STF26NM60N 的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
STF26NM60N
Brand Name
STMicroelectronics
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
2127890657
零件包裝代碼
TO-220AB
包裝說明
ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN
針數(shù)
3
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
14 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
0.86
Samacsys Description
STMICROELECTRONICS - STF26NM60N - Power MOSFET, N Channel, 600 V, 10 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Through Hole
Samacsys Manufacturer
STMicroelectronics
Samacsys Modified On
2025-01-03 09:55:24
YTEOL
5.95
雪崩能效等級(jí)（Eas）
610 mJ
外殼連接
ISOLATED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
600 V
最大漏極電流 (ID)
20 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
0.165 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-220AB
JESD-30 代碼
R-PSFM-T3
JESD-609代碼
e3
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度）
NOT SPECIFIED
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
30 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
80 A
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
NO
端子面層
Matte Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
NOT SPECIFIED
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
STF26NM60N場(chǎng)效應(yīng)管的特性及應(yīng)用研究
一、引言
隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的飛速發(fā)展，場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor, FET）作為一種重要的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于信號(hào)放大、電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。其中，STF26NM60N是一款適用于高電壓和大電流應(yīng)用的N溝道MOSFET，其優(yōu)越的電性能使其成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要組成部分。
二、STF26NM60N的器件結(jié)構(gòu)
STF26NM60N屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET，其主要結(jié)構(gòu)由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三部分組成。柵極通過絕緣層與溝道相隔離，控制電流的流動(dòng)。當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，溝道中形成導(dǎo)電載流子，允許電流從漏極流向源極。STF26NM60N的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有效降低了導(dǎo)通電阻，提高了開關(guān)速度，適應(yīng)了高效能的應(yīng)用需求。
三、關(guān)鍵電氣參數(shù)
STF26NM60N具有多個(gè)關(guān)鍵電氣參數(shù)，使其在高壓、大電流環(huán)境下表現(xiàn)出色。這些參數(shù)包括最大漏極-源極電壓（V_DS）、最大漏極電流（I_D）、門極閾值電壓（V_GS(th)）等。
1. 最大漏極-源極電壓（V_DS）：STF26NM60N的額定最高工作電壓為600V，適合用于高壓供電系統(tǒng)及各種變換器電路。其高耐壓特性使其在電源設(shè)備和工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用。
2. 最大漏極電流（I_D）：該器件的最大漏極電流可達(dá)到26A，適合用于高電流應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率放大器。其低導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）使其能夠以最小的功率損耗實(shí)現(xiàn)高電流輸出。
3. 門極閾值電壓（V_GS(th)）：STF26NM60N的門極閾值電壓在2V至4V之間，能夠通過相對(duì)較低的電壓驅(qū)動(dòng)，符合現(xiàn)代低電壓控制電路的要求。
四、工作特性分析
STF26NM60N在實(shí)際工作中的性能表現(xiàn)在其開關(guān)特性和直流特性上。在開關(guān)特性方面，其開關(guān)速度較快，能夠在微秒級(jí)別內(nèi)完成開啟和關(guān)閉。這一特性使得STF26NM60N在高頻開關(guān)電源和逆變器中表現(xiàn)出色，能夠有效降低開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。
在直流特性方面，STF26NM60N在導(dǎo)通狀態(tài)下表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通電阻，因而在承載大電流時(shí)不會(huì)產(chǎn)生顯著的熱效應(yīng)。這對(duì)于提高系統(tǒng)的可靠性和壽命具有重要意義。同時(shí)，該器件在關(guān)斷狀態(tài)下，極高的漏電流特性確保了能量損耗的最小化，有效提升了電源的綜合性能。
五、熱管理與散熱設(shè)計(jì)
在高功率應(yīng)用中，STF26NM60N的散熱設(shè)計(jì)至關(guān)重要。隨著泄放功率的增大，器件內(nèi)部的溫度將會(huì)升高，進(jìn)而影響器件的工作性能及壽命。因此，合理的散熱設(shè)計(jì)能夠有效降低器件的工作溫度，提升工作穩(wěn)定性。一般而言，可以采用散熱片、強(qiáng)制風(fēng)冷及水冷等方式進(jìn)行散熱，提升器件的散熱效率。此外，搭配適合的PCB設(shè)計(jì)，可以進(jìn)一步優(yōu)化散熱效果與整體系統(tǒng)的兼容性。
六、在電源管理中的應(yīng)用
STF26NM60N因其優(yōu)異的電氣特性被廣泛應(yīng)用于電源管理領(lǐng)域。在開關(guān)電源中，該器件能夠?qū)崿F(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換，極大提高電源的工作效率。特別是在電源適配器、LED驅(qū)動(dòng)電源和DC-DC變換器中，STF26NM60N的應(yīng)用能夠有效降低功率損耗，從而提升產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
七、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制技術(shù)的趨勢(shì)
隨著智能制造和自動(dòng)化技術(shù)的發(fā)展，電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制技術(shù)得到了快速發(fā)展。STF26NM60N作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制的重要組件，其精準(zhǔn)的控制特性能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。在步進(jìn)電機(jī)和無刷直流電機(jī)的控制系統(tǒng)中，STF26NM60N能夠大幅提升電機(jī)的響應(yīng)速度與扭矩輸出。此外，該器件的高耐壓特性使得其可以廣泛應(yīng)用于各種功率要求的電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合，提升電機(jī)的運(yùn)行效率并降低能耗。
在未來，隨著新能源汽車、軌道交通等先進(jìn)制造業(yè)的不斷發(fā)展，對(duì)高性能MOSFET的需求將繼續(xù)增加，STF26NM60N無疑將繼續(xù)在該領(lǐng)域中扮演重要角色。基于其各項(xiàng)優(yōu)良特性，未來在相關(guān)應(yīng)用中仍將深入探索STF26NM60N的潛力，以滿足更加嚴(yán)格的技術(shù)和經(jīng)濟(jì)要求。
此外，STF26NM60N隨著制作工藝的不斷改進(jìn)，其性能也在逐步提升。例如，隨著新材料的應(yīng)用及結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的優(yōu)化，未來STF26NM60N的導(dǎo)通電阻可能會(huì)進(jìn)一步降低，使其在大電流、高頻率場(chǎng)合下表現(xiàn)出更為優(yōu)越的性能。此類新材料的引入，還能夠顯著提升器件的熱穩(wěn)定性，為更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域提供可能。
八、高效能與環(huán)境友好設(shè)計(jì)
在當(dāng)今強(qiáng)調(diào)環(huán)保和可持續(xù)發(fā)展的社會(huì)背景下，STF26NM60N同樣響應(yīng)時(shí)代的要求，推動(dòng)著高效率、低能耗的設(shè)計(jì)方向。新一代電源設(shè)備需要在保證性能的同時(shí)，最大限度地減少對(duì)環(huán)境的影響。在這一背景下，使用STF26NM60N等高效能器件，不僅能夠提升電源設(shè)備的性能，也能有效減少電力的無效使用，達(dá)到節(jié)能降耗的重要目的。通過電源設(shè)計(jì)中的優(yōu)化，以及對(duì)能源使用的重新定義，我們絕對(duì)能夠在推進(jìn)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的同時(shí)，達(dá)到保護(hù)環(huán)境的目標(biāo)。
STF26NM60N
ST(意法)
TCAN1043DRQ1
TI(德州儀器)
XC95144XL-10TQG144I
XILINX(賽靈思)
1367073-1
TE(泰科)
LD3985M33R
ST(意法)
MC34151DR2G
ON(安森美)
RTL8211FDI-CG
REALTEK(瑞昱)
THC63LVD104C
THine Electronics Inc
C3D20060D
Wolfspeed
MIMXRT1061CVL5B
NXP(恩智浦)
TC74HC14AF
TOSHIBA(東芝)
IRFS4229TRLPBF
Infineon(英飛凌)
LCMXO2-2000HC-4FTG256C
Lattice(萊迪斯)
MBR140SFT3G
ON(安森美)
NTMFS4C028NT1G
ON(安森美)
PI5C3257QEX
Diodes(美臺(tái))
RT9078-33GJ5
RICHTEK(臺(tái)灣立锜)
SN74ALVCH16373DGGR
TI(德州儀器)
ASSR-1510-003E
Avago(安華高)
IRF1010EPBF
IR(國(guó)際整流器)
ALT3232M-151-T001
TDK(東電化)
KTY81/210
Philips(飛利浦)
LD1117AG-33-AA3-A-R
UTC(友順)
2N7000
Fairchild(飛兆/仙童)
DAC7744EC
TI(德州儀器)
FSBB10CH120DF
ON(安森美)
LF347N
ST(意法)
MCIMX257DJM4A
NXP(恩智浦)
MT28EW256ABA1HJS-0SIT
micron(鎂光)
150060GS75000
Wurth(伍爾特)
BCM84891LB0KFEBG
Broadcom(博通)
CSD19502Q5B
TI(德州儀器)
FYV0704SMTF
Freescale(飛思卡爾)
HMC814LC3B
ADI(亞德諾)
NR3015T2R2M
TAIYO YUDEN(太誘)
STM32L475RGT6
ST(意法)
ADSP-TS201SABPZ-060
ADI(亞德諾)
ATXMEGA256A3-MH
Microchip(微芯)
EL6N137
Freescale(飛思卡爾)
MAX-M10S-00B
U-BLOX(優(yōu)北羅)
MCP3204-CI/SL
Microchip(微芯)
MP24894GJ-Z
MPS(美國(guó)芯源)
NB7VPQ904MMUTWG
ON(安森美)
NCV7344D10R2G
ON(安森美)
TLE4997E2
Infineon(英飛凌)
AD5679RBCPZ-1
ADI(亞德諾)
DM9000BIEP
DAVICOM(聯(lián)杰國(guó)際)
DSPIC33EP512MC806-I/PT
Microchip(微芯)
FIN3386MTDX
ON(安森美)
M95FA-03-STDN
移遠(yuǎn) Quectel
OPA2132UA
Burr-Brown(TI)
PIC16F18313T-I/SN
Microchip(微芯)
TLE7181EM
Infineon(英飛凌)
TMS320F28069PFPQ
TI(德州儀器)
DS90UB921TRHSRQ1
TI(德州儀器)
EPM3256ATC144-7N
ALTERA(阿爾特拉)
MX25L12835FZ2I-10G
MXIC(旺宏)
TS5A22362DGSR
TI(德州儀器)
MFI341S2313
Renesas(瑞薩)
RTS5411S-GR
REALTEK(瑞昱)
STGIPL14K60
ST(意法)
XH414HG-IV01E
SII Semiconductor Corporation
ADG444BRZ
ADI(亞德諾)
ASM1061
AMS(艾邁斯)
NCP1395BDR2G
ON(安森美)
NDT3055
ON(安森美)
PIC18F25K20-I/SO
Microchip(微芯)
TL074CPWR
TI(德州儀器)
1054500101
Molex(莫仕)
AD8402ARZ100
ADI(亞德諾)
LSF0204QPWRQ1
TI(德州儀器)
PIC16F1718T-I/SS
Microchip(微芯)
AD5320BRMZ
ADI(亞德諾)
MC56F82748VLH
Freescale(飛思卡爾)
RFSW8000TR7
Qorvo(威訊聯(lián)合)
SN74LS14N
MOT(仁懋)
DRV8889QPWPRQ1
TI(德州儀器)
MJD44E3T4G
ON(安森美)
MPX5700ASX
Freescale(飛思卡爾)
NSA2860
R5F10BGGCLFB#15
Renesas(瑞薩)
TCA9406YZPR
TI(德州儀器)
WM8731CLSEFL/R
CirrusLogic(凌云邏輯)
CS51414EDR8G
ON(安森美)
H20R1203
Infineon(英飛凌)
MC34063ADG
ON(安森美)
MX66L1G45GMI-10G
MXIC(旺宏)
NT5CB64M16FP-DH
Nanya Technology
PDTD113ZT
NXP(恩智浦)
RX8025T-UB
EPSON(愛普生)
CGH40045F
CREE(科銳)
LM62440CPPQRJRRQ1
TI(德州儀器)
TPS7A02185PDQNR
TI(德州儀器)
74HC74PW
Philips(飛利浦)
ATXMEGA384C3-MH
Microchip(微芯)
FSBB15CH120D
ON(安森美)
G2898KD1U
GMT(致新)
HDMIULC6-4SC6
ST(意法)
LM2904VQDRQ1
TI(德州儀器)
MT6323LGA
MediaTek.Inc(聯(lián)發(fā)科)
NJVNJD35N04T4G
ON(安森美)
ST72F324BJ6T6
ST(意法)
STW70N60M2
ST(意法)
XC7Z030-2FBG484I
XILINX(賽靈思)
74HC125PW
NXP(恩智浦)
AD5320BRTZ
ADI(亞德諾)
MPX5050DP
MOTOROLA(摩托羅拉)
NCP3066DR2G
ON(安森美)
TP3067WM
TI(德州儀器)
UPD720210K8-BAF-A
Renesas(瑞薩)
88E6083-B0-LGR1C000
Marvell(美滿)
CH340B
WCH(南京沁恒)
EM2140P01QI
ALTERA(阿爾特拉)
EPM7128STI100-10
ALTERA(阿爾特拉)
KSZ9563RNXI
Microchip(微芯)
MIMXRT1024CAG4A
NXP(恩智浦)
