IPW65R230CFD7AXKSA1 的詳細(xì)參數(shù)
概述
The 230mOhm IPW65R230CFD7A in TO-247 package is part of the automotive-qualified 650V CoolMOS™ SJ powerMOSFET CFD7Aproduct family. As compared to the previous generation,CoolMOS™ CFD7Aoffers higher reliability and power density while increasing design flexibility.
特性 AEC-Q101 qualified Battery voltages up to 475V without compromising on reliability standards Efficiency improvements in hard- and soft-switching topologies up to 98.4% Intrinsic fast body diode with 30% lower Qrrcompared to CoolMOS™ CFDA Highest reliability in the field meeting automotive lifetime requirements Enabling of higher power density designs Scalable as designed for use in PFC and DC-DC stage Granular portfolio available 應(yīng)用 On-board chargers Hard-switching topologies (with SiC diode) PFC boost-stages DC-DC stage of on-board chargers HV-LV DC-DC converters LLC or full-bridge phase shift (ZVS) Auxiliary power supplies 展開(kāi) 概述The 230mOhm IPW65R230CFD7A in TO-247 package is part of the automotive-qualified 650V CoolMOS™ SJ powerMOSFET CFD7Aproduct family. As compared to the previous generation,CoolMOS™ CFD7Aoffers higher reliability and power density while increasing design flexibility.
特性 AEC-Q101 qualified Battery voltages up to 475V without compromising on reliability standards Efficiency improvements in hard- and soft-switching topologies up to 98.4% Intrinsic fast body diode with 30% lower Qrrcompared to CoolMOS™ CFDA Highest reliability in the field meeting automotive lifetime requirements Enabling of higher power density designs Scalable as designed for use in PFC and DC-DC stage Granular portfolio available 應(yīng)用 On-board chargers Hard-switching topologies (with SiC diode) PFC boost-stages DC-DC stage of on-board chargers HV-LV DC-DC converters LLC or full-bridge phase shift (ZVS) Auxiliary power supplies 封裝參數(shù) 屬性 參數(shù)值 Package TO247 Pin Count 3.0Pins 技術(shù)參數(shù) 屬性 參數(shù)值 TOP(°C) -40℃~+150℃(Tj) TOP min(°C) -40℃ TOP max(°C) +150℃ PD(mW) 63W(Tc) Technology CoolMOS™ CFD7A Rds On(Ω) 230mΩ@5.2A,10V Ciss(pF) 1044pF@400V FET Type N通道 ID(mA) 11A(Tc) Vgs(V) ±20V Vgs th(V) 4.5V@260µA 合規(guī)參數(shù) 屬性 參數(shù)值 AEC-Q AEC-Q101 Reach 未受影響 RoHS狀態(tài) 合規(guī) Pb-free 是 交易參數(shù) 屬性 參數(shù)值 Factory Packing Type 管裝 Factory Packing Quantity 30 Lifecycle 量產(chǎn) Lifecycle Risk 低 Weight(g) 8.55克(g)
IPW65R230CFD7AXKSA1 場(chǎng)效應(yīng)管的特性與應(yīng)用分析
在現(xiàn)代電子電路中，場(chǎng)效應(yīng)管（FET）作為一種重要的半導(dǎo)體器件，以其高效能和多功能的特性在眾多應(yīng)用中發(fā)揮著重要作用。IPW65R230CFD7AXKSA1是一種特定型號(hào)的功率場(chǎng)效應(yīng)管，具備優(yōu)越的電氣特性和廣泛的應(yīng)用潛力，值得深入探討。
一、IPW65R230CFD7AXKSA1的基本參數(shù)
IPW65R230CFD7AXKSA1是一款由國(guó)際知名半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET，具備較高的電壓和電流承載能力。其最大漏極源極電壓（V_DS）為650V，漏極電流（I_D）為230A。此外，該器件的R_DS(on)值值得關(guān)注，通常在較小的電阻范圍內(nèi)，使其在開(kāi)啟狀態(tài)下能耗較低，從而提高了整體能效。
該場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)啟和關(guān)斷速度也相對(duì)較快，這使其在高頻開(kāi)關(guān)電源和其他動(dòng)態(tài)響應(yīng)要求較高的電路中表現(xiàn)良好。其輸入電容（C_iss）與輸出電容（C_oss）在設(shè)計(jì)電路時(shí)需要特別關(guān)注，以確保優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能及穩(wěn)定性。
二、特性分析
1. 導(dǎo)通電阻與效率
導(dǎo)通電阻是影響功率MOSFET效率的重要參數(shù)。IPW65R230CFD7AXKSA1的R_DS(on)相對(duì)較低，使得在高電流工作狀態(tài)下，其功耗較小。根據(jù)功耗的公式P=I?R，導(dǎo)通電阻越小，則在進(jìn)行負(fù)載操作時(shí)產(chǎn)生的熱量也越少。因此，在高負(fù)載和高頻率條件下，該器件可以顯著降低能量損耗，提升系統(tǒng)的整體效率。尤其在開(kāi)關(guān)電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器中，其高效率特性尤為顯著，能夠有效減少冷卻需求和系統(tǒng)復(fù)雜性。
2. 熱管理特性
通過(guò)合理的散熱設(shè)計(jì)，能充分發(fā)揮IPW65R230CFD7AXKSA1的性能。在長(zhǎng)時(shí)間高負(fù)載運(yùn)行中，該場(chǎng)效應(yīng)管的發(fā)熱量成為設(shè)計(jì)考慮的重要因素。多層PCB設(shè)計(jì)、導(dǎo)熱材料的利用以及使用散熱器都可以幫助減小器件工作溫度，來(lái)提升其可靠性和壽命。例如，結(jié)合優(yōu)質(zhì)散熱器和風(fēng)扇，可以在保證性能的同時(shí)，延長(zhǎng)器件的使用壽命。
3. 開(kāi)關(guān)特性
開(kāi)關(guān)速度對(duì)于功率MOSFET的應(yīng)用極其重要。IPW65R230CFD7AXKSA1在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的快速響應(yīng)能力，使其適用于快速轉(zhuǎn)換的電源和驅(qū)動(dòng)電路。這種特性使得它在商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用中十分受歡迎，尤其是在電力電子和可再生能源領(lǐng)域，例如太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車充電設(shè)備。
三、應(yīng)用領(lǐng)域
IPW65R230CFD7AXKSA1的廣泛應(yīng)用使得其在多個(gè)領(lǐng)域占據(jù)了重要地位。以下列舉幾個(gè)主要應(yīng)用場(chǎng)景：
1. 電力電子
在電力電子設(shè)備中，特別是逆變器和轉(zhuǎn)換器中，IPW65R230CFD7AXKSA1作為功率開(kāi)關(guān)單元經(jīng)常被采用。由于其承受高電壓和大電流的能力，該器件能夠在高效率下進(jìn)行電能的轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)，廣泛應(yīng)用于電源管理、驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和UPS不間斷電源等關(guān)鍵領(lǐng)域。
2. 電動(dòng)汽車
電動(dòng)汽車系統(tǒng)中，功率MOSFET是電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率轉(zhuǎn)換的核心組件。IPW65R230CFD7AXKSA1以其出色的電流承載能力和較低的導(dǎo)通電阻，被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車的電機(jī)控制和充電系統(tǒng)中，以提升系統(tǒng)效率和可靠性。
3. 可再生能源系統(tǒng)
隨著可再生能源的快速發(fā)展，尤其是太陽(yáng)能和風(fēng)能發(fā)電，功率MOSFET在逆變器中的應(yīng)用日益增加。IPW65R230CFD7AXKSA1能夠高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，滿足電網(wǎng)的需求，并可以與儲(chǔ)能系統(tǒng)聯(lián)合使用，優(yōu)化可再生能源的利用。
4. 消費(fèi)電子
在諸如智能手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備中，功率管理對(duì)于提升電池續(xù)航和設(shè)備性能至關(guān)重要。IPW65R230CFD7AXKSA1可用于高效充電器及電源適配器中，通過(guò)減少能耗，提高充電速度，推動(dòng)消費(fèi)電子的發(fā)展。
四、技術(shù)挑戰(zhàn)
盡管IPW65R230CFD7AXKSA1具有諸多優(yōu)點(diǎn)，但在應(yīng)用過(guò)程中依然面臨一些挑戰(zhàn)。例如，在高頻開(kāi)關(guān)時(shí)可能會(huì)引起電磁干擾（EMI）和電涌，這對(duì)系統(tǒng)的穩(wěn)定性構(gòu)成威脅。此外，隨著智能化設(shè)備的發(fā)展，功率MOSFET對(duì)小型化和集成化的需求也在增加，這要求設(shè)計(jì)師在器件選型及散熱設(shè)計(jì)上進(jìn)行更加深入的考慮。
另外，在高溫環(huán)境下，器件的可靠性也是個(gè)需要關(guān)注的問(wèn)題，隨著溫度的增加，其參數(shù)可能會(huì)發(fā)生變化，尤其是泄漏電流的增加可能影響整體性能。因此，在電路設(shè)計(jì)時(shí)，必須充分考慮應(yīng)用環(huán)境的影響，確保設(shè)備的穩(wěn)定與安全運(yùn)行。
在現(xiàn)代電子技術(shù)不斷發(fā)展的背景下，IPW65R230CFD7AXKSA1憑借其優(yōu)越的性能和多樣的應(yīng)用前景，成為了半導(dǎo)體領(lǐng)域不可忽視的重要器件。通過(guò)進(jìn)一步的技術(shù)創(chuàng)新與完善，未來(lái)有望在更多領(lǐng)域發(fā)揮更大的作用。
IKZ75N65EH5
Infineon(英飛凌)
PCA9306DCUR
TI(德州儀器)
ACS712ELCTR-20A-T
ALLEGRO(美國(guó)埃戈羅)
MT41K128M16JT-125IT:K
micron(鎂光)
CC1101RGPR
TI(德州儀器)
KLMAG1JETD-B041
SAMSUNG(三星)
MT41K256M16TW-107
micron(鎂光)
MCP6001T-I/OT
MIC(昌福)
EPCQ128ASI16N
ALTERA(阿爾特拉)
P4080NSE7PNC
NXP(恩智浦)
LM324DT
ST(意法)
XTR117AIDGKR
TI(德州儀器)
STM32H743BIT6
ST(意法)
STM32F722RET6
ST(意法)
KSZ8999
Microchip(微芯)
EP3C25E144I7N
ALTERA(阿爾特拉)
MPC8270CVRMIBA
Freescale(飛思卡爾)
SN74LVC1G14DBVR
TI(德州儀器)
IRF540NPBF
Vishay(威世)
PIC16F1823-I/SL
Microchip(微芯)
LM2903DR
TI(德州儀器)
STM32F207VET6
ST(意法)
AT90CAN128-16AU
Atmel(愛(ài)特梅爾)
KSZ9031RNXIC
Microchip(微芯)
LSM6DSLTR
ST(意法)
SN74HC14DR
TI(德州儀器)
K4A8G165WC-BCTD
SAMSUNG(三星)
STM8S005C6T6
ST(意法)
ADUM1201BRZ
ADI(亞德諾)
PIC32MX795F512L-80I/PT
PIC Wire & Cable
NE555DR
Philips(飛利浦)
TJA1040T/CM
Philips(飛利浦)
TMS320F28035PNT
TI(德州儀器)
STM32F205RET6
ST(意法)
ADM2587EBRWZ-REEL7
ADI(亞德諾)
ADS1220IPWR
TI(德州儀器)
IRLML6401TRPBF
Infineon(英飛凌)
LPC2368FBD100
Philips(飛利浦)
LM393DR2G
ON(安森美)
K4F6E3S4HM-MGCJ
SAMSUNG(三星)
AD9363BBCZ
ADI(亞德諾)
PIC12F675-I/SN
MIC(昌福)
MAX485ESA+T
ADI(亞德諾)
MP2359DJ-LF-Z
TI(德州儀器)
MURS320T3G
ON(安森美)
MT41K128M16JT-125:K
micron(鎂光)
AT24C16C-SSHM-T
Atmel(愛(ài)特梅爾)
PIC18F25K80-I/SS
Microchip(微芯)
TLV1117LV33DCYR
TI(德州儀器)
LSM6DSOTR
ST(意法)
TPS54620RGYR
Burr-Brown(TI)
MURS360T3G
ON(安森美)
ATXMEGA128A4U-MH
Microchip(微芯)
LM2675MX-5.0
NS(國(guó)半)
MAX232ESE
TI(德州儀器)
AO3401A
UMW(友臺(tái)半導(dǎo)體)
W25Q16JVSSIQ
WINBOND(華邦)
W25Q128FVSIG
WINBOND(華邦)
2N6718
SAMSUNG(三星)
2N7002LT1G
NXP(恩智浦)
ADXL357BEZ
ADI(亞德諾)
FS32K144HFT0VLHT
NXP(恩智浦)
IRLML6402TRPBF
IR(國(guó)際整流器)
TPS54231DR
TI(德州儀器)
EN6347QI
TI(德州儀器)
AT89S52-24AU
Atmel(愛(ài)特梅爾)
VNI4140KTR
ST(意法)
XC6SLX4-2TQG144C
XILINX(賽靈思)
LM1117MPX-3.3
TI(德州儀器)
STM32H743XIH6
ST(意法)
SN65LBC184DR
TI(德州儀器)
IPT60R028G7
Infineon(英飛凌)
TXS0104EPWR
TI(德州儀器)
XC7Z045-2FFG900I
XILINX(賽靈思)
S9S12G128AMLF
Freescale(飛思卡爾)
TMS320C6657CZH
TI(德州儀器)
TMS320LF2407APGEA
TI(德州儀器)
STM32F205VET6
ST(意法)
GD32F103RET6
GD(兆易創(chuàng)新)
GD32F303CCT6
GD(兆易創(chuàng)新)
XC7Z020-1CLG484I
XILINX(賽靈思)
PCF7953XTTC1AC2000
NXP(恩智浦)
TPS54260DGQR
TI(德州儀器)
TPS563201DDCR
TI(德州儀器)
TPS61040DBVR
Burr-Brown(TI)
EPM1270T144I5N
ALTERA(阿爾特拉)
ADS1248IPW
TI(德州儀器)
AT32F421K8U7
TPS54360DDAR
TI(德州儀器)
TJA1042T/3
NXP(恩智浦)
TPS61030PWPR
TI(德州儀器)
BAT54C
Diodes(美臺(tái))
HCPL-0631-500E
Avago(安華高)
TPS82130SILR
TI(德州儀器)
EPCS64SI16N
TAIWAN(臺(tái)產(chǎn))
EP5388QI
ALTERA(阿爾特拉)
TPS74401RGWR
TI(德州儀器)
REF3033AIDBZR
TI(德州儀器)
LM324DR2G
ON(安森美)
XCF01SVOG20C
XILINX(賽靈思)
XC7K160T-2FFG676I
XILINX(賽靈思)
TJA1042T
NXP(恩智浦)
MP9943GQ-Z
MPS(美國(guó)芯源)
LM2903DR2G
TI(德州儀器)
LM3481QMM/NOPB
TI(德州儀器)
STM32F100C8T6B
ST(意法)
TPS54560DDAR
TI(德州儀器)
XC6SLX9-2TQG144C
XILINX(賽靈思)
MKL15Z128VLH4
Freescale(飛思卡爾)
INA226AIDGSR
TI(德州儀器)
STM32H735RGV6
ST(意法)
TMS320LF2406APZA
TI(德州儀器)
XC6SLX16-2FTG256C
XILINX(賽靈思)
