IRFB3607PBF 的詳細(xì)參數(shù)
封裝參數(shù)
屬性
參數(shù)值
Package
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
技術(shù)參數(shù)
屬性
參數(shù)值
TOP(°C)
-55℃~+175℃(Tj)
TOP min(°C)
-55℃
TOP max(°C)
+175℃(Tj)
PD(mW)
140W(Tc)
Configuration
SINGLE WITH BUILT IN DIODE
Channels
1
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Qg(C)
84nC@10V
Tfall(s)
96ns
Trise(s)
110ns
Vdss(V)
75V
Ciss(pF)
3.07nF@50V
FET Type
1個(gè)N溝道
ID(mA)
80A
IDM(A)
310 A
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Rds On(Ω)
9mΩ@10V,46A
Td-off(s)
43ns
Td-on(s)
16ns
VD(V)
10V
Vgs(V)
±20V
Vgs th(V)
4V@100uA
合規(guī)參數(shù)
屬性
參數(shù)值
Reach
未受影響
RoHS
Yes
RoHS狀態(tài)
合規(guī)
Pb-free
否
MSL
1(無(wú)限)
交易參數(shù)
屬性
參數(shù)值
Factory Packing Type
FLANGE MOUNT, R PSFM T3
HTS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
Lifecycle
衰退期
Lifecycle Risk
低
Weight(g)
2.75(g)
IRFB3607PBF 場(chǎng)效應(yīng)管的特性與應(yīng)用
引言
場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor, FET）是一種重要的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子電路中。IRFB3607PBF 是一種高功率場(chǎng)效應(yīng)管，具有優(yōu)異的電氣特性和熱性能，適用于各種高頻和高功率應(yīng)用。本文將探討 IRFB3607PBF 的基本特性、工作原理、應(yīng)用領(lǐng)域以及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的重要性。
IRFB3607PBF 的基本特性
IRFB3607PBF 是一種 N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管，其主要參數(shù)包括最大漏極源極電壓（V_DS）、最大漏極電流（I_D）、柵極閾值電壓（V_GS(th)）等。根據(jù)其數(shù)據(jù)手冊(cè)，IRFB3607PBF 的 V_DS 最大值為 75V，I_D 最大值為 120A，V_GS(th) 在 2V 到 4V 之間。這些參數(shù)使得 IRFB3607PBF 在高電壓和高電流的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
此外，IRFB3607PBF 還具有較低的導(dǎo)通電阻（R_DS(on)），通常在 0.0045Ω 左右。這一特性使得其在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗較低，從而提高了整體電路的效率。低導(dǎo)通電阻的優(yōu)勢(shì)在于減少了熱量的產(chǎn)生，延長(zhǎng)了器件的使用壽命。
工作原理
場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理基于電場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體材料中載流子的控制。IRFB3607PBF 作為 N 溝道 FET，其柵極與源極之間的電壓（V_GS）決定了器件的導(dǎo)通與關(guān)斷。當(dāng) V_GS 超過(guò)閾值電壓 V_GS(th) 時(shí)，柵極電場(chǎng)會(huì)在溝道中形成一個(gè)導(dǎo)電通道，使得漏極與源極之間的電流（I_D）得以流動(dòng)。
在實(shí)際應(yīng)用中，IRFB3607PBF 的柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)至關(guān)重要。為了確保器件能夠快速開(kāi)關(guān)，通常需要使用合適的柵極驅(qū)動(dòng)電壓和電流。過(guò)低的驅(qū)動(dòng)電壓可能導(dǎo)致器件無(wú)法完全導(dǎo)通，而過(guò)高的電壓則可能損壞柵極。因此，設(shè)計(jì)時(shí)需要仔細(xì)考慮柵極驅(qū)動(dòng)電路的參數(shù)。
應(yīng)用領(lǐng)域
IRFB3607PBF 在多個(gè)領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用，尤其是在電源管理、逆變器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)電源等高功率應(yīng)用中。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其成為電源轉(zhuǎn)換器和電機(jī)控制器的理想選擇。
在電源管理方面，IRFB3607PBF 常用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中。其高效率和快速開(kāi)關(guān)特性使得電源轉(zhuǎn)換器能夠在較小的體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)高功率輸出。此外，IRFB3607PBF 還被廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器中，能夠有效地將太陽(yáng)能電池產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電，供家庭和工業(yè)使用。
在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，IRFB3607PBF 的高電流能力使其能夠驅(qū)動(dòng)大功率電機(jī)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)工具、電動(dòng)車輛和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中。其快速開(kāi)關(guān)特性有助于提高馬達(dá)的控制精度和響應(yīng)速度，從而提升整體系統(tǒng)的性能。
熱性能
熱性能是場(chǎng)效應(yīng)管設(shè)計(jì)中一個(gè)重要的考慮因素。IRFB3607PBF 的熱阻（RθJA）相對(duì)較低，通常在 40°C/W 左右，這意味著在高功率應(yīng)用中，器件能夠有效地散熱，降低過(guò)熱風(fēng)險(xiǎn)。為了進(jìn)一步提高散熱性能，通常需要在設(shè)計(jì)中考慮合適的散熱器和散熱方案。
在實(shí)際應(yīng)用中，IRFB3607PBF 的散熱設(shè)計(jì)需要根據(jù)工作環(huán)境和負(fù)載條件進(jìn)行優(yōu)化。通過(guò)合理的散熱設(shè)計(jì)，可以確保器件在高功率下穩(wěn)定工作，避免因過(guò)熱導(dǎo)致的性能下降或損壞。
結(jié)論
IRFB3607PBF 作為一種高性能場(chǎng)效應(yīng)管，憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能，在現(xiàn)代電子設(shè)備中發(fā)揮著重要作用。其廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域和高效的工作性能使其成為電源管理和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等高功率應(yīng)用的理想選擇。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，IRFB3607PBF 的應(yīng)用前景將更加廣闊。
IRFB3607PBF
Infineon(英飛凌)
FQB22P10TM
ON(安森美)
FDMS86200
ON(安森美)
MK22FN1M0AVLL12
Freescale(飛思卡爾)
TDA7850
TI(德州儀器)
TL431ACLP
TI(德州儀器)
PIC16F1946-I/PT
MIC(昌福)
LSF0204PWR
TI(德州儀器)
TMS320C6745DPTPD4
TI(德州儀器)
STA8100GA
ST(意法)
FQPF6N90C
ON(安森美)
MP3V5050GC6U
MOTOROLA(摩托羅拉)
XC4VSX55-11FFG1148I
XILINX(賽靈思)
ADUM1401CRWZ
ADI(亞德諾)
SN74LVC8T245PW
TI(德州儀器)
SLC32PDL300
Infineon(英飛凌)
AD817ARZ
ADI(亞德諾)
ADP3338AKCZ-3.3
ADI(亞德諾)
STW65N65DM2AG
ST(意法)
MAX706TESA
Maxim(美信)
MCF52236CAF50
NXP(恩智浦)
DRV425QWRTJRQ1
TI(德州儀器)
LT1963AES8
ADI(亞德諾)
RTX4090
TPS54620RGY
TI(德州儀器)
ADN2813ACPZ
ADI(亞德諾)
ADUM1401ARWZ-RL
ADI(亞德諾)
KSZ8863MLLI
Microchip(微芯)
BSS138NH6327
Infineon(英飛凌)
TPS73101DBVR
TI(德州儀器)
HIP4082IBZT
Renesas(瑞薩)
A3979SLPTR-T
ALLEGRO(美國(guó)埃戈羅)
NCP45560IMNTWG-H
ON(安森美)
IRLML9301TRPBF
IR(國(guó)際整流器)
LT1763CS8#TRPBF
ADI(亞德諾)
TPS54201DDCR
TI(德州儀器)
VND5E160AJTR-E
ST(意法)
C8051F120-GQR
SILICON LABS(芯科)
NTR4501NT1G
ON(安森美)
EPCS1SI8N
ALTERA(阿爾特拉)
MFI343S00177
Microchip(微芯)
AD8065ARTZ-REEL7
TI(德州儀器)
LFCN-1000+
Mini-Circuits
TPA6211A1DGNR
TI(德州儀器)
CSD95491Q5MC
TI(德州儀器)
BSC028N06NS
Infineon(英飛凌)
PIC16F73-I/SP
Microchip(微芯)
INA129U/2K5
Burr-Brown(TI)
PCF8566T/1
NXP(恩智浦)
PCI9052G
Avago(安華高)
SMBJ15CA
Vishay(威世)
CAT24C128WI-GT3
ON(安森美)
L7805ABV
ST(意法)
TEA19161T/2
TI(德州儀器)
LM75ADP
NXP(恩智浦)
TPS61220DCKR
TI(德州儀器)
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TI(德州儀器)
78M05
China(國(guó)產(chǎn))
TPS2115ADRBR
TI(德州儀器)
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micron(鎂光)
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TI(德州儀器)
DALC208SC6
ST(意法)
MJD44H11RLG
ON(安森美)
BAS21
Diodes(美臺(tái))
SGA-2386Z
RFMD
TM1640
TMTECH ( 凱鈺 )
LPC4337FET256
NXP(恩智浦)
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TI(德州儀器)
LPC1788FET208
NXP(恩智浦)
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INTEL(英特爾)
VSC7429XJG-02
Vitesse Semiconductor Corporation
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ON(安森美)
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TI(德州儀器)
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ST(意法)
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LM2904N
NS(國(guó)半)
CA-IS3082WX
Chipanalog(川土微)
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STM32G031K8U6
ST(意法)
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PIC16F819-I/SO
Microchip(微芯)
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ADI(亞德諾)
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ADI(亞德諾)
LM74670QDGKTQ1
TI(德州儀器)
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ST(意法)
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ADI(亞德諾)
IRF6614TRPBF
IR(國(guó)際整流器)
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NXP(恩智浦)
VND5E004ATR-E
ST(意法)
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Renesas(瑞薩)
AT24C02
XINBOLE(芯伯樂(lè))
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Infineon(英飛凌)
DP83848CVVX
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MK22FX512VLK12
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LNK306DN
Raspberry Pi
LTM4615IV
LINEAR(凌特)
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ADI(亞德諾)
WM8960
WOLFSON(歐勝)
TM4C1294NCPDTI3R
TI(德州儀器)
MC33035DWR2G
ON(安森美)
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XILINX(賽靈思)
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TI(德州儀器)
INA132U/2K5
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Microchip(微芯)
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TI(德州儀器)
RCLAMP0524PATCT
Semtech(商升特)
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TI(德州儀器)
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ST(意法)
SN74AC14DR
TI(德州儀器)
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XILINX(賽靈思)
SHT21
Sensirion(瑞士盛思銳)
TLC2272AIDR
TI(德州儀器)
74LVC4245APW
NXP(恩智浦)
