IPW65R110CFD 的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
IPW65R110CFD
是否無(wú)鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
1024769233
零件包裝代碼
TO-247
包裝說(shuō)明
GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
針數(shù)
3
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
6.58
Samacsys Description
Infineon IPW65R110CFD N-channel MOSFET Transistor, 31.2 A, 700 V, 3-Pin TO-247
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2020-11-30 19:47:12
YTEOL
6.5
雪崩能效等級(jí)（Eas）
845 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
650 V
最大漏極電流 (ID)
31.2 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
0.11 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-247
JESD-30 代碼
R-PSFM-T3
JESD-609代碼
e3
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
最低工作溫度
-55 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度）
NOT SPECIFIED
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
277.8 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
99.6 A
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
NO
端子面層
Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
NOT SPECIFIED
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
IPW65R110CFD 是一款具有高性能和可靠性的場(chǎng)效應(yīng)管，廣泛應(yīng)用于電力電子和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)高效率、高功率和小體積器件的需求越來(lái)越迫切。場(chǎng)效應(yīng)管作為一種重要的半導(dǎo)體器件，其性能和特性直接影響到整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。
本論文將對(duì) IPW65R110CFD 的工作原理、主要參數(shù)、應(yīng)用領(lǐng)域以及與其他類型器件的對(duì)比進(jìn)行深入探討。
首先，IPW65R110CFD 屬于絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）及其家族產(chǎn)品。相比于傳統(tǒng)的雙極型晶體管，IPW65R110CFD 具有更好的開(kāi)關(guān)特性和更低的導(dǎo)通損耗。這種器件的核心特性源于其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：柵極通過(guò)氧化物與晶體管的通道隔離，從而有效控制流經(jīng)通道的電流。與 BJTs（雙極型晶體管）相比，IPW65R110CFD 的輸入阻抗更高，開(kāi)關(guān)速度更快，特別適合高頻應(yīng)用。
在討論其主要參數(shù)時(shí)，IPW65R110CFD 的額定電壓高達(dá) 650V，最大的連續(xù)電流為 110A。這些參數(shù)使其可以在高壓、高電流的環(huán)境下穩(wěn)定工作。此外，該器件的熱阻也相對(duì)較低，具有良好的散熱性能。這一特性對(duì)于提高器件在實(shí)際應(yīng)用中的壽命及其可靠性至關(guān)重要。
IPW65R110CFD 還具有非常良好的開(kāi)關(guān)特性。其開(kāi)關(guān)損耗低，這使得其在高頻開(kāi)關(guān)電源和逆變器等應(yīng)用中表現(xiàn)突出。在這些應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)頻率通常在幾千赫茲到幾百千赫茲之間，傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體器件往往難以滿足這種需求。而 IPW65R110CFD 憑借其快速的開(kāi)關(guān)能力，能夠有效減少開(kāi)關(guān)損耗，提高系統(tǒng)整體效率。
除了電氣參數(shù)外，我們還要關(guān)注 IPW65R110CFD 在不同應(yīng)用場(chǎng)合的適用性。可以發(fā)現(xiàn)，IPW65R110CFD 在電動(dòng)車輛的驅(qū)動(dòng)模塊、太陽(yáng)能逆變器、工頻變頻器及其他工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。尤其是在新能源領(lǐng)域，越來(lái)越多的廠商開(kāi)始采用高效率的功率半導(dǎo)體器件，以提升整體系統(tǒng)的效率和性能。
電動(dòng)車輛是當(dāng)今汽車工業(yè)的一大趨勢(shì)，而電動(dòng)機(jī)的驅(qū)動(dòng)控制是電動(dòng)車輛性能的關(guān)鍵。傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)控制采用功率 MOSFET 或 IGBT，然而，隨著對(duì)效率要求的提升，IPW65R110CFD 以其卓越的開(kāi)關(guān)特性和低損耗表現(xiàn)成為一種理想的解決方案。研究表明，使用 IPW65R110CFD 的電動(dòng)車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)在能量轉(zhuǎn)化效率上可提升 20% 以上，顯著增加了續(xù)航里程。
在風(fēng)能和太陽(yáng)能等可再生能源利用方面，IPW65R110CFD 也展示了其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。光伏逆變器中通常要求高效、低熱量的功率半導(dǎo)體器件。IPW65R110CFD 一系列的低導(dǎo)通電阻和低開(kāi)關(guān)損耗特性，使得其在太陽(yáng)能光伏系統(tǒng)中被廣泛采用，用于提高能量收集率及轉(zhuǎn)化率。
除以上提到的幾個(gè)特定應(yīng)用，IPW65R110CFD 還在許多白色家電產(chǎn)品中得到了有效應(yīng)用。例如，在逆變式空調(diào)和冰箱等設(shè)備中，IPW65R110CFD 的高效率與低損耗能夠有效降低電力消耗，進(jìn)而節(jié)約用戶的使用成本。這類產(chǎn)品的普及不僅有助于提升生活質(zhì)量，更對(duì)全球能源消耗的減少和環(huán)境保護(hù)起到積極的推動(dòng)作用。
在對(duì)比其他功率器件時(shí)，IPW65R110CFD 與傳統(tǒng)的功率 MOSFET 和更全面的 IGBT 相比，各有優(yōu)缺點(diǎn)。功率 MOSFET 一般適用于低壓、低功率的場(chǎng)合，其開(kāi)關(guān)速度快且驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單，但在高壓、大功率的應(yīng)用中顯得力不從心。而 IPW65R110CFD 較之 IGBT 則在開(kāi)關(guān)特性上表現(xiàn)更佳，但在高溫等惡劣環(huán)境條件下，IGBT 由于其更好的熱穩(wěn)定性，仍有其不可替代之處。因此，在選擇合適的功率器件時(shí)，必須根據(jù)具體應(yīng)用需求進(jìn)行綜合考量。
此外，隨著半導(dǎo)體制造工藝的不斷進(jìn)步，IPW65R110CFD 的生產(chǎn)成本也在逐步降低，這使得其在市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力不斷增強(qiáng)。許多技術(shù)進(jìn)步，如平面工藝、垂直結(jié)構(gòu)、竹片技術(shù)等，為其生產(chǎn)和應(yīng)用提供了更廣闊的可能性，進(jìn)一步推動(dòng)了其在更多領(lǐng)域的應(yīng)用。
綜上所述，IPW65R110CFD 作為一種高效能的場(chǎng)效應(yīng)管，憑借其出色的性能、廣泛的應(yīng)用以及不斷優(yōu)化的生產(chǎn)工藝，將在未來(lái)的電力電子領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
IPW65R110CFD
Infineon(英飛凌)
ISO1042BQDWRQ1
TI(德州儀器)
LM317MABDTG
ON(安森美)
ME6210A33PG
MICRONE(南京微盟)
MOC3052SR2M
Freescale(飛思卡爾)
MPC8321CVRAFDCA
NXP(恩智浦)
OPA2192IDGKT
TI(德州儀器)
SRV05-4ATCT
TECH PUBLIC(臺(tái)舟)
STD30NF06LT4
ST(意法)
TJA1028TK/3V3/20/1
NXP(恩智浦)
TLE7184F
Infineon(英飛凌)
TPS7B8233QDRVRQ1
TI(德州儀器)
XC6SLX75-2FGG676C
XILINX(賽靈思)
1N5333BG
Vishay(威世)
24AA256T-I/ST
Microchip(微芯)
ADG453BRUZ
ADI(亞德諾)
ATTINY261A-SU
Atmel(愛(ài)特梅爾)
BGX50AE6327HTSA1
Infineon(英飛凌)
BQ24104RHLR
TI(德州儀器)
BSC059N04LS6
Infineon(英飛凌)
CD40109BNSR
TI(德州儀器)
ESP32-WROVER-E-N16R8
ESPRESSIF 樂(lè)鑫
ESP8266MOD
Ai-Thinker(安信可)
ITS428L2ATMA1
Infineon(英飛凌)
LT7911D
Lontium(龍迅)
MJD127
ON(安森美)
NCP308SNADJT1G
ON(安森美)
OPA2369AIDCNR
TI(德州儀器)
OPA627BP
TI(德州儀器)
PESD5V0S1BSF
Nexperia(安世)
PESD5V0V1BB
Nexperia(安世)
SN74ALVC125PWR
TI(德州儀器)
SZMM5Z5V6T1G
ON(安森美)
TM1640B
TM(天微)
TPS2500DRCR
TI(德州儀器)
TPS2561AQDRCRQ1
TI(德州儀器)
VNI4140KTR-32
ST(意法)
XC6SLX45-3FGG676I
XILINX(賽靈思)
ADP223ACPZ-R7
ADI(亞德諾)
B330A-13-F
Diodes(美臺(tái))
CA91C142D-33IE
IDT(Renesas收購(gòu))
CS5340-CZZR
CirrusLogic(凌云邏輯)
DMP6185SE-13
Diodes(美臺(tái))
DSPIC33FJ64GS610-I/PT
Microchip(微芯)
ESD7L5.0DT5G
ON(安森美)
FQA70N15
Freescale(飛思卡爾)
HY57V561620FTP-H
HOOYI(西安后羿)
INA180A3QDBVRQ1
TI(德州儀器)
LT3995IMSE#TRPBF
ADI(亞德諾)
MCP2120T-I/SL
Microchip(微芯)
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F
micron(鎂光)
NDT456P
ON(安森美)
R5F3650TDFB#30
Renesas(瑞薩)
RFSA2033TR7
Qorvo(威訊聯(lián)合)
ST485ECDR
ST(意法)
T491D476K025AT
KEMET(基美)
TPS715A01DRBR
TI(德州儀器)
2SC3356-T1B-A
NEC
88E6071-B1-NNC2C000
Marvell(美滿)
ADG1207YRUZ
ADI(亞德諾)
ADP2386ACPZN-R7
ADI(亞德諾)
AQW212EHAX
Panasonic(松下)
BZX384-C18
Philips(飛利浦)
DAC8551IDGKT
TI(德州儀器)
FF200R12KS4
Infineon(英飛凌)
LMBT2907ALT1G
LRC(樂(lè)山無(wú)線電)
MCP120T-300I/TT
Microchip(微芯)
MT9076BB1
ZARLINK(加拿大卓聯(lián))
N25Q128A11EF840E
micron(鎂光)
PC3H7J00000F
Sharp(夏普)
PIC16F1938-I/ML
Microchip(微芯)
SGM8249-1XN5G/TR
SGMICRO(圣邦微)
SN74LS32N
MOTOROLA(摩托羅拉)
SRP1265A-220M
Bourns(伯恩斯)
STM32F746IGK6
ST(意法)
UCC2893PWR
TI(德州儀器)
UJA1169ATK/F
NXP(恩智浦)
25LC1024-E/SM
Microchip(微芯)
AD7147ACPZ-1500RL7
ADI(亞德諾)
AD7767BRUZ-RL7
ADI(亞德諾)
ADA4922-1ARDZ
ADI(亞德諾)
ADUM2201ARIZ-RL
ADI(亞德諾)
BCP55
Philips(飛利浦)
DB157S
Taiwan Semiconductor(臺(tái)灣半導(dǎo)體)
ESP-12E
ESPRESSIF 樂(lè)鑫
IS42S16400F-7TLI
ISSI(美國(guó)芯成)
K4B1G1646I-BCK0
SAMSUNG(三星)
LM4040CIM3-5.0/NOPB
NS(國(guó)半)
LTC2668IUJ-16#PBF
LINEAR(凌特)
MINISMDC150F/24-2
Raychem
MSP430F2252IDAR
TI(德州儀器)
QSH-030-01-L-D-A
Samtec
SN74LVC2G08IDCTRQ1
TI(德州儀器)
STM32L412K8T6
ST(意法)
STTH512B-TR
ST(意法)
TM4C1292NCPDTI3
TI(德州儀器)
TMUX7219DGKR
TI(德州儀器)
TPS3702CX33DDCR
TI(德州儀器)
TPS65150RGER
TI(德州儀器)
UC3843D8TR
TI(德州儀器)
ULN2065B
ST(意法)
V24B5C200BL
Vicor Corporation
W77E058A40PL
WINBOND(華邦)
1812L014DR
Littelfuse(力特)
5PB1108CMGI8
Renesas(瑞薩)
74HC4052BQ
Nexperia(安世)
74HCT04PW
NXP(恩智浦)
AD8561ARUZ
ADI(亞德諾)
ADS7844EB
TI(德州儀器)
ATECC608A-SSHDA-T
Microchip(微芯)
BLM31PG330SN1L
MURATA(村田)
CN3704
CONSONANCE(上海如韻)
DAC7551ZTDRNRQ1
TI(德州儀器)
DMN61D9UW-7
Diodes(美臺(tái))
DS2431P+
ADI(亞德諾)
ICP-10111
TDK InvenSense(應(yīng)美盛)
LCMXO256C-3MN100C
Lattice(萊迪斯)
MAX1676EUB+T
Maxim(美信)
MC74HC1G04DFT2G
ON(安森美)
MP3410DJ-LF-Z
MPS(美國(guó)芯源)
OPA211IDGKR
TI(德州儀器)
OPA2182IDGKR
TI(德州儀器)
SCB12Q4G160AF-07QI
SN74LS145N
TI(德州儀器)
SN74LV04ADR
TI(德州儀器)
SY5018BFAC
SILERGY(矽力杰)
TMS320C32PCM40
TI(德州儀器)
TPS2376DDAR-H
TI(德州儀器)
TPS613226ADBVR
TI(德州儀器)
74LVC1G58GW
NXP(恩智浦)
AD9649BCPZ-65
ADI(亞德諾)
AT32F435VMT7
AWM3300V
Honeywell(霍尼韋爾)
CY7C63413C-PVXC
Cypress(賽普拉斯)
DS2432P+T&R
Maxim(美信)
ES7148
Everest-semi(順芯)
HCPL-0631-000E
ALLEGRO(美國(guó)埃戈羅)
LCMXO2-1200HC-4MG132C
Lattice(萊迪斯)
LM293P
TI(德州儀器)
LT3840EUFE#PBF
LINEAR(凌特)
M41T93RMY6F
ST(意法)
MT9M001C12STM-DP
ON(安森美)
MX29LV320ETTI-70G
MXIC(旺宏)
S29GL01GP11FFIR10
Cypress(賽普拉斯)
SI8660BD-B-ISR
Skyworks(思佳訊)
SN74AHC00PWR
TI(德州儀器)
SQM120P06-07L-GE3
Vishay(威世)
ST1510FX
ST(意法)
STTH1R02A
ST(意法)
STWA88N65M5
ST(意法)
TLP175A
TOSHIBA(東芝)
TZMC5V1-GS08
Vishay(威世)
UM3085EESA
Union(英聯(lián))
XC3S2000-4FGG456I
XILINX(賽靈思)
XC6SLX150T-2FGG676I
XILINX(賽靈思)
XC7Z100-2FFG1156I
XILINX(賽靈思)
0451.062MRL
Littelfuse(力特)
1SMB5.0AT3G
ON(安森美)
ADG5436BRUZ
ADI(亞德諾)
AFBR-709SMZ
Avago(安華高)
AMS1117CD-3.3
AMS(艾邁斯)
BTT6050-1EKA
Infineon(英飛凌)
IPA60R099C6
Infineon(英飛凌)
ISL80101IRAJZ-T
Renesas(瑞薩)
