng)域
MAX4521ESE被廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，包括但不限于消費(fèi)電子、通信、醫(yī)療儀器和自動(dòng)化控制系統(tǒng)等。以下是一些具體的應(yīng)用例子：
- 音頻設(shè)備：在專業(yè)音頻設(shè)備中，MAX4521ESE可用于選擇不同的音頻信號(hào)源，例如不同的麥克風(fēng)或樂(lè)器輸入，從而提升音頻線路的靈活性與可管理性。 - 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)：在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，需對(duì)多個(gè)傳感器信號(hào)進(jìn)行切換，將不同的信號(hào)路由到數(shù)據(jù)采集模塊。MAX4521ESE可以實(shí)現(xiàn)快速切換，提高數(shù)據(jù)采集的效率。 - 醫(yī)療儀器：在醫(yī)療設(shè)備中，使用模擬開(kāi)關(guān)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)不同傳感器數(shù)據(jù)的處理，例如不同的生物傳感器信號(hào)，確保數(shù)據(jù)穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。 - 無(wú)線通信：在RF（射頻）信號(hào)處理中，MAX4521ESE能夠有效控制信號(hào)路徑，支持高帶寬的數(shù)據(jù)傳輸要求。
5. 設(shè)計(jì)布局與注意事項(xiàng)
在實(shí)際應(yīng)用中，設(shè)計(jì)人員需要考慮MAX4521ESE的布局與接入方式，以最大限度地發(fā)揮其性能。以下是一些設(shè)計(jì)時(shí)需要注意的事項(xiàng)：
- 引腳配置：確保引腳連接正確，以避免短路或信號(hào)干擾。特別是在多通道信號(hào)處理時(shí)，靈活調(diào)配各個(gè)通道至關(guān)重要。 - 電源管理：設(shè)計(jì)時(shí)需要加大對(duì)電源的管理，使用合適的電容器來(lái)穩(wěn)定電源電壓，以減少電源噪聲對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響。 - 信號(hào)完整性：為保持信號(hào)的完整性，應(yīng)盡量縮短信號(hào)路徑，避免在信號(hào)傳輸過(guò)程中產(chǎn)生過(guò)多的干擾和衰減。 - 散熱管理：雖然MAX4521ESE功耗較低，但在高頻工作的情況下仍有一定的發(fā)熱，合理的散熱設(shè)計(jì)能夠保證系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
隨著科技的不斷進(jìn)步，模擬開(kāi)關(guān)的技術(shù)也在不斷演化。未來(lái)可能會(huì)出現(xiàn)更多集成度更高、功能更全的新型模擬開(kāi)關(guān)器件，進(jìn)一步提升其應(yīng)用范圍與性能。同時(shí)，針對(duì)低功耗、高效能的需求，制造商可能會(huì)更加注重器件的能效比，開(kāi)發(fā)出在不同工作環(huán)境中均能保持高效能的模擬開(kāi)關(guān)產(chǎn)品。
新材料的應(yīng)用也可能為模擬開(kāi)關(guān)的發(fā)展帶來(lái)新的機(jī)遇，譬如碳納米管等新型導(dǎo)體材料，有望在未來(lái)的模擬開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)中提升特性。
在不同領(lǐng)域的需求推動(dòng)下，諸如智能家居、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等新興領(lǐng)域也將為模擬開(kāi)關(guān)提供更廣闊的市場(chǎng)空間。MAX4521ESE作為一款優(yōu)秀的模擬開(kāi)關(guān)，必將在這些領(lǐng)域中發(fā)揮更大的作用，有力支持新技術(shù)的進(jìn)步和應(yīng)用的發(fā)展。
MAX4544EUT+T
Maxim(美信)
HMC213BMS8ETR
ADI(亞德諾)
IPP075N15N3G
Infineon(英飛凌)
STM8S001J3M3TR
ST(意法)
NCP51200MNTXG
ON(安森美)
EPM570F256C5N
ALTERA(阿爾特拉)
SN74HC02DR
TI(德州儀器)
DA14531-00000FX2
Renesas(瑞薩)
J0011D21BNL
Pulse(YAGEO)
NTR4503NT1G
ON(安森美)
ADG439FBRZ
ADI(亞德諾)
EL3H7(C)(TA)-G
Everlight(億光)
STM32L011F4U6TR
ST(意法)
IPW60R045CP
Infineon(英飛凌)
PGA-105+
Mini-Circuits
XC6SLX150T-3FGG484I
XILINX(賽靈思)
MGSF1N02LT1G
ON(安森美)
AD633ARZ-R7
ADI(亞德諾)
HMC326MS8GETR
Hittite Microwave
XC3S200AN-4FTG256C
XILINX(賽靈思)
MC7805BDTG
ON(安森美)
PE42520MLBA-Z
Peregrine Semiconductor
STM32F429IET6
ST(意法)
DSK-3R3H224U-HL
Elna America, Inc.
MIC5205-5.0YM5-TR
Micrel(麥瑞)
STM32L152VET6
ST(意法)
ISO7720DR
TI(德州儀器)
AIS328DQTR
ST(意法)
PSS25SA2FT
Mitsubishi Electric (三菱)
XC95288XL-10PQG208C
XILINX(賽靈思)
IPW60R037P7
Infineon(英飛凌)
PN7150B0HN/C11002Y
NXP(恩智浦)
BH1750FVI-TR
Rohm(羅姆)
GD32F107RCT6
GD(兆易創(chuàng)新)
MK24FN1M0VLL12R
NXP(恩智浦)
TL064IDR
TI(德州儀器)
XC7A50T-2CSG325I
XILINX(賽靈思)
BCP69T1G
ON(安森美)
NVR5198NLT1G
ON(安森美)
TPS70345PWP
TI(德州儀器)
FDD8447L
ON(安森美)
ADS8699IPWR
TI(德州儀器)
LM358BAIDR
TI(德州儀器)
M24C32-RMN6TP
ST(意法)
PEX8714-AB80BIG
PLX
USB2514BT-I/M2
smsc
D45VH10G
ON(安森美)
IPB60R180P7
Infineon(英飛凌)
LM139ADR
TI(德州儀器)
CC6-2412DF-E
TDK(東電化)
IRFP360PBF
IR(國(guó)際整流器)
TMP103AYFFR
TI(德州儀器)
XC3S1400A-4FTG256C
XILINX(賽靈思)
STM32F334R8T6
ST(意法)
NVMFS3D0P04M8LT1G
ON(安森美)
ATMEGA328P-AUR
Atmel(愛(ài)特梅爾)
MLX90360LDC-ACD-000-RE
Melexis(邁來(lái)芯)
VNP20N07-E
ST(意法)
LM2903YPT
ON(安森美)
S29GL128P10TFI010
SPANSION(飛索)
TJM4558CDT
ST(意法)
ATXMEGA64A3-AU
Microchip(微芯)
CD4052BE
TI(德州儀器)
25LC256-E/SN
Microchip(微芯)
MC34063AD
ON(安森美)
ULN2003APG
TI(德州儀器)
AD5160BRJZ100-RL7
ADI(亞德諾)
CM108B
C-Media
CW2015CSAD
CellWise
STM32L052C8T6
ST(意法)
AD8345AREZ
ADI(亞德諾)
IS25LP032D-JBLE-TR
ISSI(美國(guó)芯成)
MC33879APEK
NXP(恩智浦)
NCV33161DR2G
ON(安森美)
ADS1259IPWR
TI(德州儀器)
BQ25798RQMR
TI(德州儀器)
CY7C1041DV33-10ZSXI
Cypress(賽普拉斯)
NCV70517MW002R2G
ON(安森美)
5M570ZT144I5N
INTEL(英特爾)
MCP6041T-I/OT
MIC(昌福)
SN65HVD233D
TI(德州儀器)
MJD45H11-1G
ON(安森美)
FQD30N06TM
ON(安森美)
BFG425W
Philips(飛利浦)
NCP1117DT33G
ON(安森美)
NCV0372BDWR2G
ON(安森美)
FDB38N30U
ON(安森美)
NCP1653ADR2G
ON(安森美)
SDINBDG4-16G
Sandisk
DSPIC33EP512GM710-I/PT
Microchip(微芯)
GD25Q32ESIGR
GD(兆易創(chuàng)新)
IKW30N60T
Infineon(英飛凌)
LS1021AXE7KQB
NXP(恩智浦)
MC79M12BDTRKG
ON(安森美)
BTS7120-2EPA
Infineon(英飛凌)
TLE9252VSK
Infineon(英飛凌)
TLV431BQDBZR
TI(德州儀器)
ADUM1301BRWZ
ADI(亞德諾)
BCM43217TKMLG
Broadcom(博通)
CY91F467BAPMC-GS-UJE2
Cypress(賽普拉斯)
NCV7424DB0R2G
ON(安森美)
SG2525AN
ST(意法)
ACPL-C87H-500E
Avago(安華高)
CY90F352SPMC-GS-SPE1
Cypress(賽普拉斯)
PMBT4401
Nexperia(安世)
XC5VSX95T-2FFG1136I
XILINX(賽靈思)
ADM705ARZ
ADI(亞德諾)
BTA16-600B
ST(意法)
FDA24N50F
Fairchild(飛兆/仙童)
STM32F101VBT6
ST(意法)
TPIC8101DWR
TI(德州儀器)
AD7779ACPZ
ADI(亞德諾)
ADG1606BRUZ
ADI(亞德諾)
APN337S3959
Infineon(英飛凌)
ADXL213AE
ADI(亞德諾)
NCP1397BDR2G
ON(安森美)
AD8028ARZ
ADI(亞德諾)
INA326EA
TI(德州儀器)
MC79L05ACDR
ON(安森美)
PCA9517DGKR
TI(德州儀器)
FAN73611MX
ON(安森美)
HMC773ALC3B
ADI(亞德諾)
TC62D748CFNAG
TOSHIBA(東芝)
TEA2016AAT/1
NXP(恩智浦)
TPS23881RTQR
TI(德州儀器)
BCM88675CB0KFSBG
Broadcom(博通)
ADA4940-1ACPZ
ADI(亞德諾)
HF81GS-Z
MPS(美國(guó)芯源)
MLX81315KLQ-AMA-001
Melexis(邁來(lái)芯)
NUC972DF61Y
Nuvoton(新唐)
OP295GSZ
ADI(亞德諾)
