MBRA2H100T3G 的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
MBRA2H100T3G
Brand Name
onsemi
是否無鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
2045051377
零件包裝代碼
SMA
包裝說明
SMA, 2 PIN
針數(shù)
2
制造商包裝代碼
403D-02
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Mainland China, Vietnam
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8541.10.00.80
Factory Lead Time
9 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級
0.96
Samacsys Description
Schottky Diodes & Rectifiers 2A 100V
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
6
其他特性
FREE WHEELING DIODE
應(yīng)用
POWER
配置
SINGLE
二極管元件材料
SILICON
二極管類型
RECTIFIER DIODE
最大正向電壓 (VF)
0.79 V
JESD-30 代碼
R-PDSO-C2
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
最大非重復(fù)峰值正向電流
130 A
元件數(shù)量
1
相數(shù)
1
端子數(shù)量
2
最高工作溫度
175 °C
最低工作溫度
-65 °C
最大輸出電流
2 A
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
最大重復(fù)峰值反向電壓
100 V
最大反向電流
8 µA
反向測試電壓
100 V
表面貼裝
YES
技術(shù)
SCHOTTKY
端子面層
MATTE TIN
端子形式
C BEND
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時(shí)間
30
MBRA2H100T3G 肖特基二極管的特性與應(yīng)用研究
引言
肖特基二極管是一種重要的半導(dǎo)體器件，因其獨(dú)特的電性和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。MBRA2H100T3G是市場上較為常見的一款肖特基二極管，由于其在低正向壓降和快速開關(guān)特性方面的顯著優(yōu)勢，使其在電源管理、充電器、通信設(shè)備及各種射頻應(yīng)用中展現(xiàn)出了卓越的性能特點(diǎn)。
肖特基二極管的工作原理
肖特基二極管的工作原理主要基于金屬與半導(dǎo)體之間的接觸形成的肖特基勢壘。在這種二極管中，金屬材料（通常是鎳、鋁或鎢）與N型半導(dǎo)體（例如摻雜的硅）直接接觸，形成一個(gè)歐姆接觸。與傳統(tǒng)的PN結(jié)二極管相比，肖特基二極管的正向壓降較低，一般在0.2V至0.4V之內(nèi)。這一特性使得肖特基二極管在高電流和高頻應(yīng)用中特別有效，因?yàn)檩^低的壓降可以減少功耗，提高效率。
MBRA2H100T3G的主要特點(diǎn)
MBRA2H100T3G肖特基二極管具有一些顯著的性能參數(shù)，包括：
1. 反向電壓：該管件的最大反向電壓為100V，能在多種電壓條件下穩(wěn)定工作，適合多種應(yīng)用需求。 2. 正向電流：MBRA2H100T3G的額定正向電流為2A，這使其在負(fù)載較重的電路中表現(xiàn)出良好的性能。
3. 低正向壓降：其正向壓降在1A時(shí)為約0.55V，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下功耗較低，有利于電源效率的提升。
4. 快速恢復(fù)時(shí)間：肖特基二極管通常具有極快的開關(guān)速度，MBRA2H100T3G也不例外，這使得其在高頻率應(yīng)用中表現(xiàn)突出。
5. 熱穩(wěn)定性：MBRA2H100T3G在工作溫度范圍廣泛，有助于其在復(fù)雜的工作環(huán)境下進(jìn)行應(yīng)用。
應(yīng)用領(lǐng)域
MBRA2H100T3G肖特基二極管在眾多電子設(shè)備中都得到了廣泛的應(yīng)用，以下是一些主要的應(yīng)用領(lǐng)域：
1. 電源管理：在開關(guān)電源和線性電源中，MBRA2H100T3G可用于整流電路，以降低能量損失并提高轉(zhuǎn)換效率。
2. 電池充電器：由于其低正向壓降與快速開關(guān)特性，該二極管適合用于各種類型的電池充電器中，以實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)化。
3. 通信設(shè)備：在射頻和微波應(yīng)用中，MBRA2H100T3G的快速響應(yīng)能力使其適用于信號(hào)調(diào)制和解調(diào)過程。
4. LED驅(qū)動(dòng)：在LED照明行業(yè)，肖特基二極管能夠?yàn)長ED提供穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)電流，同時(shí)降低熱量的產(chǎn)生，從而延長LED的使用壽命。
5. 逆變器：在光伏系統(tǒng)和風(fēng)能發(fā)電中，MBRA2H100T3G可用于逆變器的整流部分，以提高整流效率和系統(tǒng)整體性能。
性能測試與分析
對MBRA2H100T3G進(jìn)行性能測試時(shí)，通常會(huì)關(guān)注幾個(gè)關(guān)鍵的電氣參數(shù)。測試過程中，首先需要測量其正向壓降和反向漏電流。這通常在特定的溫度條件下進(jìn)行，以確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。在標(biāo)準(zhǔn)測試條件下，MBRA2H100T3G的正向壓降在幾百毫伏的水平上，這對其效率有重要影響。
其次，對其反向恢復(fù)時(shí)間的測量也是關(guān)鍵。在高頻操作中，過慢的恢復(fù)時(shí)間會(huì)導(dǎo)致功耗增加，從而降低系統(tǒng)效率。一般來說，肖特基二極管的反向恢復(fù)時(shí)間比PN結(jié)二極管短得多，這也是其在高頻應(yīng)用中非常受歡迎的原因之一。
在實(shí)際的操作環(huán)境中，MBRA2H100T3G經(jīng)過長時(shí)間的工作后，可能出現(xiàn)一定的參數(shù)漂移。通過長期穩(wěn)定性測試，可以確保該二極管在不同的工作電流和環(huán)境溫度下依舊保持穩(wěn)定的性能。這種長期穩(wěn)定性是判斷電子器件價(jià)值的重要指標(biāo)之一。
材料與制造工藝
MBRA2H100T3G的制造過程涉及幾種關(guān)鍵材料的選擇，包括半導(dǎo)體基底材料和金屬觸點(diǎn)材料。許多肖特基二極管采用優(yōu)質(zhì)的N型硅作為基底，這樣可以在保持良好導(dǎo)電性的基礎(chǔ)上，確保器件的可靠性和穩(wěn)定性。為了降低正向壓降，金屬觸點(diǎn)通常采用鋁或鎳等優(yōu)秀導(dǎo)電材料，這些材料能夠確保良好的電接觸。
隨著科技的進(jìn)步，制造工藝也在不斷發(fā)展，例如采用先進(jìn)的光刻和離子注入技術(shù)，可以進(jìn)一步提高肖特基二極管的性能和良品率。新一代材料的出現(xiàn)也促使肖特基二極管在高溫、高頻及高電壓工作條件下展現(xiàn)出更好的表現(xiàn)。
市場與經(jīng)濟(jì)影響
隨著電子設(shè)備的不斷發(fā)展和普及，經(jīng)常需要高效、可靠的電源管理解決方案。MBRA2H100T3G作為一種高性能肖特基二極管，在市場上具備很大的需求潛力。尤其是在新能源、電動(dòng)汽車和智能家居等新興領(lǐng)域，其重要性愈發(fā)突出。通過優(yōu)化電源的管理，能夠顯著提升整個(gè)系統(tǒng)的能效，進(jìn)而推動(dòng)經(jīng)濟(jì)的可持續(xù)發(fā)展。
在全球范圍內(nèi)，電子產(chǎn)品的迅猛發(fā)展，推動(dòng)了對高效能半導(dǎo)體器件需求的增加。MBRA2H100T3G的出現(xiàn)不但提升了電源轉(zhuǎn)換效率，也為制造商提供了經(jīng)濟(jì)上的競爭優(yōu)勢。這對于促進(jìn)電子產(chǎn)業(yè)鏈的健康發(fā)展與技術(shù)創(chuàng)新，都是至關(guān)重要的。
未來的發(fā)展方向
展望未來，隨著對高效節(jié)能以及環(huán)保材料的日益關(guān)注，肖特基二極管的發(fā)展將迎來更多機(jī)遇。新的材料和工藝的探索，將使得MBRA2H100T3G及其后續(xù)產(chǎn)品在性能上不斷提升，適應(yīng)更復(fù)雜的應(yīng)用場合。尤其是集成電路和電源模塊的日益小型化，進(jìn)一步推動(dòng)了肖特基二極管在微型電源管理中的應(yīng)用。
與此同時(shí)，隨著半導(dǎo)體市場競爭的加劇，制造商需要不斷創(chuàng)新，以滿足愈加嚴(yán)格的市場需求。同時(shí)，技術(shù)的進(jìn)步也將促進(jìn)晶體管和其他半導(dǎo)體器件之間的協(xié)作，提升整體電路的性能。在這一發(fā)展的背景下，MBRA2H100T3G的未來潛力不可限量。
MBRA2H100T3G
ON(安森美)
PCA9554APW
Philips(飛利浦)
TPS7A6950QDRQ1
TI(德州儀器)
EP1C6Q240I7N
ALTERA(阿爾特拉)
AD5700-1BCPZ-RL7
ADI(亞德諾)
ADA4807-2ARMZ-R7
ADI(亞德諾)
TLE4207G
Infineon(英飛凌)
IR2181STRPBF
Infineon(英飛凌)
AT24C64D-XHM-T
Microchip(微芯)
HD64F7145F50V
HIT(日立)
AD5060BRJZ-1500RL7
ADI(亞德諾)
ADS8588SIPMR
TI(德州儀器)
TLMG1100-GS08
TI(德州儀器)
LT3042EMSE#TRPBF
LINEAR(凌特)
AT32F403ARCT7
MP1601GTF-Z
MPS(美國芯源)
CSD95372BQ5M
TI(德州儀器)
LFCN-3800+
Mini-Circuits
LM321MF/NOPB
TI(德州儀器)
MOCD213R2M
ON(安森美)
OPA842IDBVR
TI(德州儀器)
AT90PWM316-16MU
Atmel(愛特梅爾)
FDMC8327L
Fairchild(飛兆/仙童)
TCCH-80+
Mini-Circuits
ISM330DLCTR
ST(意法)
M24C04-RMN6TP
ST(意法)
CD4017BE
TI(德州儀器)
ADM7171ACPZ-R7
ADI(亞德諾)
NCP3335AMNADJR2G
ON(安森美)
10M25DCF256I7G
ALTERA(阿爾特拉)
AD5780BCPZ
ADI(亞德諾)
DP83849IVS/NOPB
TI(德州儀器)
PIC18F57Q43-I/PT
Microchip(微芯)
ATMEGA16M1-AU
Atmel(愛特梅爾)
EP4CGX30CF23C8N
ALTERA(阿爾特拉)
MCP6002T-E/SN
Microchip(微芯)
OPA227U
TI(德州儀器)
TJA1051TK/3/1
NXP(恩智浦)
74HCT245PW
NXP(恩智浦)
XIO2001ZGU
TI(德州儀器)
DRV8832DGQR
TI(德州儀器)
CAT24C08WI-GT3
ON(安森美)
CS8416-CZZR
CirrusLogic(凌云邏輯)
IS43TR16256BL-125KBLI
ISSI(美國芯成)
RS0102YH8
RUNIC（潤石）
SCA100T-D02
VTI Technologies
IRF9530NSTRLPBF
Infineon(英飛凌)
TJA1044GTK/3
NXP(恩智浦)
ADS8686SIPZAR
TI(德州儀器)
MMSD301T1G
ON(安森美)
XTR110KP
Burr-Brown(TI)
NTMFS4C10NT1G
ON(安森美)
XC6SLX75-3FGG484I
XILINX(賽靈思)
DSPIC33FJ256MC710A-I/PF
Microchip(微芯)
FSA4157AP6X
Fairchild(飛兆/仙童)
PIC16F882-I/SS
MIC(昌福)
CSD17313Q2
TI(德州儀器)
ADV7393BCPZ
ADI(亞德諾)
EP4CGX30CF23C7N
ALTERA(阿爾特拉)
GL852G
GENESYS(創(chuàng)惟)
RV1126
RockChip(瑞芯微)
SN7406DR
TI(德州儀器)
STM32F412ZET6
ST(意法)
MT51J256M32HF-80:B
micron(鎂光)
TLE4921-5U
Infineon(英飛凌)
NVTFS4C05NTAG
ON(安森美)
88E6097-A2-TAH1C000
Marvell(美滿)
AD637ARZ
ADI(亞德諾)
EPM2210F324I5N
INTEL(英特爾)
IPP320N20N3G
Infineon(英飛凌)
LM317LMX
TI(德州儀器)
MKE02Z32VLC4
NXP(恩智浦)
MT61K256M32JE-14:A
micron(鎂光)
NCV4275CDS50R4G
ON(安森美)
SGM2036-ADJYN5G/TR
SGMICRO(圣邦微)
STD10N60M2
VBsemi(臺(tái)灣微碧)
STP15810
ST(意法)
EPM3128ATC144-10N
ALTERA(阿爾特拉)
L7805ACV
ST(意法)
MC34161DR2G
ON(安森美)
MCP609-I/SL
Microchip(微芯)
RM48L952DZWTT
TI(德州儀器)
74HC154PW
NXP(恩智浦)
MC33662LEFR2
NXP(恩智浦)
80SQ045NG
ON(安森美)
ATA6662C-GAQW
Atmel(愛特梅爾)
NCP81239MNTXG
ON(安森美)
TLP2361
TOSHIBA(東芝)
TMS320C5535AZAYA10
TI(德州儀器)
SPC560C50L3C6E0X
ST(意法)
BCM89551B1BFBG
Broadcom(博通)
FAN9673Q
ON(安森美)
BAS16P2T5G
ON(安森美)
L3GD20TR
ST(意法)
NSVR351SDSA3T1G
ON(安森美)
TB67H303HG
TOSHIBA(東芝)
FQP6N90C
Fairchild(飛兆/仙童)
TC58NVG1S3HTA00
TOSHIBA(東芝)
AT91SAM7XC512B-CU
Microchip(微芯)
EC2630QI
INTEL(英特爾)
RY8310
TLV2252AIDR
TI(德州儀器)
ADM1085AKSZ
ADI(亞德諾)
K3LKBKB0BM-MGCP
SAMSUNG(三星)
MAX3485EESA+
Maxim(美信)
NVMFS5C430NLAFT1G
ON(安森美)
MT53D512M32D2DS-046AAT:D
micron(鎂光)
MAX14808ETK+
Maxim(美信)
BLE113-A-V1
SILICON LABS(芯科)
FCH067N65S3-F155
Fairchild(飛兆/仙童)
KF50BD-TR
ST(意法)
L6386ED013TR
ST(意法)
LM2903M
NS(國半)
XL1509-5.0
UMW(友臺(tái)半導(dǎo)體)
MC9S08GT16ACFBE
NXP(恩智浦)
AD7745ARUZ
ADI(亞德諾)
LT1963EST-3.3
LINEAR(凌特)
A1230LLTR-T
ALLEGRO(美國埃戈羅)
HMC902LP3E
ADI(亞德諾)
IN010C50-CD02-13GC-S03P
Marvell(美滿)
REF3030AIDBZ
TI(德州儀器)
HCPL-2630
Freescale(飛思卡爾)
RN4871-I/RM140
Microchip(微芯)
SLC32PDA228
Infineon(英飛凌)
STM32L475VCT6
ST(意法)
174463-1
TE(泰科)
ADUM2402ARWZ
ADI(亞德諾)
L6561D
ST(意法)
LM4040AIM3-3.0
NS(國半)
SDINBDG4-32G
Sandisk
AT17LV65-10PI
Atmel(愛特梅爾)
DP83849IFVS
TI(德州儀器)
IPB108N15N3G
Infineon(英飛凌)
MC33772BTP1AE
NXP(恩智浦)
MIC5219-3.3YM5
Microchip(微芯)
NTMFSC4D2N10MC
ON(安森美)
SN74AVC8T245PW
TI(德州儀器)
STM32L496ZET6
ST(意法)
TPSM33625RDNR
TI(德州儀器)
XC2S200-5FG456I
XILINX(賽靈思)
DP83620SQ
TI(德州儀器)
NEO-M9N-00B
U-BLOX(優(yōu)北羅)
TPS2320IPWR
TI(德州儀器)
XCKU15P-3FFVA1760E
XILINX(賽靈思)
AD80406BBCZ
ADI(亞德諾)
AD8361ARM
ADI(亞德諾)
ADC08D1520CIYB
TI(德州儀器)
LMC6484AIM
NS(國半)
AM29LV256ML123REI
AMD(超微)
APTM100A13SCG
Microsemi(美高森美)
LM2623AMM
NS(國半)
LT5575EUF
LINEAR(凌特)
LTC3350EUHF
ADI(亞德諾)
MT53E1G32D2NP-046WT:B
QCPL-7847-500E
Avago(安華高)
REF192ES
ADI(亞德諾)
STM32G474MEY6
TPS70950DBV
TI(德州儀器)
