MM9Z1J638BM2EP的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱(chēng)
參數(shù)值
Source Content uid
MM9Z1J638BM2EP
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
4000169312
包裝說(shuō)明
QFN-48
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
Factory Lead Time
16 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
7.44
Samacsys Description
NXP - MM9Z1J638BM2EP - BATT SUPERVISOR & MONITOR, HVQFN-48
Samacsys Manufacturer
NXP
Samacsys Modified On
2023-06-22 02:40:14
YTEOL
5
其他特性
IT ALSO OPERATES AT 3.8 TO 28 VOLT
可調(diào)閾值
YES
模擬集成電路 - 其他類(lèi)型
POWER SUPPLY MANAGEMENT CIRCUIT
JESD-30 代碼
S-XQCC-N48
JESD-609代碼
e3
長(zhǎng)度
7 mm
濕度敏感等級(jí)
3
信道數(shù)量
1
功能數(shù)量
1
端子數(shù)量
48
最高工作溫度
125 °C
最低工作溫度
-40 °C
封裝主體材料
UNSPECIFIED
封裝代碼
HVQCCN
封裝等效代碼
LCC48,.27SQ,20
封裝形狀
SQUARE
封裝形式
CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
篩選級(jí)別
AEC-Q100
座面最大高度
0.9 mm
最大供電電流 (Isup)
40 mA
最大供電電壓 (Vsup)
1.98 V
最小供電電壓 (Vsup)
1.72 V
標(biāo)稱(chēng)供電電壓 (Vsup)
1.8 V
表面貼裝
YES
溫度等級(jí)
AUTOMOTIVE
端子面層
Tin (Sn)
端子形式
NO LEAD
端子節(jié)距
0.5 mm
端子位置
QUAD
閾值電壓標(biāo)稱(chēng)
+28V
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
40
寬度
7 mm
MM9Z1J638BM2EP電池管理芯片的特點(diǎn)與應(yīng)用
在現(xiàn)代電子設(shè)備中，電池管理系統(tǒng)（BMS）扮演著至關(guān)重要的角色，保證電池的安全性、效率及壽命。MM9Z1J638BM2EP是一款先進(jìn)的電池管理芯片，因其卓越的性能和功能，被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)車(chē)、可穿戴設(shè)備及其他對(duì)電源管理要求較高的應(yīng)用場(chǎng)合。本文將詳細(xì)探討MM9Z1J638BM2EP電池管理芯片的設(shè)計(jì)理念、核心功能、技術(shù)特點(diǎn)及其在實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。
一、設(shè)計(jì)理念
MM9Z1J638BM2EP電池管理芯片的設(shè)計(jì)宗旨是實(shí)現(xiàn)高效的電池管理，保證電池在充放電過(guò)程中維持最佳的安全性與性能。芯片的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)充分考慮到電池系統(tǒng)的復(fù)雜性與多樣性，其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不僅兼顧了設(shè)備的集成度和功能的多樣化，同時(shí)也強(qiáng)調(diào)了易用性和靈活性。這種設(shè)計(jì)理念促使芯片能夠與各種類(lèi)型的電池系統(tǒng)相匹配，無(wú)論是鎳氫電池、鋰離子電池，還是其他新型電池技術(shù)均能適用。
二、核心功能
MM9Z1J638BM2EP電池管理芯片具備多項(xiàng)核心功能，包括但不限于電池狀態(tài)監(jiān)測(cè)、電池保護(hù)、充放電控制及熱管理等。
1. 電池狀態(tài)監(jiān)測(cè)：該芯片內(nèi)置高精度的電壓檢測(cè)電路和溫度傳感器，可以實(shí)時(shí)監(jiān)控電池的電壓和溫度狀態(tài)。通過(guò)對(duì)電池運(yùn)行狀態(tài)的監(jiān)測(cè)，能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)異常并采取相應(yīng)的保護(hù)措施。
2. 電池保護(hù)：MM9Z1J638BM2EP提供過(guò)充、過(guò)放和短路等多重保護(hù)機(jī)制。在充電過(guò)程中，芯片可以通過(guò)電壓監(jiān)測(cè)防止電池過(guò)充，而在放電過(guò)程中，能夠監(jiān)測(cè)到電池電壓低于安全閾值時(shí)立即切斷放電，以防止電池?fù)p壞。
3. 充放電控制：該芯片可與外部充電器或電源管理系統(tǒng)進(jìn)行通信，以實(shí)現(xiàn)高效的充電和放電管理。用戶(hù)可根據(jù)不同的電池類(lèi)型和應(yīng)用需求，通過(guò)軟件配置充電策略，優(yōu)化充電時(shí)間以及提升電池的循環(huán)壽命。
4. 熱管理：電池在充放電過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生熱量，MM9Z1J638BM2EP芯片內(nèi)置的溫度監(jiān)控功能可以有效管理電池溫度，保證其在安全溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。通過(guò)智能算法，芯片能夠自動(dòng)調(diào)節(jié)充電速率或切斷充電，以防止過(guò)熱現(xiàn)象的發(fā)生。
三、技術(shù)特點(diǎn)
MM9Z1J638BM2EP電池管理芯片擁有幾項(xiàng)獨(dú)特的技術(shù)特點(diǎn)，使其在市場(chǎng)上獨(dú)樹(shù)一幟。
1. 高集成度：該芯片將多種電池管理功能集成在單一芯片中，減少了外部組件的數(shù)量，降低了系統(tǒng)的復(fù)雜性。這種高集成度還可以有效節(jié)省PCB空間，使其更容易適應(yīng)小型電子設(shè)備的設(shè)計(jì)需求。
2. 靈活的通信接口：MM9Z1J638BM2EP支持多種通信協(xié)議，包括I2C和SPI等，便于與主控芯片或其他外部設(shè)備的無(wú)縫對(duì)接。這種靈活性使其在不同的應(yīng)用環(huán)境中能夠快速集成，滿(mǎn)足多樣化的設(shè)計(jì)需求。
3. 自適應(yīng)算法：該芯片采用先進(jìn)的自適應(yīng)算法，可以根據(jù)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)的數(shù)據(jù)自動(dòng)調(diào)節(jié)電池管理策略。這不僅提高了電池的使用效率，也延長(zhǎng)了電池的整體使用壽命。
4. 環(huán)保設(shè)計(jì)：隨著綠色科技的不斷進(jìn)步，設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在MM9Z1J638BM2EP的設(shè)計(jì)中也充分考慮了環(huán)保因素。該芯片在工作過(guò)程中能量損耗低，符合現(xiàn)代可持續(xù)發(fā)展的要求。
四、應(yīng)用領(lǐng)域
MM9Z1J638BM2EP電池管理芯片的應(yīng)用范圍廣泛，涵蓋了多個(gè)領(lǐng)域。
1. 電動(dòng)車(chē)：在電動(dòng)汽車(chē)的電池管理系統(tǒng)中，該芯片可以實(shí)時(shí)監(jiān)控電池狀態(tài)，確保安全充電和放電，為電動(dòng)汽車(chē)的穩(wěn)定性和續(xù)航能力提供保障。
2. 可穿戴設(shè)備：在智能手表、健身追蹤器等可穿戴設(shè)備中，MM9Z1J638BM2EP能夠有效管理小型電池，保障設(shè)備的正常運(yùn)行及用戶(hù)的使用體驗(yàn)。
3. 智能家居：許多智能家居設(shè)備依賴(lài)于電池供電，該芯片可以幫助這些設(shè)備進(jìn)行有效的電源管理，確保其長(zhǎng)期穩(wěn)定工作。
4. 無(wú)人機(jī)：無(wú)人機(jī)的續(xù)航能力與電池管理系統(tǒng)息息相關(guān)，MM9Z1J638BM2EP能夠提供精準(zhǔn)的電池監(jiān)測(cè)和管理，提高無(wú)人機(jī)的飛行時(shí)間及安全性。
五、市場(chǎng)前景
隨著科技的不斷發(fā)展，電池管理系統(tǒng)在各個(gè)領(lǐng)域的重要性愈加凸顯。MM9Z1J638BM2EP電池管理芯片由于其出色的性能和廣泛的應(yīng)用前景，必將在未來(lái)市場(chǎng)中占據(jù)一席之地。尤其是在電動(dòng)車(chē)及可再生能源儲(chǔ)存系統(tǒng)等快速發(fā)展的領(lǐng)域，該芯片具備極大的市場(chǎng)潛力與應(yīng)用價(jià)值。
在未來(lái)的發(fā)展中，MM9Z1J638BM2EP有望通過(guò)持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新與優(yōu)化，進(jìn)一步提升電池管理的智能化水平，使得電池系統(tǒng)的運(yùn)行更加高效與安全。隨著智能設(shè)備和電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，該芯片的應(yīng)用將推動(dòng)整個(gè)電池管理行業(yè)的進(jìn)步，為當(dāng)前及未來(lái)的可持續(xù)發(fā)展貢獻(xiàn)力量。
MM9Z1J638BM2EP
Freescale(飛思卡爾)
NVTFS5C670NLTAG
ON(安森美)
TL072ACDR
TI(德州儀器)
ADUM1410BRWZ
ADI(亞德諾)
DSPIC33EP64MC206-I/PT
Microchip(微芯)
LM336Z-5.0
NS(國(guó)半)
LM4050QAEM3-5.0/NOPB
TI(德州儀器)
MKL03Z8VFG4
NXP(恩智浦)
NX3008NBK
Nexperia(安世)
STR-A6059H
SANKEN(三墾)
TMS320VC5502ZAV300
TI(德州儀器)
ADG1421BRMZ-REEL7
ADI(亞德諾)
ADM6315-29D2ARTZR7
ADI(亞德諾)
ADUM7440CRQZ-RL7
ADI(亞德諾)
AT89C51ED2T-RLTUM
Microchip(微芯)
ATGM332D-5N31
Atmel(愛(ài)特梅爾)
BM8563EMA
BELLING(上海貝嶺)
DRV5023AJQLPG
TI(德州儀器)
FP6381AS5CTR
FITIPOWER(天鈺科技)
K4A8G085WC-BCTD
SAMSUNG(三星)
MIC4680-3.3YM-TR
Microchip(微芯)
PIC18F4685-I/P
Microchip(微芯)
PIMN31
Nexperia(安世)
PMEG4005AEA
NXP(恩智浦)
SAK-TC264D-40F200N
Infineon(英飛凌)
STM32F412RGY6TR
ST(意法)
AQW212EH
PanJit(強(qiáng)茂)
LM2903QDRQ1
TI(德州儀器)
MAX17841BGUE/V+T
Maxim(美信)
M-FIAM5BH21
Vicor Corporation
MKL16Z256VLH4
Freescale(飛思卡爾)
MMBT5087LT1G
ON(安森美)
NCV7428D13R2G
ON(安森美)
PIC18F66K80-E/PT
Microchip(微芯)
RURG8060
ON(安森美)
SN65HVD07DR
TI(德州儀器)
SST39SF040-70-4C-PHE
SST
ST62T25CM6
ST(意法)
TD350ETR
ST(意法)
TLE4291E
Infineon(英飛凌)
XC2C32A-6QFG32I
XILINX(賽靈思)
XC3S200-4TQG144C
XILINX(賽靈思)
1473005-4
TE(泰科)
ACS70331EESATR-2P5B3
Skyworks(思佳訊)
AR9342-DL3A
Qualcomm(高通)
AT28C64B-15PU
Microchip(微芯)
HEF4020BT
Philips(飛利浦)
INA201AQDGKRQ1
TI(德州儀器)
IXDN609SIA
IXYS(艾賽斯)
KSZ9131MNXI
Microchip(微芯)
MKE02Z64VLC2
NXP(恩智浦)
NE5532ADR
Philips(飛利浦)
OB2362AMP
ON(安森美)
RK3308B
RockChip(瑞芯微)
SS04-0B00-00
Broadcom(博通)
STM32F413CHU3
ST(意法)
SX1268IMLTRT
Semtech(商升特)
TMP01FP
PMI
WS4665D-8/TR
WILLSEMI(韋爾)
AD5254BRUZ10-RL7
ADI(亞德諾)
AD7814ARMZ
ADI(亞德諾)
ADSP-21489KSWZ-5B
ADI(亞德諾)
ATXMEGA16A4-MH
Atmel(愛(ài)特梅爾)
FAN53541UCX
ON(安森美)
IRM-20-12
Mean Well(臺(tái)灣明緯)
MAX3483EESA+T
Maxim(美信)
MC14528BDR2G
ON(安森美)
MCP4018T-103E/LT
Microchip(微芯)
MKE15Z64VLD4
NXP(恩智浦)
SMP100LC-25
ST(意法)
SYR827PKC
SILERGY(矽力杰)
TPA2010D1YZFR
TI(德州儀器)
VI-JW2-IY
Vicor Corporation
6PAIC3104IRHBRQ1
TI(德州儀器)
ADUM1300ARWZ
ADI(亞德諾)
AH102A-G
TriQuint (超群)
ATMEGA88PA-15MZ
Microchip(微芯)
BTT6050-1ERA
Infineon(英飛凌)
DS2401P+
Dallas (達(dá)拉斯)
HI-8458PSI
Holt Integrated Circuits Inc.
MP175GS-Z
MPS(美國(guó)芯源)
MP2130DG-LF-Z
MPS(美國(guó)芯源)
NCP15XH103F03RC
MURATA(村田)
NCV33272ADR2G
ON(安森美)
NTZD3155CT2G
ON(安森美)
PCA9306TDCURQ1
TI(德州儀器)
SE1450-004L
Honeywell(霍尼韋爾)
SP0506BAATG
Littelfuse(力特)
TLV5617AIDR
TI(德州儀器)
UCC27423DR
TI(德州儀器)
W971GG6NB-25
WINBOND(華邦)
AD9142ABCPZ
ADI(亞德諾)
EPM570F256I5N
ALTERA(阿爾特拉)
ES8374
Everest-semi(順芯)
FM25Q128A-SOB-T-G
FM(復(fù)旦微)
INA141UA
Burr-Brown(TI)
ITS4880R
Infineon(英飛凌)
L293B
ST(意法)
MCP3913A1T-E/SS
Microchip(微芯)
MJD44H11T4
ON(安森美)
PAM8403
Diodes(美臺(tái))
PS8407ATQFN40GTR2-A1
parade(譜瑞科技)
SN74HC04D
TI(德州儀器)
SNJ55LVDS32W
NS(國(guó)半)
TPS62230DRYR
TI(德州儀器)
564R60GAD22
Vishay(威世)
BQ25890HRTWR
TI(德州儀器)
CC2530F128RHAR
TI(德州儀器)
DAC5311IDCKR
TI(德州儀器)
HCTL-2021-A00
Avago(安華高)
MAX1480BCPI
Maxim(美信)
MCP6004-I/ST
Microchip(微芯)
PDS540-13
Diodes(美臺(tái))
PIC16LF1824-I/SL
Microchip(微芯)
SI8234BB-D-IS1R
SILICON LABS(芯科)
TMP103BYFFR
TI(德州儀器)
TS331ILT
ST(意法)
ZB25VQ128ASIG
2SC0435T2G1-17
Raspberry Pi
AD7894ARZ-2
ADI(亞德諾)
FQPF47P06YDTU
ON(安森美)
ICM7228AIBIZ
Intersil(英特矽爾)
LT1129IST-5
LINEAR(凌特)
MA4P7102F-1072T
MACOM
MLX90316KGOBCG-000-RE
Melexis(邁來(lái)芯)
NC7WZ126K8X
Fairchild(飛兆/仙童)
NCS20074DR2G
ON(安森美)
PIC16F1518-I/SS
Microchip(微芯)
SAK-TC1766-192F80HL
Infineon(英飛凌)
ADS7138QRTERQ1
TI(德州儀器)
AS4C4M16SA-6TIN
Alliance Memory
AT24C1024BN-SH25-T
Microchip(微芯)
BAP64-03
Philips(飛利浦)
BD37033FV-ME2
Rohm(羅姆)
BL0940
BELLING(上海貝嶺)
BZA408B
Philips(飛利浦)
DCP020507U
TI(德州儀器)
ESDR0502BT1G
Fairchild(飛兆/仙童)
MT9042CP
Mitel
NB4L52MNR2G
ON(安森美)
RK3308
RockChip(瑞芯微)
STM32G431K6U6
ST(意法)
STM8S207RBT6C
ST(意法)
TAJA105K016RNJ
AVX(京瓷)
TIP102G
ON(安森美)
W25Q16JWSNIQ
WINBOND(華邦)
74HC1G08GV
Nexperia(安世)
AT24CS01-STUM-T
Microchip(微芯)
AXP288C
BSZ070N08LS5
Infineon(英飛凌)
CAT24C32YI-GT3
ON(安森美)
F280039CSPN
TI(德州儀器)
GD25Q16ESIGR
GD(兆易創(chuàng)新)
INA2180A1IDGKR
TI(德州儀器)
IP5328P
INJOINIC(英集芯)
IPD60R280P7S
Infineon(英飛凌)
