FQD2N100TM的詳細參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
FQD2N100TM
Brand Name
onsemi
是否無鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
4001117586
零件包裝代碼
DPAK-3 / TO-252-3
包裝說明
DPAK-3
制造商包裝代碼
369AS
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
風險等級
0.7
Samacsys Description
MOSFET 1000V N-Channel QFET
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
6.52
雪崩能效等級（Eas）
160 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
1000 V
最大漏極電流 (ID)
1.6 A
最大漏源導通電阻
9 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-252
JESD-30 代碼
R-PSSO-G2
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
最低工作溫度
-55 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
50 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
6.4 A
認證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
YES
端子面層
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
FQD2N100TM 場效應(yīng)管及其應(yīng)用研究
引言
FQD2N100TM是一種高性能的N溝道場效應(yīng)晶體管（FET），具有較高的電流承載能力和較低的導通電阻。在現(xiàn)代電子設(shè)備中，場效應(yīng)管因其高效能、低功耗和良好的開關(guān)特性而被廣泛應(yīng)用。本文將對FQD2N100TM的參數(shù)、特性及其在各類電路中的應(yīng)用進行深入探討。
FQD2N100TM的基本參數(shù)
FQD2N100TM的關(guān)鍵參數(shù)主要包括其最大耗散功率、門極閾值電壓、漏極-源極電壓和額定電流等。根據(jù)其數(shù)據(jù)手冊，該器件的最大漏極-源極電壓為100V，最大額定電流可達到30A，導通電阻（RDS(on)）相比于同類產(chǎn)品具有較好的表現(xiàn)，通常在低于0.1Ω的范圍內(nèi)。這些特性使得FQD2N100TM特別適合用于高壓和高功率的應(yīng)用場合。
工作原理
場效應(yīng)管的工作原理基于電場效應(yīng)原理，其通過電場的變化來控制溝道的導通狀態(tài)。FQD2N100TM作為N溝道FET，其在柵極施加正電壓時，溝道中的電子濃度增加，從而使得漏極與源極之間形成良好的導通通路。相反，若柵極電壓低于閾值電壓，溝道將不再導通，器件會進入關(guān)斷狀態(tài)。這一特性使得FQD2N100TM在數(shù)字電路及模擬電路中廣泛應(yīng)用，特別是在開關(guān)電源及驅(qū)動電路中。
特性分析
FQD2N100TM具有優(yōu)越的熱穩(wěn)定性和電氣特性。在高頻開關(guān)應(yīng)用中，其快速的電氣特性能夠有效減少開關(guān)損耗，提升電路的整體效率。例如，在一些高頻開關(guān)電源中，FQD2N100TM能夠以較小的開關(guān)損耗轉(zhuǎn)換大功率電源，實現(xiàn)高效的電能傳輸。此外，其低導通電阻特性使得在電流高峰期間可以減小熱損耗，延長器件的使用壽命。
FQD2N100TM的頻率特性同樣值得關(guān)注。在高頻應(yīng)用中，場效應(yīng)管的開關(guān)速度以及其在切換過程中的延遲對于電路性能有著至關(guān)重要的影響。根據(jù)測試數(shù)據(jù)表明，FQD2N100TM在高頻條件下表現(xiàn)出色，完全能滿足大多數(shù)高頻電源設(shè)計的需求。
應(yīng)用領(lǐng)域
FQD2N100TM的廣泛應(yīng)用涉及多個領(lǐng)域，特別是在電源管理與控制電路中。例如，開關(guān)電源（SMPS）廣泛應(yīng)用于消費電子、計算機、通信設(shè)備等領(lǐng)域。FQD2N100TM的高頻特性和高效能使得開關(guān)電源在轉(zhuǎn)換效率上得以提升，進一步減小了系統(tǒng)的體積和重量。
除了開關(guān)電源外，FQD2N100TM還被應(yīng)用于電機驅(qū)動和控制系統(tǒng)中。在電動汽車和工業(yè)自動化中，電機驅(qū)動電路需要具備高效的能量轉(zhuǎn)換與控制能力，FQD2N100TM憑借其優(yōu)越的電氣特性，成為這些應(yīng)用中的理想選擇。
此外，FQD2N100TM也在其他領(lǐng)域，如LED驅(qū)動、無線充電、逆變器等，展現(xiàn)出獨特的優(yōu)勢。在LED驅(qū)動電路中，其能夠有效控制LED的亮度，同時降低功耗。在無線充電模塊中，FQD2N100TM良好的開關(guān)特性能夠確保高效的能量傳輸，從而提升無線充電的效率。
可靠性與熱管理
在實際應(yīng)用中，FQD2N100TM的可靠性是產(chǎn)品設(shè)計的重要考量因素。由于工作時的發(fā)熱，良好的熱管理設(shè)計必不可少。在電路設(shè)計時，應(yīng)合理選擇散熱器，以便及時將器件在工作時產(chǎn)生的熱量散逸出去。此外，適當?shù)尿?qū)動電路設(shè)計能夠優(yōu)化FQD2N100TM的工作狀態(tài)，降低不必要的功耗。
在高溫環(huán)境下，FQD2N100TM的性能也需要評估。高溫會導致器件的導通電阻增大，從而影響電路的效率。因此，設(shè)計時需要考慮環(huán)境溫度對器件性能的影響，采取必要的冷卻措施，以保證其在各種工況下的可靠運行。
未來發(fā)展方向
未來，隨著電子產(chǎn)品向著更高的效率與更小的體積發(fā)展，FQD2N100TM等高性能場效應(yīng)管的需求將不斷增加。同時，隨著新材料的研發(fā)，FQD2N100TM的后續(xù)產(chǎn)品有望在性能上進一步提升，例如，低于0.05Ω的導通電阻、更寬的頻率范圍以及更高的耐壓能力。
隨著技術(shù)的不斷進步，FQD2N100TM在新能源、智能家電、工業(yè)自動化等新興領(lǐng)域的應(yīng)用也將愈加廣泛，推動整個電子行業(yè)向更高效、更智能化的方向發(fā)展。通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用探索，FQD2N100TM的一系列特性將助力電子電路設(shè)計的不斷演進與優(yōu)化。
FQD2N100TM
ON(安森美)
ATMEGA88-20AU
Microchip(微芯)
DRV8801PWPR
TI(德州儀器)
MC9S12A256CPVE
Freescale(飛思卡爾)
ATMEGA168-20AU
Atmel(愛特梅爾)
MAX3232ECPWR
TI(德州儀器)
MBRA210LT3G
ON(安森美)
MP4462DN-LF-Z
MPS(美國芯源)
MS561101BA03-50
TE(泰科)
TCMT4100
Vishay(威世)
NTR4502PT1G
TI(德州儀器)
SIM800L
SIMCOM(芯訊通無線)
NE5532P
Philips(飛利浦)
EP3C40Q240C8N
ALTERA(阿爾特拉)
DCR010503U
TI(德州儀器)
SPC560P34L1CEFAR
ST(意法)
25LC512T-I/SN
Microchip(微芯)
ADSP-21479BBCZ-2A
ADI(亞德諾)
MC9S12XEP100CAG
Freescale(飛思卡爾)
AD202JY
ADI(亞德諾)
GD32F407RET6
GD(兆易創(chuàng)新)
LM2902PWR
TI(德州儀器)
AT89C51CC01CA-SLSUM
Atmel(愛特梅爾)
OPA2335AIDR
TI(德州儀器)
LM337BTG
ON(安森美)
S9S12ZVL32F0MLF
NXP(恩智浦)
NCP1031MNTXG
ON(安森美)
UAF42AU
TI(德州儀器)
BD71847AMWV-E2
Rohm(羅姆)
TPS3705-33DR
TI(德州儀器)
S9S12ZVL32F0MLCR
NXP(恩智浦)
LV8728MR-AH
ON(安森美)
ATTINY25V-10SU
Atmel(愛特梅爾)
TEA2016AAT/1J
NXP(恩智浦)
AD7606BSTZ-4
ADI(亞德諾)
FF150R12RT4
Infineon(英飛凌)
TEF6638HW/V106ZK
NXP(恩智浦)
AD826ARZ
ADI(亞德諾)
FAN3227TMX
Fairchild(飛兆/仙童)
MCF54415CMJ250
Freescale(飛思卡爾)
ADN2816ACPZ
ADI(亞德諾)
PIC16F1509-I/SS
Microchip(微芯)
AD8421BRZ
ADI(亞德諾)
L9369
ST(意法)
TJA1050
NXP(恩智浦)
DHRB34C102M2FB
China(國產(chǎn))
MURS480ET3G
ON(安森美)
AD9715BCPZ
ADI(亞德諾)
SN65HVD232D
TI(德州儀器)
MAX232AESE
Maxim(美信)
SP232EEN
SIPEX(西伯斯)
P9261-3CNLG28
IDT(Renesas收購)
STM32F302VDT6
ST(意法)
MIC2185YQS
Microchip(微芯)
AR0132AT6C00XPEA0-DPBR
ON(安森美)
SBRB20200CTT4G
ON(安森美)
STM32F207IFT6
ST(意法)
KSZ8041NLI
Micrel(麥瑞)
SA5212AD
Philips(飛利浦)
PIC16C73B-04I/SP
MIC(昌福)
TLP5701
TOSHIBA(東芝)
AD8313ARMZ
ADI(亞德諾)
C8051F340
SILICON LABS(芯科)
CY62147EV30LL-45BVXI
Cypress(賽普拉斯)
TFP401AIPZPRQ1
TI(德州儀器)
TL062IDR
TI(德州儀器)
INA132UA/2K5
TI(德州儀器)
LT1013DIDR
TI(德州儀器)
AD8310ARMZ-REEL7
ADI(亞德諾)
PCF8574ADWR
TI(德州儀器)
PIC18F87K22-I/PT
MIC(昌福)
XC6SLX45-3CSG324I
XILINX(賽靈思)
STEF01FTR
ST(意法)
TPS76318DBVR
TI(德州儀器)
SI7463ADP-T1-GE3
Vishay(威世)
TPS62135RGXR
TI(德州儀器)
SN74HC595PWR
TI(德州儀器)
MCP1703T-3302E/CB
Microchip(微芯)
AT25128B-SSHL-T
Atmel(愛特梅爾)
TPS79301DBVR
TI(德州儀器)
TLE42754D
Infineon(英飛凌)
STTH1R06A
ST(意法)
A1324LUA-T
ALLEGRO(美國埃戈羅)
STM32L072CBT6
ST(意法)
FDS6675BZ
Fairchild(飛兆/仙童)
IR2136STRPBF
Infineon(英飛凌)
TPS51216RUKR
TI(德州儀器)
KSZ8873RLLI
Microchip(微芯)
74HC373D
Nexperia(安世)
STW48N60M2
ST(意法)
MC56F8257VLH
NXP(恩智浦)
S29GL064N90TFI040
Cypress(賽普拉斯)
PIC12F615-I/SN
MIC(昌福)
MCF5206EAB54
Freescale(飛思卡爾)
DRV135UA
Burr-Brown(TI)
MAX3243CDBR
TI(德州儀器)
XCKU115-2FLVA1517I
XILINX(賽靈思)
MCIMX6U7CVM08AC
Freescale(飛思卡爾)
REF3312AIDCKR
TI(德州儀器)
BQ25890RTWR
TI(德州儀器)
LM2596SX-3.3
TI(德州儀器)
CY7C9689A-AXC
Cypress(賽普拉斯)
HMC1060LP3E
ADI(亞德諾)
STM32F091CCT6
ST(意法)
