位置:51電子網(wǎng) » 企業(yè)新聞

      STP110N8F6 場效應(yīng)管

      發(fā)布時間:2024/12/26 11:44:00 訪問次數(shù):24 發(fā)布企業(yè):深圳市展鵬富裕科技有限公司

      STP110N8F6的詳細(xì)參數(shù)

      封裝參數(shù) 屬性 參數(shù)值 Package TO-220 Mounting Type 通孔 Pin Count 3 技術(shù)參數(shù) 屬性 參數(shù)值 TOP(°C) -55℃~+175℃(Tj) TOP min(°C) -55℃ TOP max(°C) +175℃(Tj) PD(mW) 200W(Tc) Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Channels 1 Technology MOSFET(金屬氧化物) Qg(C) 150nC @ 10V Tfall(s) 48ns Trise(s) 61ns Vdss(V) 80V Ciss(pF) 9130pF @ 40V FET Type N 通道 ID(mA) 110A(Tc) IDM(A) 440 A Operating Mode ENHANCEMENT MODE Rds On(Ω) 6.5 毫歐 @ 55A,10V Td-off(s) 162ns Td-on(s) 24ns VD(V) 10V Vgs(V) ±20V Vgs th(V) 4.5V @ 250µA 合規(guī)參數(shù) 屬性 參數(shù)值 Reach 未受影響 RoHS Yes RoHS狀態(tài) 合規(guī) Pb-free 是 MSL 1(無限) 交易參數(shù) 屬性 參數(shù)值 Factory Packing Type Tube Factory Packing Quantity 50 HTS 8541.29.0095 ECCN EAR99 Lifecycle 量產(chǎn) Lifecycle Risk 低 Weight(g) 0.058

      STP110N8F6場效應(yīng)管的特性與應(yīng)用

      在現(xiàn)代電子工程中,場效應(yīng)管(Field Effect Transistor, FET)是一個不可或缺的半導(dǎo)體器件。作為一種以電場控制電流的器件,場效應(yīng)管在數(shù)字電路和模擬電路中均有著廣泛應(yīng)用。本文將重點(diǎn)討論STP110N8F6場效應(yīng)管的特性及其在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。

      STP110N8F6是一款N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管,其主要用于高效的開關(guān)和放大應(yīng)用。該器件的額定電流為110A,而最大漏源電壓則可承受高達(dá)80V。其柵極電壓的控制使得STP110N8F6在各種條件下都能保持優(yōu)秀的導(dǎo)電性和穩(wěn)定性。由于其高電流與高電壓的特性,STP110N8F6常被應(yīng)用于電源管理、馬達(dá)驅(qū)動及其他高功率的電路設(shè)計(jì)中。

      場效應(yīng)管的工作原理基于控制電場效應(yīng),以實(shí)現(xiàn)對電流的調(diào)節(jié)。在N溝道場效應(yīng)管中,通過施加負(fù)電壓到柵極,可以在源極與漏極之間形成導(dǎo)電通道。隨著柵極電壓的增加,通道的導(dǎo)電能力隨之增強(qiáng),這使得STP110N8F6能夠在較小的控制電壓下實(shí)現(xiàn)大電流的導(dǎo)通。這種特性不僅提高了開關(guān)速度,還降低了功耗,特別是在高頻應(yīng)用中,更顯著地增強(qiáng)了系統(tǒng)的能效。

      STP110N8F6的封裝形式通常為TO-220,這種封裝既方便散熱,又適合于大功率應(yīng)用。TO-220封裝的設(shè)計(jì)使得該器件在工作過程中能夠有效散發(fā)熱量,保證其安全穩(wěn)定運(yùn)行。通過合理的散熱設(shè)計(jì),可以使STP110N8F6在高負(fù)載情況下仍保持性能的穩(wěn)定。此外,TO-220封裝的結(jié)構(gòu)也便于PCB布局,有助于整個電路的優(yōu)化。

      在特性參數(shù)方面,STP110N8F6的柵源閾值電壓(Vgs(th))通常在2V至4V之間,這意味著在電壓低于該范圍時,場效應(yīng)管處于切斷狀態(tài),而在超過該范圍后則會迅速進(jìn)入飽和狀態(tài)。這種特性使得設(shè)計(jì)師在開關(guān)電路時能夠靈活設(shè)計(jì)輸入信號,以控制器件的工作狀態(tài)。同時,該器件的導(dǎo)通電阻(Rds(on))非常低,這大大減少了在電流通過時的功耗,進(jìn)而提高了電源轉(zhuǎn)換效率。

      STP110N8F6的開關(guān)特性也值得一提,其開關(guān)速度相當(dāng)快,尤其在PWM(脈寬調(diào)制)控制應(yīng)用中表現(xiàn)出色。在電源轉(zhuǎn)換器和驅(qū)動電路中,快速的開關(guān)特性能夠有效降低開關(guān)損耗,使系統(tǒng)更加高效且可靠。對于需要高頻操作的應(yīng)用,例如開關(guān)電源和電機(jī)控制,選擇合適的場效應(yīng)管顯得尤為重要,而STP110N8F6憑借其出色的開關(guān)能力,成為了工程師的優(yōu)選。

      在應(yīng)用方面,STP110N8F6廣泛應(yīng)用于電動機(jī)驅(qū)動、開關(guān)電源、直流-直流轉(zhuǎn)換器、逆變器等高功率電路。其強(qiáng)大的承載能力和良好的熱管理性能,使其在電機(jī)驅(qū)動中表現(xiàn)優(yōu)異。通過調(diào)節(jié)柵極電壓,能夠控制電動機(jī)的轉(zhuǎn)速與扭矩,這在電動工具、電動車輛等應(yīng)用中具有重要意義。

      在開關(guān)電源領(lǐng)域,STP110N8F6由于其較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,能夠顯著提高電源轉(zhuǎn)換效率,減少發(fā)熱,并提高系統(tǒng)的可靠性。因此,許多高性能開關(guān)電源設(shè)計(jì)中都能夠看到其身影。此外,由于其能夠承受較高的電壓和電流,STP110N8F6也是常見的逆變器設(shè)計(jì)中不可或缺的組成部分。

      隨著科技的發(fā)展,對高性能集成電路的需求與日俱增,STP110N8F6作為一種優(yōu)良的場效應(yīng)管,更是在電能轉(zhuǎn)換和高功率應(yīng)用中扮演著越來越重要的角色。許多工程師在設(shè)計(jì)過程中將其視為設(shè)計(jì)方案中的關(guān)鍵器件,以期達(dá)到高效能和高可靠性。

      在現(xiàn)代電子產(chǎn)品不斷朝著智能化、高效能發(fā)展的大潮中,STP110N8F6的出現(xiàn)為許多應(yīng)用提供了強(qiáng)有力的支持。其可靠的性能、高效的轉(zhuǎn)換特點(diǎn),使其成為電子工程師夢寐以求的“工作之馬”。無論是在新興的電動汽車、電池管理系統(tǒng),還是在傳統(tǒng)的家用電器和工業(yè)自動化中,STP110N8F6都不斷展現(xiàn)出自己的價值。

      很明顯,STP110N8F6場效應(yīng)管在眾多應(yīng)用中展現(xiàn)了極高的性能和穩(wěn)定性,其獨(dú)特的技術(shù)特點(diǎn)和廣泛的適用性,使得其成為工程領(lǐng)域中不可或缺的器件之一,推動著各類電子產(chǎn)品向更高效、更智能化的方向發(fā)展。


      STP110N8F6 ST(意法)
      NC7SZ66M5X ON(安森美)
      HMC441 Hittite Microwave
      L9678PTR ST(意法)
      MKL17Z256VFM4 NXP(恩智浦)
      NRVUA160VT3G ON(安森美)
      TL431AIDBVR TI(德州儀器)
      K4B2G1646F-BCK0 SAMSUNG(三星)
      MMBZ6V8ALT1G ON(安森美)
      XCZU15EG-2FFVB1156I XILINX(賽靈思)
      INA214AIDCKR ADI(亞德諾)
      EPM570F100C5N ALTERA(阿爾特拉)
      XC4VLX25-10FFG668C XILINX(賽靈思)
      MCF54452CVR200 Freescale(飛思卡爾)
      MT48LC4M32B2P-6AIT:L micron(鎂光)
      AD5760BCPZ ADI(亞德諾)
      L9966CB-TR ST(意法)
      MC9S12XS128MAA Freescale(飛思卡爾)
      FQA11N90C-F109 ON(安森美)
      MK22FX512AVLL12 NXP(恩智浦)
      ERZHF2M220D Panasonic(松下)
      PIC12F508-I/SN MIC(昌福)
      S912XEP100W1MAL Freescale(飛思卡爾)
      SURS8160T3G ON(安森美)
      VND7E025AJTR ST(意法)
      BTA08-600CRG ST(意法)
      MCF5372LCVM240 Freescale(飛思卡爾)
      MTFC32GAPALBH-AIT micron(鎂光)
      OP262GSZ ADI(亞德諾)
      PMEG4030ER NXP(恩智浦)
      VMMK-2503-TR1G Avago(安華高)
      VN5E160STR-E ST(意法)
      LT8619C Lontium(龍迅)
      LV8729V-TLM-H ON(安森美)
      SDP810-500PA Sensirion(瑞士盛思銳)
      74HC164PW Philips(飛利浦)
      ATMEGA168PB-AU Microchip(微芯)
      MC33660BEFR2 Freescale(飛思卡爾)
      XC7K410T-1FBG676I XILINX(賽靈思)
      MCIMX536AVP8C2 NXP(恩智浦)
      MURB1620CTRT4G ON(安森美)
      TLV2221IDBVR TI(德州儀器)
      BCM56962B1KFSBG Broadcom(博通)
      SGM8249-2XS8G/TR SGMICRO(圣邦微)
      TDA8920CTH NXP(恩智浦)
      LE88221DLC ZARLINK(加拿大卓聯(lián))
      LTC2420CS8#TRPBF LINEAR(凌特)
      TPS62933DRLR TI(德州儀器)
      LM2576HVS-ADJ NS(國半)
      SH367309U/048UR sinowealth(中穎電子)
      TLV70212DBVR TI(德州儀器)
      BSC070N10NS3G Infineon(英飛凌)
      AD8132ARMZ ADI(亞德諾)
      SN74AVC2T45DCUR TI(德州儀器)
      STM32F072CBU6 ST(意法)
      AD8276ARMZ ADI(亞德諾)
      1551920-2 TE(泰科)
      AD9637BCPZ-80 ADI(亞德諾)
      LM201ADT ST(意法)
      AD8369ARUZ ADI(亞德諾)
      STM32F746IGT7 ST(意法)
      SY8120IABC SILERGY(矽力杰)
      PM40100B1-FEI Microchip(微芯)
      80HCPS1848CBLGI IDT(Renesas收購)
      AT25SF161B-SSHB-T ADESTO(領(lǐng)迎)
      STGW60H65DFB ST(意法)
      OP37GSZ ADI(亞德諾)
      AD712JRZ ADI(亞德諾)
      MAX9920ASA/V+T Maxim(美信)
      LTC1867AIGN LINEAR(凌特)
      STM32WB55REV6 ST(意法)
      HT1632C HOLTEK(合泰)
      INA293A4IDBVR TI(德州儀器)
      STPS30H100CT ST(意法)
      ADS8320EB Burr-Brown(TI)
      LM5017MRX NS(國半)
      MAX3491ESD Maxim(美信)
      MX25U51245GZ4I00 MXIC(旺宏)
      SAF-C515C-8EMCA Infineon(英飛凌)
      SY8030DEC SILERGY(矽力杰)
      ADC10D1000CIUT TI(德州儀器)
      HV582GA-G Microchip(微芯)
      R5F21258SNFP Renesas(瑞薩)
      LM2674MX-3.3 NS(國半)
      LT3092EDD ADI(亞德諾)
      SP3232EEA SIPEX(西伯斯)
      TPS51100DGQR TI(德州儀器)
      ISO1212DBQR TI(德州儀器)
      ISO124U/1K TI(德州儀器)
      MBRM140T3G ON(安森美)
      A4911KJPTR-T-1 ALLEGRO(美國埃戈羅)
      TPS4H160AQPWPRQ1 TI(德州儀器)
      LMZ10503TZ-ADJ/NOPB TI(德州儀器)
      MGSF1N03LT1G ON(安森美)
      MAX232CPE+ Maxim(美信)
      FDN352AP ON(安森美)
      SN65LVDS2DBVR TI(德州儀器)
      TS3USB3031RMGR TI(德州儀器)
      5M40ZE64C5N ALTERA(阿爾特拉)
      KSZ8041NL-TR Microchip(微芯)
      DRV8814PWPR TI(德州儀器)
      AMC1301QDWVRQ1 TI(德州儀器)
      AT24CM01-XHD-T Atmel(愛特梅爾)
      74LVC1G14GW Nexperia(安世)
      EP4CGX15BF14I7N ALTERA(阿爾特拉)
      B82790S0513N201 EPCOS(愛普科斯)
      IPB180P04P4L-02 Infineon(英飛凌)
      ULN2003APWR TI(德州儀器)
      MCP16331T-E/CH Microchip(微芯)
      TDA8541T/N1 NXP(恩智浦)
      OPA567AIRHGR TI(德州儀器)
      SPW55N80C3 Infineon(英飛凌)
      LP2950ACDT-5RKG ON(安森美)
      TPS3808G30DBVR TI(德州儀器)
      RK809-5 RockChip(瑞芯微)
      LM2903PWR TI(德州儀器)
      FDMC2523P ON(安森美)
      SN74HC125DR TI(德州儀器)
      MJD44H11G ON(安森美)
      MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A micron(鎂光)
      TCAN1044AVDRBRQ1 TI(德州儀器)
      AT42QT1011-TSHR Atmel(愛特梅爾)
      PDTC114ET NXP(恩智浦)
      5CEBA7F23C8N ALTERA(阿爾特拉)
      SN74HC32DR TI(德州儀器)
      OPA374AIDBVR TI(德州儀器)
      ACS710KLATR-25CB-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
      A6211GLJTR-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
      KSZ8851SNLI-TR Micrel(麥瑞)
      W25Q64JVZPIQ WINBOND(華邦)
      MBRAF440T3G ON(安森美)
      PC28F00BP30EFA micron(鎂光)
      L9110S XINBOLE(芯伯樂)
      KSZ8873MLL Microchip(微芯)
      PE42641MLIBB-Z Peregrine Semiconductor
      TCAN4550RGYRQ1 TI(德州儀器)
      CM4102008 Raspberry Pi
      MT9P031I12STM-DP ON(安森美)
      XCS30-3TQ144I XILINX(賽靈思)

      相關(guān)新聞

      相關(guān)型號



       復(fù)制成功!
      亚洲av综合在线手机版_日韩av无码精品专区_婷婷五月无码在线观看_老子影院午夜精品无码_中文字幕一区二区精品区