MMBF5484的詳細參數
參數名稱
參數值
Source Content uid
MMBF5484
Brand Name
onsemi
是否無鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
4001115524
零件包裝代碼
SOT-23 (TO-236) 2.90x1.30x1.00, 1.90P
制造商包裝代碼
318
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8541.21.00.95
風險等級
0.76
Samacsys Description
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBF5484. - JFET, N CH, 25V, 0.01A, SOT23
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
6.82
配置
SINGLE
FET 技術
JUNCTION
最大反饋電容 (Crss)
1 pF
JEDEC-95代碼
TO-236AB
JESD-30 代碼
R-PDSO-G3
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
元件數量
1
端子數量
3
工作模式
DEPLETION MODE
最高工作溫度
150 °C
最低工作溫度
-55 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類型
N-CHANNEL
功耗環境最大值
0.225 W
最大功率耗散 (Abs)
0.225 W
認證狀態
Not Qualified
表面貼裝
YES
端子面層
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
晶體管應用
AMPLIFIER
晶體管元件材料
SILICON
MMBF5484接線場效應晶體管的特性與應用
一、引言
隨著電子技術的不斷發展，場效應晶體管（FET）作為現代電子器件的重要組成部分，廣泛應用于各類電路中。MMBF5484是一種經典的N溝道增強型場效應晶體管，因其優良的電氣特性和穩定性，被廣泛應用于低噪聲放大、開關電路及射頻電路等領域。理解其工作原理、特性及應用，對于電子工程師和相關領域的研究者都具有重要意義。
二、MMBF5484的結構與工作原理
MMBF5484的結構主要由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三部分組成。N溝道晶體管中，源極和漏極的導電性是由N型半導體材料構成，而柵極則通常由P型材料或金屬材料制成。當柵極電壓（Vgs）超過閾值電壓（Vth）時，柵極與基體之間形成的電場會在N型材料中引入額外的載流子，從而在源極和漏極之間形成導電通道，實現電流的導通。
在無信號狀態下，若Vgs小于Vth，晶體管處于截止狀態，幾乎沒有電流流過。而當Vgs逐漸增大，達到閾值電壓后，導電通道逐漸形成，晶體管進入飽和區，此時漏極電流（Id）與漏源電壓（Vds）關系密切。通過控制柵極電壓，可以實現對漏極電流的精確調控，進而實現對電路的控制。
三、MMBF5484的電氣特性
MMBF5484的關鍵電氣特性主要包括漏極電流、柵極漏電流、閾值電壓、增益等參數。在規定的工作條件下，MMBF5484表現出穩定的漏電流特性，柵極漏電流通常很小，這使得其在低功耗電路中廣受歡迎。此外，其閾值電壓范圍通常在1V至2.5V之間，方便應用于不同的驅動電壓下工作。
增益是衡量場效應晶體管性能的重要指標。MMBF5484一般具有較高的增益特性，其單位增益頻率（fT）常常達到數百MHz，從而使得在高頻信號處理時能保持良好的線性特性。此外，由于其結構特點，MMBF5484通常具有較低的輸入阻抗和較高的輸出阻抗，這為設計者在實現不同功能時提供了靈活性。
四、MMBF5484在實際應用中的典型電路
MMBF5484的廣泛應用主要體現在以下幾方面：
1. 低噪聲放大器：MMBF5484因其低輸入噪聲的特性，常用于低噪聲放大電路中。通過合理選擇偏置電路和外部元件，可以實現對微弱信號的有效放大。例如，在射頻放大器中，MMBF5484可用于信號的增益調節，使信號在后續處理階段得到更好的保留。
2. 開關電路：在開關電路設計中，MMBF5484可用于實現高效的電子開關，尤其適用于低功率的開關控制。通過控制柵極電壓的高低，可以實現電流的精準導通與截止，進而控制負載的開關狀態。
3. 射頻電路：MMBF5484由于其優越的頻率特性，被廣泛應用于射頻電路中。能夠在較高頻率下保持良好的增益與線性特性，使其適合用作射頻發射和接收模塊中的關鍵元件。
4. 模擬信號調節：在模擬信號處理領域，MMBF5484可廣泛應用于信號調節電路。由于其在不同頻率上均能保持較好的增益特性，可以用于音頻信號的放大、調節和處理。
五、MMBF5484的優缺點分析
MMBF5484作為一種N溝道增強型場效應晶體管，具備諸多優點。首先，其結構簡單、易于集成，適合大規模生產。其次，其低功耗特點，使得在移動設備等要求節能的場合尤其受到重視。此外，CMOS技術的發展使得其在集成電路中得到了更廣泛的應用。
然而，MMBF5484也存在一些局限性。例如，其在高溫和強輻射環境中的穩定性較差，可能影響其在惡劣工作條件下的長期可靠性。同時，由于開關速度受到載流子遷移率的限制，在一些高頻應用中可能會受到影響。
六、結論（不做討論）
在電子電路設計中，MMBF5484以其優越的電氣性能和多樣化的應用場合，成為眾多電子工程師的首選器件之一。在對其特性深入理解的基礎上，能夠更好地發揮其在各類應用中的優勢，為現代電子技術的發展貢獻力量。
MMBF5484
Freescale(飛思卡爾)
PC357N4J000F
Sharp(夏普)
RPI-0352E
Rohm(羅姆)
SDSDQAB-008G
Sandisk
STTH2R02UY
ST(意法)
THS4552IPWR
TI(德州儀器)
VS-MUR2020CT-M3
Vishay(威世)
WS2812B-V5
worldsemi
74VHC14MTCX
ON(安森美)
AD7684BRMZRL7
ADI(亞德諾)
AD8648ARUZ-REEL
ADI(亞德諾)
ADA4930-1YCPZ-R7
ADI(亞德諾)
ADS7886SBDCKR
TI(德州儀器)
ADS7950SBRGET
TI(德州儀器)
BLM18KG101TN1D
MURATA(村田)
BLM18PG300SN1D
MURATA(村田)
BQ24123RHLR
TI(德州儀器)
BSC360N15NS3G
Infineon(英飛凌)
CJ3400
CJ(江蘇長電/長晶)
CL05A106MP5NUNC
SAMSUNG(三星)
CS48L10-CNZR
CirrusLogic(凌云邏輯)
EP3C120F780C8N
ALTERA(阿爾特拉)
IPTG007N06NM5ATMA1
Infineon(英飛凌)
IRFR2405TRPBF
IR(國際整流器)
LTC2600IGN#PBF
ADI(亞德諾)
LTC4413EDD-1#TRPBF
LINEAR(凌特)
MAX809LTRG
ON(安森美)
MM3Z18VT1G
ON(安森美)
MPQ8632GLE-8-Z
MPS(美國芯源)
MT48LC4M16A2P-6A:J
micron(鎂光)
NCE0102
NCE Power(新潔能)
PIC18F4680-I/ML
Microchip(微芯)
SDR0805-221KL
Bourns(伯恩斯)
SIM-153MH+
Mini-Circuits
SN74HC273PWR
TI(德州儀器)
STB75NF75LT4
ST(意法)
STF24N60DM2
ST(意法)
STTH102AY
ST(意法)
TLE5009E2010
Infineon(英飛凌)
TPS7A0533PDBVR
TI(德州儀器)
TUSB7340RKMR
TI(德州儀器)
XF2M-3015-1A
OMRON(歐姆龍)
5M2210ZF324I5N
INTEL(英特爾)
74AHC1G04GV
Philips(飛利浦)
AD976AARZ
ADI(亞德諾)
ADUM121N0BRZ-RL7
ADI(亞德諾)
ATMEGA168-20MU
Microchip(微芯)
B240-13-F
Diodes(美臺)
CH552T
WCH(南京沁恒)
DG408DY+T
Maxim(美信)
EP1K30QC208-3N
ALTERA(阿爾特拉)
ESD9X12ST5G
ON(安森美)
GRM31CR61A476ME15L
MURATA(村田)
HCPL0601R2
Avago(安華高)
JS28F064M29EWHA
INTEL(英特爾)
MIC2025-2YMM
MIC(昌福)
MP24833-AGN-Z
MPS(美國芯源)
N32G435CBL7
TI(德州儀器)
NC7SB3257P6X
ON(安森美)
NVT2008BQ
NXP(恩智浦)
PCA9535RGER
TI(德州儀器)
SGM61430XPS8G/TR
SGMICRO(圣邦微)
SN74LVC126ARGYR
TI(德州儀器)
TCC8601-00X-ECR-UG
Telechips
TL16C554APN
TI(德州儀器)
TM4C1231H6PZIR
TI(德州儀器)
TPS72118DBVR
TI(德州儀器)
TPS73250DBVR
TI(德州儀器)
TSMF1000
Vishay(威世)
V275LA20AP
Littelfuse(力特)
WSL1206R0100FEA
Vishay(威世)
XL2596S-12E1
XLSEMI(芯龍)
1775838-2
TE(泰科)
A20
Allwinner(全志)
ACPL-061L-500E
Avago(安華高)
AFGHL75T65SQDT
ON(安森美)
ATTINY3217-MNR
Microchip(微芯)
BD2242G-GTR
Rohm(羅姆)
CL05A106MQ5NUNC
SAMSUNG(三星)
HI-8382J
Harris Semiconductor
KID65004AF-EL/P
KEC
LM2576-ADJ
TI(德州儀器)
MAX1480BEPI+
Maxim(美信)
MM3Z8V2T1G
ON(安森美)
NEO-M8T-0-10
U-BLOX(優北羅)
NLV27WZ17DFT2G
ON(安森美)
NQ310A1EV/C101Y
NXP(恩智浦)
PDIUSBD12PWTM
ST(意法)
PT4115B89E-B
crpowtech(華潤矽威)
RT9701GB
RICHTEK(臺灣立锜)
SKRKAEE020
Alps Electric
SKY13385-460LF
Skyworks(思佳訊)
SN74AUC02RGYR
TI(德州儀器)
SN74LVC126ADR
TI(德州儀器)
STF203-22.TCT
Semtech(商升特)
STM32F410RBT7
ST(意法)
SY58040UMY
Microchip(微芯)
TLC320AC02IFNR
TI(德州儀器)
TLE4275QKVURQ1
Infineon(英飛凌)
TLE9351VSJ
Infineon(英飛凌)
TPL740F33-5TR
3PEAK(思瑞浦)
TPS2111APWR
TI(德州儀器)
TUSB2046BIVFRG4
TI(德州儀器)
ADA4522-1ARZ-R7
ADI(亞德諾)
ADM485JRZ-REEL
ADI(亞德諾)
ADUM3400ARWZ-RL
ADI(亞德諾)
ASM1184E
ASMedia
ATA6560-GAQW
Atmel(愛特梅爾)
AXK6A2337YG
Panasonic(松下)
B1212S-2WR3
MORNSUN(金升陽)
DB3
STARSEA
FPF2125
Fairchild(飛兆/仙童)
G3VM-61VY2
OMRON(歐姆龍)
IRF7769L1TRPBF
IR(國際整流器)
LM139DR
TI(德州儀器)
LMC7660IM/NOPB
TI(德州儀器)
MAX14840EASA+T
Maxim(美信)
MC3PHACVDWE
NXP(恩智浦)
MP8771GQ-Z
MPS(美國芯源)
OPA2197QDGKRQ1
TI(德州儀器)
PEB3086FV1.4
Infineon(英飛凌)
SN65HVD3082EDGKR
TI(德州儀器)
STM32F777NIH7
ST(意法)
STM32L011K4T6
ST(意法)
STVVGLNAT
ST(意法)
TAJC106K025RNJ
AVX(京瓷)
