ZXMN6A07ZTA 場效應(yīng)管

ZXMN6A07ZTA的詳細(xì)參數(shù)

參數(shù)名稱 參數(shù)值
是否Rohs認(rèn)證 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1929850446
包裝說明 SOT-89, 3 PIN
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
風(fēng)險等級 7.67
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 60 V
最大漏極電流 (ID) 1.7 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 0.3 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PDSO-F3
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.6 W
認(rèn)證狀態(tài) Not Qualified
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn)
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 40
晶體管應(yīng)用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

ZXMN6A07ZTA場效應(yīng)管的特性與應(yīng)用研究

引言

場效應(yīng)管（Field Effect Transistor, FET）是一種重要的電子元件，廣泛應(yīng)用于放大、開關(guān)和信號調(diào)制等領(lǐng)域。ZXMN6A07ZTA作為一種N溝道增強型場效應(yīng)管，因其優(yōu)良的性能而備受關(guān)注。本文將探討ZXMN6A07ZTA的基本特性、工作原理、應(yīng)用場景及其在實際電路中的表現(xiàn)。

ZXMN6A07ZTA的基本特性

ZXMN6A07ZTA是一種以N型半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的增強型場效應(yīng)管，具有較高的輸入阻抗和較低的電流驅(qū)動要求。其關(guān)鍵特性包括：

1. 漏極電流（Id）：ZXMN6A07ZTA的最大漏極電流可達(dá)到30A，這使其在高功率應(yīng)用中的表現(xiàn)尤為出色。 2. 耐壓（Vds）：該管的耐壓值為60V，能適應(yīng)多種電源電壓條件下的應(yīng)用。

3. 門源電壓（Vgs）：為了確保管子正常工作，Vgs的范圍通常在-20V到+20V之間。

4. 開關(guān)速度：ZXMN6A07ZTA具備較快的開關(guān)速度，適合用于開關(guān)電源和高速信號處理。

5. 功耗�。浩湓陂_關(guān)工作狀態(tài)下的功耗較小，適用于節(jié)能設(shè)計。

工作原理

場效應(yīng)管的工作原理主要基于電場對載流子的控制。ZXMN6A07ZTA為N型增強型FET，其工作過程中，輸入信號施加在門極（Gate）上，從而改變導(dǎo)通通道的載流子濃度。未施加電壓時，導(dǎo)電通道關(guān)閉；一旦施加正電壓，電子會被吸引并形成導(dǎo)電通道，從而允許電流從漏極（Drain）流向源極（Source）。這種通過電場控制的特性使得FET能在很小的輸入電流下控制大電流流動。

應(yīng)用場合

ZXMN6A07ZTA因其優(yōu)越的性能，廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域。以下是幾種典型應(yīng)用：

1. 開關(guān)電源

在開關(guān)電源設(shè)計中，高效的開關(guān)器件是必不可少的。ZXMN6A07ZTA因其較低的導(dǎo)通電阻和較快的開關(guān)速度，能夠有效降低功率損耗并提高電源的整體效率。

2. 馬達(dá)驅(qū)動

在直流電動機(jī)的驅(qū)動應(yīng)用中，ZXMN6A07ZTA可以作為開關(guān)元件使用。其高電流承載能力使得其能夠在馬達(dá)啟動時處理瞬時高電流，避免損壞。

3. 信號放大

ZXMN6A07ZTA在音頻放大器等信號處理電路中也有良好的表現(xiàn)。高輸入阻抗和低輸出阻抗使得其在信號傳遞過程中幾乎不影響信號源的特性。

電路設(shè)計與示例

在實際電路設(shè)計中，ZXMN6A07ZTA的使用需要考慮其引腳配置和工作參數(shù)。例如，在設(shè)計一個基本的開關(guān)電源時，可以將ZXMN6A07ZTA作為開關(guān)管，采用PWM控制信號，以實現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換。在完成電路設(shè)計后，需進(jìn)行詳細(xì)的測試，以確保其在不同負(fù)載條件下的穩(wěn)定性和可靠性。

利用ZXMN6A07ZTA時，還需注意其散熱問題。雖然其內(nèi)部設(shè)計可以承受較高的電流，但在高溫環(huán)境下，其性能可能會受到影響。為了延長器件的使用壽命，必須在設(shè)計中考慮適當(dāng)?shù)纳岽胧�，比如增加散熱片或采用強制風(fēng)冷方式。

性能指標(biāo)分析

在評估ZXMN6A07ZTA的性能時，關(guān)鍵指標(biāo)包括電流通過能力、開關(guān)損耗和溫度特性。根據(jù)數(shù)據(jù)手冊，ZXMN6A07ZTA在不同工作條件下的性能圖表提供了重要的信息，這些信息可以指導(dǎo)工程師在不同的應(yīng)用場合進(jìn)行合理選擇。

- 導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：是影響功耗的重要因素，較低的導(dǎo)通電阻意味著在開關(guān)狀態(tài)時能量損耗較小。 - 開關(guān)時間：確切的開和關(guān)時間直接影響到開關(guān)頻率的設(shè)計，良好的開關(guān)性能有助于提高系統(tǒng)的整體效率。

- 熱特性：在高功率應(yīng)用中，溫度升高可能導(dǎo)致器件失效，因此通過合理的降溫設(shè)計可以有效保障ZXMN6A07ZTA的長期穩(wěn)定工作。

ZXMN6A07ZTA的特性使其在眾多電子應(yīng)用中展現(xiàn)出強大的能力。無論是在家電、工業(yè)自動化，還是在電動車輛的驅(qū)動系統(tǒng)中，其均發(fā)揮著關(guān)鍵的作用。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步及對更高性能、更小體積和更低成本的持續(xù)追求，ZXMN6A07ZTA無疑將在更廣泛的領(lǐng)域中得到應(yīng)用與發(fā)展。

ZXMN6A07FTA Zetex Semiconductors
SI2318CDS-T1-GE3 Vishay(威世)
AD8675ARMZ-REEL ADI(亞德諾)
TMS320C31PQA50 TI(德州儀器)
LM331N/NOPB TI(德州儀器)
MMBT3904TT1G ON(安森美)
ICL3221EIAZ-T Renesas(瑞薩)
ICL7660SCBAZ-T Intersil(英特矽爾)
K4S561632N-LC75 SAMSUNG(三星)
ADXL326BCPZ-RL7 ADI(亞德諾)
AS5045-ASST AMS(艾邁斯)
FDS6930B Freescale(飛思卡爾)
TCA9535RGER TI(德州儀器)
SN74LS07NSR TI(德州儀器)
LMV358AIDR TI(德州儀器)
PVT422SPBF Infineon(英飛凌)
SN74LVCH8T245PWR TI(德州儀器)
FODM124R2 Fairchild(飛兆/仙童)
TCAN1044VDRBRQ1 TI(德州儀器)
25LC512-E/SN Microchip(微芯)
BSC012N06NS Infineon(英飛凌)
FDC602P Freescale(飛思卡爾)
TLV70033DSER TI(德州儀器)
IPD90N06S4-04 Infineon(英飛凌)
BC857 NXP(恩智浦)
C8051F040-GQR SILICON LABS(芯科)
LT1963AES8#PBF ADI(亞德諾)
SI5338C-B-GMR SILICON LABS(芯科)
SN74CB3T3245PWR TI(德州儀器)
ADS8339IDGSR Burr-Brown(TI)
IRF9630PBF IR(國際整流器)
MAX15062BATA+T Maxim(美信)
SPC5605BK0MLL6R Freescale(飛思卡爾)
TPS76833QPWPR TI(德州儀器)
ADSP-TS201SABP-060 XILINX(賽靈思)
GAL16V8D-15LD/883 Lattice(萊迪斯)
MF-MSMF030-2 Bourns(伯恩斯)
MT47H32M16HR-25E:G micron(鎂光)
NUC131LD2AE Nuvoton(新唐)
TPS51396RJER TI(德州儀器)
NCV317MABDTRKG ON(安森美)
B0520LW-7-F Diodes(美臺)
BC847BPDW1T1G LRC(樂山無線電)
ECMF02-4CMX8 ST(意法)
NRVB140SFT1G ON(安森美)
TCAN334GDCNR TI(德州儀器)
TCMT4600 Vishay(威世)
TPS74601PBQWDRVRQ1 TI(德州儀器)
ACM7060-301-2PL-TL01 TDK(東電化)
DMP10H4D2S-7 Diodes(美臺)
ADT2-1T-1P+ Mini-Circuits
DMP2305U-7 Opto Diode Corporation
SMBJ5.0CA-TR Vishay(威世)
SN74LVC04ADR TI(德州儀器)
FDG6316P ON(安森美)
PSMN040-100MSEX NXP(恩智浦)
BZX84C12 NXP(恩智浦)
ICE3BR0665J Infineon(英飛凌)
SPP11N60C3 Infineon(英飛凌)
TPIC6A596DWRG4 TI(德州儀器)
TPS54336ADRCR TI(德州儀器)
TPS73501DRBR TI(德州儀器)
AM4378BZDNA100 TI(德州儀器)
IS25LP064A-JBLE-TR ISSI(美國芯成)
NJM4558M-TE1 JRC(日本無線電)
OPA211AIDGKR Burr-Brown(TI)
STB18NM80 ST(意法)
TPS3813I50QDBVRQ1 TI(德州儀器)
AD8662ARZ-REEL7 ADI(亞德諾)
BAT54CW-7-F Opto Diode Corporation
LM2903BIDR TI(德州儀器)
MCP16311T-E/MS Microchip(微芯)
SN74AUP1G74DCUR TI(德州儀器)
STM32L412CBT6 ST(意法)
T491X476K035AT KEMET(基美)
ACS70331EOLCTR-2P5B3 ALLEGRO(美國埃戈羅)
ATMEGA329PA-AUR Microchip(微芯)
IRF4905SPBF Infineon(英飛凌)
IRFR4620TRLPBF IR(國際整流器)
KSZ8873FLLI Microchip(微芯)
SN74LVC2G132DCUR TI(德州儀器)
STPS5H100B-TR ST(意法)
10M04DCF256I7G INTEL(英特爾)
CY2305SXC-1HT Cypress(賽普拉斯)
MAX823TEUK+T Maxim(美信)
URB2405S-6WR3 MORNSUN(金升陽)
AZ1117H-3.3TRE1 BCD Semiconductor Manufacturing Limited
MCP73831T-2ACI/MC MIC(昌福)
PS2701A-1-F3-A Renesas(瑞薩)
SM6T33CA ST(意法)
SS16 Vishay(威世)
TGL2208-SM TriQuint (超群)
TQP3M9018 Qorvo(威訊聯(lián)合)
SN74LVC2G74DCTR TI(德州儀器)
TLV6001IDBVR TI(德州儀器)
ERA-2SM+ Mini-Circuits
GALI-39+ Mini-Circuits
HFCN-7150+ Mini-Circuits
LTM4668AIY#PBF LINEAR(凌特)
EPM7032AETI44-7N ALTERA(阿爾特拉)
IPT60R022S7 Infineon(英飛凌)
LFXP2-5E-5QN208C Lattice(萊迪斯)
UPC1093T-E1-AZ NEC
A1326LLHLT-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
ACT4088US-T ACTIVE-SEMI
ATMEGA1284-AU Atmel(愛特梅爾)
BSS84W-7-F Diodes(美臺)
MFR4310E1MAE40 Freescale(飛思卡爾)
TPS76330DBVR TI(德州儀器)
TPS7A5301RPSR TI(德州儀器)
USB2512B-I/M2 Microchip(微芯)
2908-05WB-MG 3M
AD5544ARSZ-REEL7 ADI(亞德諾)
BC847BW Philips(飛利浦)
LTV-354T-A LITEON(臺灣光寶)
NCP380HSN05AAT1G ON(安森美)
XC7S25-2CSGA324I XILINX(賽靈思)
CAT24C64YI-GT3 Catalyst Semiconductor
DPA423GN-TL Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
LM4040C50IDBZR TI(德州儀器)
LT1965IMS8E#PBF LINEAR(凌特)
MCP3221A5T-E/OT Microchip(微芯)
OPA552FAKTWT TI(德州儀器)
PC28F512P30BFB micron(鎂光)
RS8551XF Y.S. TECH（YEN SUN TECHNOLOGY）
STTH1R06U ST(意法)
TPS2379DDAR TI(德州儀器)
AD7688BRMZ ADI(亞德諾)
MINISMDC020F-2 TE(泰科)
NCE60P04Y NCE Power(新潔能)
NE3210S01-T1B Renesas(瑞薩)
PIC16F1527-I/PT Microchip(微芯)
BC846ALT1G Fairchild(飛兆/仙童)
MT47H64M16HR-25E:H micron(鎂光)
MURA115T3G ON(安森美)
SKY16601-555LF Skyworks(思佳訊)
SN75240PWR TI(德州儀器)
TMC2160A-TA-T Maxim(美信)
XC6SLX45-2CSG484C XILINX(賽靈思)