AUIRS1170STR 柵極驅(qū)動(dòng)芯片

AUIRS1170STR的詳細(xì)參數(shù)

參數(shù)名稱 參數(shù)值
是否Rohs認(rèn)證 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 8299473896
包裝說(shuō)明 SOP-8
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8542.39.00.01
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 9.53
Samacsys Description Gate Drivers HVIC_IR
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 0
高邊驅(qū)動(dòng)器 NO
輸入特性 STANDARD
接口集成電路類型 BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代碼 R-PDSO-G8
長(zhǎng)度 4.9 mm
濕度敏感等級(jí) 3
功能數(shù)量 1
端子數(shù)量 8
最高工作溫度 125 °C
最低工作溫度 -40 °C
標(biāo)稱輸出峰值電流 6 A
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 HSOP
封裝等效代碼 SOP8,.25
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG
篩選級(jí)別 AEC-Q100
座面最大高度 1.75 mm
最大壓擺率 80 mA
最大供電電壓 18 V
最小供電電壓 11 V
標(biāo)稱供電電壓 15 V
表面貼裝 YES
端子形式 GULL WING
端子節(jié)距 1.27 mm
端子位置 DUAL
斷開(kāi)時(shí)間 0.075 µs
接通時(shí)間 0.12 µs
寬度 3.9 mm

AUIRS1170STR 柵極驅(qū)動(dòng)芯片的研究與應(yīng)用

引言

在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中，柵極驅(qū)動(dòng)芯片作為核心組件之一，起著至關(guān)重要的作用。AUIRS1170STR是一款廣泛使用的柵極驅(qū)動(dòng)芯片，特別適用于高功率MOSFET和IGBT的驅(qū)動(dòng)。本文將探討AUIRS1170STR的設(shè)計(jì)特點(diǎn)、電氣性能、功能特性以及在各類電力電子應(yīng)用中的表現(xiàn)，旨在為相關(guān)研究和工程實(shí)踐提供參考。

一、AUIRS1170STR的基本概述

AUIRS1170STR是一款具有高電流驅(qū)動(dòng)能力的柵極驅(qū)動(dòng)器，主要用于驅(qū)動(dòng)低電壓、高功率的MOSFET和IGBT。該芯片的最大輸出電流可達(dá)到1.5A，且具備在高頻率條件下穩(wěn)定運(yùn)行的能力。其內(nèi)部電路設(shè)計(jì)保證了高效的開(kāi)關(guān)性能，適合于各種高頻開(kāi)關(guān)電源、逆變器以及其他電力電子應(yīng)用。

二、電氣特性與性能參數(shù)

AUIRS1170STR的電氣特性包括其輸入和輸出電壓、驅(qū)動(dòng)能力以及響應(yīng)時(shí)間等關(guān)鍵參數(shù)。首先，該芯片支持寬輸入電壓范圍（通常為10V至20V），使其能在不同的工作條件下穩(wěn)定運(yùn)行。其次，其輸出電流的峰值可以達(dá)到2A。這種高電流驅(qū)動(dòng)能力使得AUIRS1170STR能夠有效地驅(qū)動(dòng)較大柵極的MOSFET和IGBT，保證了電路的快速切換和高效率。

在響應(yīng)時(shí)間方面，AUIRS1170STR的上升時(shí)間和下降時(shí)間通常在幾十納秒的范圍內(nèi)，具體數(shù)據(jù)取決于負(fù)載條件和工作環(huán)境。這一性能參數(shù)對(duì)于高頻電源轉(zhuǎn)換技術(shù)至關(guān)重要，因?yàn)檩^短的開(kāi)關(guān)時(shí)間能顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

AUIRS1170STR廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，包括電源轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器和電池管理系統(tǒng)等。在電源轉(zhuǎn)換器中，AUIRS1170STR能夠有效驅(qū)動(dòng)多種功率級(jí)別的開(kāi)關(guān)器件，提高轉(zhuǎn)換效率，減小整體體積并降低成本。

在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，該芯片也展現(xiàn)出其優(yōu)異的特性。通過(guò)精確控制電動(dòng)機(jī)的啟停和轉(zhuǎn)速，能夠?qū)崿F(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。同時(shí)，AUIRS1170STR的高驅(qū)動(dòng)能力確保了電動(dòng)機(jī)在啟動(dòng)和負(fù)載變化過(guò)程中的穩(wěn)定性與可靠性。

四、應(yīng)用實(shí)例分析

在實(shí)際應(yīng)用中，AUIRS1170STR的表現(xiàn)得到了廣泛認(rèn)可。例如，在一款300W的DC-DC轉(zhuǎn)換器中，采用AUIRS1170STR作為柵極驅(qū)動(dòng)器，成功實(shí)現(xiàn)了高達(dá)95%的轉(zhuǎn)換效率。此項(xiàng)目通過(guò)對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化及對(duì)輸入輸出波形的細(xì)致調(diào)控，確保了AUIRS1170STR的性能得到充分發(fā)揮。

另一個(gè)典型案例是電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)。通過(guò)將AUIRS1170STR應(yīng)用于電動(dòng)機(jī)的H橋驅(qū)動(dòng)電路中，控制方案的快速響應(yīng)和高效能得以實(shí)現(xiàn)。測(cè)試結(jié)果顯示，這種配置不僅提高了電動(dòng)機(jī)的起動(dòng)性能，還降低了系統(tǒng)整體的熱損耗，提高了可靠性。

五、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

在使用AUIRS1170STR時(shí)，設(shè)計(jì)人員需要關(guān)注幾個(gè)關(guān)鍵因素。首先，電源的選擇十分重要，確保提供穩(wěn)定的輸入電壓，以滿足芯片的工作要求。其次，布局設(shè)計(jì)需盡量縮短驅(qū)動(dòng)信號(hào)的傳輸路徑，這有助于減少噪聲干擾，提升開(kāi)關(guān)性能。此外，對(duì)于不同負(fù)載條件下的性能，設(shè)計(jì)人員應(yīng)進(jìn)行充分的仿真與測(cè)試，以確保在實(shí)際應(yīng)用中芯片能夠穩(wěn)定工作。

另一個(gè)需要考慮的重要方面是散熱管理。盡管AUIRS1170STR具備一定的溫度保護(hù)機(jī)制，但合理的散熱設(shè)計(jì)依然是保障其長(zhǎng)期可靠運(yùn)行的重要因素。在高負(fù)載及高頻條件下，散熱措施的設(shè)計(jì)尤其重要，以避免因過(guò)溫導(dǎo)致性能下降或損壞。

六、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)與發(fā)展趨勢(shì)

隨著電力電子技術(shù)的迅速發(fā)展，AUIRS1170STR面臨著越來(lái)越激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。許多廠家相繼推出了具有競(jìng)爭(zhēng)力的柵極驅(qū)動(dòng)芯片，這些新產(chǎn)品常常在功率密度、響應(yīng)速度及集成度等方面有所提升。因此，持續(xù)的技術(shù)改進(jìn)與創(chuàng)新成為該類產(chǎn)品保持市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位的關(guān)鍵。

未來(lái)，隨著電動(dòng)車、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的發(fā)展，AUIRS1170STR及其同類產(chǎn)品將迎來(lái)廣闊的應(yīng)用前景。尤其在高效率、低能耗的需求日益增強(qiáng)的背景下，柵極驅(qū)動(dòng)芯片的設(shè)計(jì)與應(yīng)用將更加注重智能化和集成化，推動(dòng)整個(gè)電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

七、實(shí)驗(yàn)與驗(yàn)證

為了驗(yàn)證AUIRS1170STR的性能，研究人員通常會(huì)設(shè)計(jì)一系列實(shí)驗(yàn)，以測(cè)定其在不同工作條件下的表現(xiàn)。這些實(shí)驗(yàn)通常包括溫升測(cè)試、負(fù)載響應(yīng)測(cè)試及頻率特性測(cè)試等。采用高精度測(cè)量設(shè)備，通過(guò)實(shí)際的電路搭建與運(yùn)行，評(píng)估AUIRS1170STR在特定應(yīng)用場(chǎng)景中的有效性和可靠性。

此外，通過(guò)與競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的對(duì)比測(cè)試，研究者能夠清晰地識(shí)別AUIRS1170STR的優(yōu)勢(shì)與不足，從而為后續(xù)的產(chǎn)品優(yōu)化提供依據(jù)。這種基于實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù)分析，能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)人員提供有價(jià)值的指導(dǎo)，幫助他們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中更好地選擇和使用柵極驅(qū)動(dòng)芯片。

通過(guò)上述探討，對(duì)AUIRS1170STR柵極驅(qū)動(dòng)芯片的設(shè)計(jì)特點(diǎn)、電氣性能、應(yīng)用案例及發(fā)展方向有了較為全面的了解。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，AUIRS1170STR將在電力電子領(lǐng)域扮演更加重要的角色，推動(dòng)相關(guān)行業(yè)的創(chuàng)新與發(fā)展。

AUIRS1170STR INFINEON（英飛凌）
STM32F405RGT6 ST(意法)
BTS50085-1TMA Infineon(英飛凌)
STM32H743VIT6 ST(意法)
ULN2803ADWR TI(德州儀器)
STM32F407VGT6 TI(德州儀器)
STM8S003F3P6TR ST(意法)
STM8S003F3P6 ST(意法)
STM32F030C8T6 TI(德州儀器)
KSZ8999I MIC(昌福)
STM32F407ZGT6 ST(意法)
AD9361BBCZ ADI(亞德諾)
STM32F103VCT6 TI(德州儀器)
MCF5282CVM66 NXP(恩智浦)
ATMEGA328P-AU Microchip(微芯)
ADS1248IPWR Burr-Brown(TI)
STM32F103VET6 ST(意法)
LM3481QMM TI(德州儀器)
LM3481MM NS(國(guó)半)
STM32F407ZET6 TI(德州儀器)
W5500 WINBOND(華邦)
ATMEGA2560-16AU Atmel(愛(ài)特梅爾)
VNH5180ATR-E ST(意法)
ATMEGA128A-AU Atmel(愛(ài)特梅爾)
TPS5430DDAR TI(德州儀器)
STM32F103ZET6 ST(意法)
AD7606BSTZ ADI(亞德諾)
STM32F429IGT6 ST(意法)
STM32F103CBT6 TI(德州儀器)
KLM8G1GETF-B041 SAMSUNG(三星)
FT232RL FTDI(飛特帝亞)
LPC1768FBD100 NXP(恩智浦)
STM32F030K6T6 TI(德州儀器)
STM32F103RET6 ST(意法)
MBR0520LT1G ON(安森美)
STM32H743ZIT6 ST(意法)
ULN2003ADR TI(德州儀器)
STM32H750VBT6 ST(意法)
BSP75N Infineon(英飛凌)
ISL8204MIRZ Renesas(瑞薩)
TPS51200DRCR TI(德州儀器)
TMS320F28034PNT TI(德州儀器)
LM358DR ON(安森美)
MCIMX6Y2CVM08AB NXP(恩智浦)
MCIMX6Q5EYM10AD Freescale(飛思卡爾)
W25Q128JVSIQ WINBOND(華邦)
ATMEGA8A-AU Atmel(愛(ài)特梅爾)
GD32F103C8T6 ST(意法)
XCF04SVOG20C XILINX(賽靈思)
MK70FN1M0VMJ15 Freescale(飛思卡爾)
ISO1050DUBR Burr-Brown(TI)
ATMEGA32A-AU Atmel(愛(ài)特梅爾)
STM32H743IIT6 ST(意法)
XC6SLX75-3CSG484I XILINX(賽靈思)
ADM2587EBRWZ ADI(亞德諾)
SN75ALS181NSR TI(德州儀器)
GD32F103RCT6 GD(兆易創(chuàng)新)
USBLC6-2SC6 ST(意法)
NRF52832-QFAA-R NORDIC
TPS74501PQWDRVRQ1 TI(德州儀器)
ATMEGA64A-AU Atmel(愛(ài)特梅爾)
AMS1117-3.3 AMS(艾邁斯)
LAN8720AI-CP-TR smsc
XC7K325T-2FFG900I XILINX(賽靈思)
MCIMX6Q6AVT10AD NXP(恩智浦)
SN65HVD230DR TI(德州儀器)
TXS0108EPWR TI(德州儀器)
74HC595D ON(安森美)
BCM89811B1AWMLG Broadcom(博通)
SN75176BDR NXP(恩智浦)
N76E003AT20 Nuvoton(新唐)
STM32F103RBT6 ST(意法)
FS32K144HFT0VLLT NXP(恩智浦)
MK66FN2M0VLQ18 Freescale(飛思卡爾)
STM32F427VGT6 ST(意法)
LM358DR2G TI(德州儀器)
NCP1654BD65R2G ON(安森美)
ADM2582EBRWZ ADI(亞德諾)
ADUM1201ARZ ADI(亞德諾)
MURS160T3G ON(安森美)
STM8L052C6T6 ST(意法)
BSC030N08NS5 Infineon(英飛凌)
MCHC11F1CFNE4 NXP(恩智浦)
TPS1H100BQPWPRQ1 TI(德州儀器)
EPCQ64ASI16N ALTERA(阿爾特拉)
VNS3NV04DPTR-E ST(意法)
SN74HC595DR TI(德州儀器)
O3853QDCARQ1 TI(德州儀器)
TJA1050T/CM NXP(恩智浦)
ATMEGA16A-AU Microchip(微芯)
STM32F030F4P6 TI(德州儀器)
LIS3DHTR ST(意法)
DSP56F803BU80E MOTOROLA(摩托羅拉)