MCP1525T-I/TT的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
MCP1525T-I/TT
是否無(wú)鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
1919983483
零件包裝代碼
SOT-23
包裝說(shuō)明
PLASTIC, TO-236, SOT-23, 3 PIN
針數(shù)
3
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Thailand
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
Factory Lead Time
7 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
1.31
Samacsys Description
2.5V Precision Voltage Reference
Samacsys Manufacturer
Microchip
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
10
模擬集成電路 - 其他類型
THREE TERMINAL VOLTAGE REFERENCE
JESD-30 代碼
R-PDSO-G3
JESD-609代碼
e3
長(zhǎng)度
2.92 mm
濕度敏感等級(jí)
1
功能數(shù)量
1
輸出次數(shù)
1
端子數(shù)量
3
最高工作溫度
85 °C
最低工作溫度
-40 °C
最大輸出電壓
2.525 V
最小輸出電壓
2.475 V
標(biāo)稱輸出電壓
2.5 V
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
TSOP
封裝等效代碼
TO-236
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流溫度(攝氏度)
260
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
篩選級(jí)別
TS 16949
座面最大高度
1.12 mm
最大供電電流 (Isup)
0.12 mA
最大供電電壓 (Vsup)
5.5 V
最小供電電壓 (Vsup)
2.7 V
標(biāo)稱供電電壓 (Vsup)
5 V
表面貼裝
YES
技術(shù)
CMOS
最大電壓溫度系數(shù)
50 ppm/°C
溫度等級(jí)
INDUSTRIAL
端子面層
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子節(jié)距
0.96 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
40
微調(diào)/可調(diào)輸出
NO
最大電壓容差
1%
寬度
1.3 mm
MCP1525T-I/TT 電源基準(zhǔn)芯片的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
在現(xiàn)代電子設(shè)備中,電源基準(zhǔn)芯片扮演著至關(guān)重要的角色。隨著技術(shù)的發(fā)展,對(duì)電源基準(zhǔn)的要求不斷提高,以滿足高精度和高穩(wěn)定性的應(yīng)用需求。MCP1525T-I/TT是一款廣泛應(yīng)用于各種電子電路中的電源基準(zhǔn)芯片,其具有優(yōu)異的性能和靈活的應(yīng)用場(chǎng)景。
MCP1525T-I/TT芯片是由墨西哥Microchip Technology公司設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的低壓差(LDO)電壓基準(zhǔn)源。它的輸出電壓為2.5V,具有非常高的精度和低的溫度漂移,極大地滿足了對(duì)電壓穩(wěn)定性要求高的場(chǎng)合。該芯片使用了先進(jìn)的設(shè)計(jì)理念,結(jié)合了優(yōu)質(zhì)的材料和完備的生產(chǎn)工藝,確保了其在長(zhǎng)期穩(wěn)定工作條件下的可靠性。
從結(jié)構(gòu)上看,MCP1525T-I/TT電源基準(zhǔn)芯片的內(nèi)部架構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單,但卻經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì),以實(shí)現(xiàn)低功耗與高性能的統(tǒng)一。其內(nèi)部包含一個(gè)精密的基準(zhǔn)電壓源,該源使用了優(yōu)越的溫度補(bǔ)償機(jī)制,以確保在各種環(huán)境下保持輸出電壓的穩(wěn)定性。此外,MCP1525T-I/TT還具有超低的輸出噪聲特性,使得其在敏感電子電路中,能夠有效避免由于電源波動(dòng)帶來(lái)的信號(hào)干擾。
在電源管理應(yīng)用中,MCP1525T-I/TT的適用性非常廣泛。它可用作微控制器、傳感器、模擬電路等的參考電壓源。當(dāng)電子設(shè)備需要精準(zhǔn)的工作電壓時(shí),MCP1525T-I/TT的高精度特性顯得尤為重要。對(duì)于要求高性能的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),基準(zhǔn)電壓的穩(wěn)定性直接影響著信號(hào)的采集精度,因此,選擇MCP1525T-I/TT作為基準(zhǔn)電源能有效提高系統(tǒng)的整體性能。
MCP1525T-I/TT的另一個(gè)顯著特點(diǎn)是其優(yōu)越的溫度穩(wěn)定性。隨著溫度的變化,許多電子元器件的性能會(huì)受到影響,輸出的電壓會(huì)出現(xiàn)漂移。而MCP1525T-I/TT通過(guò)內(nèi)置的溫度補(bǔ)償機(jī)制,使其在-40°C到125°C的工作環(huán)境中,輸出電壓的溫度漂移僅為±2 mV/°C。這種優(yōu)秀的溫度穩(wěn)定性,使得該芯片在工業(yè)自動(dòng)化、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。
此外,MCP1525T-I/TT還具有較低的功耗特性,這對(duì)于便攜式設(shè)備和電池供電的應(yīng)用尤為重要。該芯片的靜態(tài)電流僅為2 ?A,能夠大大延長(zhǎng)電池使用壽命。在設(shè)計(jì)低功耗應(yīng)用時(shí),使用MCP1525T-I/TT作為電源基準(zhǔn),有助于提高整體系統(tǒng)的能效。
在實(shí)際應(yīng)用中,MCP1525T-I/TT的集成特性使得設(shè)計(jì)電路變得更加簡(jiǎn)單。它的體積小巧,封裝為SOT-23,方便焊接安裝。因此,該芯片特別適合用于空間有限的便攜式設(shè)備、消費(fèi)電子、醫(yī)療器械和汽車電子等領(lǐng)域。設(shè)計(jì)師能夠在有限的空間內(nèi),利用MCP1525T-I/TT提供穩(wěn)定而高質(zhì)量的電源,從而實(shí)現(xiàn)更小型化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。
MCP1525T-I/TT的多樣化應(yīng)用還包括數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、傳感器應(yīng)用、音頻處理、電源監(jiān)測(cè)等?紤]到市場(chǎng)上對(duì)高精度、高穩(wěn)定性的電壓基準(zhǔn)源需求不斷增長(zhǎng),MCP1525T-I/TT的推出無(wú)疑填補(bǔ)了某些應(yīng)用場(chǎng)景中的產(chǎn)品空白。尤其是在汽車電子方面,隨著自動(dòng)駕駛技術(shù)的發(fā)展,對(duì)傳感器的數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性要求越來(lái)越高,MCP1525T-I/TT的靈活性和穩(wěn)定性能夠支持這些高要求的應(yīng)用。
在設(shè)計(jì)電路時(shí),MCP1525T-I/TT還需考慮輸入電壓的選擇。芯片工作的輸入電壓范圍為2.7V到5.5V之間,設(shè)計(jì)時(shí)需要確保輸入電壓在這個(gè)范圍內(nèi),以保障芯片的正常工作。此外,為了進(jìn)一步提高輸出電壓的穩(wěn)定性,應(yīng)用中常常需要配合外部電容。其中,推薦使用大于10 ?F的鉭電容或陶瓷電容,以確保輸出的平穩(wěn)性。
為了使MCP1525T-I/TT在不同設(shè)計(jì)環(huán)境中表現(xiàn)出色,設(shè)計(jì)師還應(yīng)考慮PCB布局。合理的PCB設(shè)計(jì)能夠顯著降低電源噪聲,并改善電源穩(wěn)定性。例如,在布局時(shí)應(yīng)盡可能縮短輸入和輸出引腳之間的連接,以減少寄生電感和電阻的影響。同時(shí),在連接電源的地方,應(yīng)用電流回路盡可能簡(jiǎn)化,避免復(fù)雜的地線布局,以減少干擾的可能性。
隨著科技的不斷進(jìn)步,MCP1525T-I/TT電源基準(zhǔn)芯片的應(yīng)用前景無(wú)疑在不斷擴(kuò)展。它在電壓穩(wěn)定性、溫度適應(yīng)性和功耗控制上的優(yōu)秀表現(xiàn),保證了在高精度、高可靠性需求的各種應(yīng)用中的廣泛適用性。值得一提的是,Microchip還提供了豐富的技術(shù)支持和應(yīng)用資訊,使得設(shè)計(jì)師在應(yīng)用MCP1525T-I/TT時(shí)能夠得到更好的指導(dǎo)和幫助。
在日益復(fù)雜的電子系統(tǒng)中,選擇合適的電源基準(zhǔn)芯片至關(guān)重要。MCP1525T-I/TT憑借其卓越的性能,已經(jīng)成為許多設(shè)計(jì)項(xiàng)目中的首選方案。其在電源管理、數(shù)據(jù)采集、傳感器以及消費(fèi)電子等各個(gè)領(lǐng)域的廣泛適用性證明了其在電源基準(zhǔn)市場(chǎng)中的競(jìng)爭(zhēng)力。隨著市場(chǎng)需求的不斷變化,MCP1525T-I/TT的功能和性能都將繼續(xù)得到發(fā)展和提升,以滿足未來(lái)高效、穩(wěn)定和便攜的電子設(shè)備所需。
MCP1525T-I/TT
Microchip(微芯)
ADM7172ACPZ-R7
ADI(亞德諾)
MUR4100ERLG
ON(安森美)
MAX98357AETE+T
Maxim(美信)
FT230XQ-R
FTDI(飛特帝亞)
TXS0102QDCURQ1
TI(德州儀器)
3296W-1-103LF
Bourns(伯恩斯)
NCP1406SNT1G
ON(安森美)
MC908GP32CFBE
MOTOROLA(摩托羅拉)
IRLML6346TRPBF
IR(國(guó)際整流器)
SN65HVD33DR
TI(德州儀器)
K7805-500R3
MORNSUN(金升陽(yáng))
RCLAMP0524P.TCT
Semtech(商升特)
TPS54528DDAR
TI(德州儀器)
IR2184STRPBF
IR(國(guó)際整流器)
CC1110F32RHHR
TI(德州儀器)
DSPIC33FJ256MC710A-I/PT
Microchip(微芯)
TS5A3159DBVR
TI(德州儀器)
PC28F00BM29EWHA
MIC(昌福)
SGA-3586Z
RFMD
IRF640NSTRLPBF
Infineon(英飛凌)
AD9951YSVZ
ADI(亞德諾)
EP3C10M164C8N
INTEL(英特爾)
SN74LVC16245ADGGR
TI(德州儀器)
TEA19161T/2Y
NXP(恩智浦)
PIC18F4580-I/PT
Microchip(微芯)
PN5321A3HN/C106
NXP(恩智浦)
PD55003TR-E
ST(意法)
EP1C20F324I7N
ALTERA(阿爾特拉)
MUR8100EG
ON(安森美)
LMZ14203TZ-ADJ
NS(國(guó)半)
TAJB476K010RNJ
AVX(京瓷)
TLV493DA1B6HTSA2
TI(德州儀器)
XCZU3EG-1SFVC784I
XILINX(賽靈思)
STM8AF5288TCY
ST(意法)
FAN7382MX
ON(安森美)
L5973ADTR
ST(意法)
74HC4066D
ST(意法)
88E1111-B2-BAB2C000
Marvell(美滿)
NAU8810YG
Nuvoton(新唐)
NCV4274CDT50RKG
ON(安森美)
P2020NXE2MHC
NXP(恩智浦)
BTS50055-1TMC
Infineon(英飛凌)
LM78L05ACZ
ST(意法)
EP2C20Q240C8N
ALTERA(阿爾特拉)
W9751G6KB-25
WINBOND(華邦)
SAK-TC222S-16F133FAC
Infineon(英飛凌)
TMS320F28062PNT
TI(德州儀器)
74HC273D
TI(德州儀器)
ADF5355BCPZ
ADI(亞德諾)
BSC010N04LS
Infineon(英飛凌)
LA25-NP
LEM
EM638165TS-6G
ETRON(鈺創(chuàng))
TLP521-1
TOSHIBA(東芝)
A3922KLPTR-T
ALLEGRO(美國(guó)埃戈羅)
IPD25N06S4L-30
Infineon(英飛凌)
MT40A512M16LY-062E:E
micron(鎂光)
STM32H743IGT6
ST(意法)
TDA8541T
NXP(恩智浦)
MT47H32M16NF-25EIT:H
micron(鎂光)
STGB30M65DF2
ST(意法)
1318384-2
TE(泰科)
OPA551UA
TI(德州儀器)
RTL8201FR-VB-CG
REALTEK(瑞昱)
BCM89881B1BFBG
Broadcom(博通)
MC33064D-5R2G
ON(安森美)
MC78M12CDTRKG
ON(安森美)
TPS62040DGQ
TI(德州儀器)
TLP152
TOSHIBA(東芝)
AMIS42700WCGA4RH
ON(安森美)
IPS511G
IR(國(guó)際整流器)
NSSM032AT
Nichia Corporation
ADG734BRUZ
ADI(亞德諾)
S912ZVCA19F0VLF
NXP(恩智浦)
ADUM3201BRZ
ADI(亞德諾)
HC32F460KCTA
HDSC(華大)
NUC972DF71YC
Nuvoton(新唐)
STM32F417VET6
ST(意法)
LTC1144IS8
LINEAR(凌特)
AIS2IHTR
ST(意法)
STM32F101ZGT6
ST(意法)
AD8031ARTZ
ADI(亞德諾)
AD8045ARDZ
ADI(亞德諾)
ADUM5241ARZ
ADI(亞德諾)
DS90LV011ATMF
NS(國(guó)半)
LM60CIM3
TI(德州儀器)
TPD2EUSB30ADRTR
TI(德州儀器)
TPS54308DDCR
TI(德州儀器)
M41T81SM6F
ST(意法)
TPS2H160AQPWPRQ1
TI(德州儀器)
INA121UA/2K5
TI(德州儀器)
LT1963AES8#TRPBF
ADI(亞德諾)
MAX3471EUA+T
Maxim(美信)
TPS3808G01MDBVTEP
TI(德州儀器)
UCD9090ARGZR
TI(德州儀器)
SN74LVC16T245DLR
TI(德州儀器)
2N7002ET1G
ON(安森美)
LM76003RNPR
TI(德州儀器)
FDV302P
ON(安森美)
M24256-BWMN6TP
ST(意法)
ALC897-VA2-CG
REALTEK(瑞昱)
ST3232EBTR
ST(意法)
ADSP-2186BSTZ-160
ADI(亞德諾)
PE4312C-Z
Peregrine Semiconductor
DAC7571IDBVR
Burr-Brown(TI)
TMS320F2810PBKA
TI(德州儀器)
RTD2166-CG
REALTEK(瑞昱)
IRLML2244TRPBF
IR(國(guó)際整流器)
LNK306DN-TL
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
ST3232BTR
ST(意法)
BF862
Nexperia(安世)
L9680
ST(意法)
NTF3055-100T1G
ON(安森美)
S912XEP100W1MAG
Freescale(飛思卡爾)
LMH6642MF/NOPB
TI(德州儀器)
BCP56T1G
ON(安森美)
AT45DB081E-SHN-T
Microchip(微芯)
DS28E01P-100+T
Maxim(美信)
SI4010-C2-GSR
SILICON LABS(芯科)
LM2902DT
Burr-Brown(TI)
MF-MSMF050-2
Bourns(伯恩斯)
FDC2512
ON(安森美)
EP4CGX150DF31I7N
ALTERA(阿爾特拉)
IRFP450PBF
Vishay(威世)
MAX809TEUR+T
Maxim(美信)
LPC2368FBD100K
NXP(恩智浦)
5M40ZE64I5N
INTEL(英特爾)
MT25QU512ABB1EW9-0SIT
micron(鎂光)