NRVBS540T3G的詳細參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
NRVBS540T3G
Brand Name
onsemi
是否無鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
1212104536
零件包裝代碼
SMC
包裝說明
COMPACT, 403-03, SMC, 2 PIN
針數(shù)
2
制造商包裝代碼
403AC
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Malaysia
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8541.10.00.80
Factory Lead Time
2 days
風險等級
1.13
Samacsys Description
ON SEMICONDUCTOR - NRVBS540T3G - SCHOTTKY RECT, AEC-Q101, 40V, DO-214AB
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
6.12
其他特性
FREE WHEELING DIODE
應用
POWER
最小擊穿電壓
40 V
配置
SINGLE
二極管元件材料
SILICON
二極管類型
RECTIFIER DIODE
最大正向電壓 (VF)
0.5 V
JESD-30 代碼
R-PDSO-J2
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
最大非重復峰值正向電流
190 A
元件數(shù)量
1
相數(shù)
1
端子數(shù)量
2
最高工作溫度
150 °C
最低工作溫度
-65 °C
最大輸出電流
5 A
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
參考標準
AEC-Q101
最大重復峰值反向電壓
40 V
最大反向電流
300 µA
反向測試電壓
40 V
表面貼裝
YES
技術
SCHOTTKY
端子面層
MATTE TIN
端子形式
J BEND
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
NRVBS540T3G 肖特基二極管的特性與應用研究
引言
肖特基二極管是一種以金屬和半導體的接觸形成的二極管，它具有低正向壓降和快速的開關特性，因此被廣泛應用于高頻、高效率的電源電路中。NRVBS540T3G是一種受歡迎的肖特基二極管，其獨特的結(jié)構(gòu)和性能使得它在電子產(chǎn)品中得到了廣泛的應用。本文將對NRVBS540T3G的基本特性、工作原理及其在不同領域的應用進行探討。
NRVBS540T3G的基本特性
NRVBS540T3G是一款電流額定值為5A，反向擊穿電壓為40V的肖特基二極管。該器件的主要特性包括低正向電壓降典型為0.45V，較低的反向泄漏電流，以及較快的恢復時間等。這些特性使得NRVBS540T3G非常適合用于大電流和高頻率操作的電路中。
1. 正向壓降：NRVBS540T3G的正向壓降較低，能夠有效減少功耗，提高電源的效率。這一點在開關電源和整流電路中尤為重要，因為較低的正向壓降直接影響到系統(tǒng)的整體效率。
2. 反向擊穿電壓：其反向擊穿電壓為40V，使得NRVBS540T3G在一些特定應用如步驟下降變換器、升壓變換器等中，能夠滿足更為嚴格的電壓要求，確保穩(wěn)定性和安全性。
3. 反向泄漏電流：低反向泄漏電流是肖特基二極管的一大優(yōu)勢，NRVBS540T3G在75°C下的反向電流僅為1mA。這一特性使得該二極管在高溫環(huán)境下表現(xiàn)依然穩(wěn)定，延長了器件的使用壽命。
4. 熱性能：NRVBS540T3G具有較好的熱特性，能夠在溫度變化較大的環(huán)境下正常工作。該器件的散熱性能良好，能夠在較小的封裝中支持高功率操作。
工作原理
肖特基二極管的工作原理基于金屬與半導體之間的肖特基勢壘。當施加正向電壓時，金屬與半導體接觸區(qū)域的勢壘降低，允許電子從金屬流向半導體，形成導通狀態(tài)。而當反向電壓施加時，勢壘加高，電子不能流過，從而阻止電流通過。NRVBS540T3G的這種特性使它能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關響應，且在工作狀態(tài)下產(chǎn)生的熱量相對較少。
具體而言，NRVBS540T3G的金屬-半導體接觸點是其結(jié)構(gòu)的一大特色。與傳統(tǒng)的PN結(jié)二極管相比，肖特基二極管在開關操作中能顯著降低開關損耗，因而非常適合高頻應用。該特性使其成為現(xiàn)代電子設備中的關鍵組件之一。
應用領域
NRVBS540T3G廣泛應用于消費電子、工業(yè)電源、汽車電子和通信設備等多個領域，其中最為典型的應用場景包括：
1. 開關電源：在開關電源中，NRVBS540T3G通常用于整流和保護電路。由于其低正向壓降和高效率能夠有效降低開關電源的能量損耗，提升其能效比。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器：在DC-DC轉(zhuǎn)換器中，如降壓和升壓電路，NRVBS540T3G作為輸出整流器能夠有效提升轉(zhuǎn)換效率，并且在動態(tài)負載變化時保持出色的性能，以提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。
3. 反向電流保護電路：NRVBS540T3G的低反向泄漏電流特性使其在反向電流保護電路中得到了廣泛應用，能夠有效防止設備因反向電流導致的損壞。
4. 高頻開關電路：由于NRVBS540T3G具有快速開關速度，適合用于高頻開關電路，能夠提升整個系統(tǒng)的響應速度和性能，實現(xiàn)更高的工作頻率。
5. 汽車電子：在汽車電子系統(tǒng)中，NRVBS540T3G常用于電源管理和保護電路。隨著汽車電氣系統(tǒng)對節(jié)能和高效能的要求越來越高，肖特基二極管的應用日益增多。
6. LED驅(qū)動電源：在LED照明驅(qū)動電路中，NRVBS540T3G作為整流器，不僅能提高驅(qū)動電源的效率，還能減少元件的發(fā)熱，提升整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性和使用壽命。
未來發(fā)展方向
隨著科技的快速發(fā)展，新材料、新結(jié)構(gòu)的肖特基二極管不斷涌現(xiàn)，NRVBS540T3G作為一種經(jīng)典型號，面臨著更為激烈的市場競爭。未來，NRVBS540T3G有必要在效率、體積、成本等方面不斷優(yōu)化，以適應新興市場的需求。此外，在智能電網(wǎng)、電動汽車等蓬勃發(fā)展的領域，肖特基二極管的應用場景將更加廣泛，對其性能的要求也將愈加嚴苛。
在材料科學的發(fā)展背景下，寬禁帶半導體如氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等材料的崛起，可能會對傳統(tǒng)肖特基二極管形成挑戰(zhàn)。然而，由于其獨特的性能和成熟的應用基礎，NRVBS540T3G及其系列產(chǎn)品仍然會在電力電子領域占據(jù)一席之地。隨著新的技術進步，NRVBS540T3G有望繼續(xù)在高科技和高功率的電子應用中得到更廣泛的應用，推動電力電子技術的發(fā)展和突破。
NRVBS540T3G
ON(安森美)
MPC8347CVVAGDB
NXP(恩智浦)
EP3C16F484C8N
ALTERA(阿爾特拉)
PE4259-63
Peregrine Semiconductor
XCF04SVO20C
XILINX(賽靈思)
XC7A100T-2CSG324I
XILINX(賽靈思)
PIC32MX575F512H-80I/PT
Microchip(微芯)
XC6SLX9-3TQG144I
XILINX(賽靈思)
IPB017N10N5LF
Infineon(英飛凌)
TMS320C6674ACYPA
TI(德州儀器)
TLC272CDR
TI(德州儀器)
MBRS2H100T3G
ON(安森美)
W25Q80DVSSIG
WINBOND(華邦)
MT47H64M16HR-3IT:H
MIC(昌福)
74HC244D
NXP(恩智浦)
M24512-WMN6TP
ST(意法)
STR710FZ2T6
ST(意法)
MC34072VDR2G
ON(安森美)
SISS71DN-T1-GE3
Vishay(威世)
STM32F411RET6
ST(意法)
MURS240T3G
ON(安森美)
MC8640DTVJ1250HE
NXP(恩智浦)
TB6600HG
TOSHIBA(東芝)
AD9515BCPZ
ADI(亞德諾)
MT40A512M16LY-062EIT:E
micron(鎂光)
ADUM1402ARWZ
ADI(亞德諾)
ETC1-1-13
L-com
BCM54811A2KMLG
Broadcom(博通)
LTC2704CGW-16
LINEAR(凌特)
BCM68580XB1IFSBG
Broadcom(博通)
TPS53513RVER
TI(德州儀器)
MP2315GJ-Z
MPS(美國芯源)
ATMEGA644PA-AU
Microchip(微芯)
OPT3001DNPR
TI(德州儀器)
ISO122P
TI(德州儀器)
ISO7241CDWR
TI(德州儀器)
XCF128XFTG64C
XILINX(賽靈思)
TLK110PTR
TI(德州儀器)
TL431ACDR
ST(意法)
ATMEGA64-16AU
Atmel(愛特梅爾)
SS24T3G
ON(安森美)
LM2903DT
ST(意法)
LAN9500AI-ABZJ
Microchip(微芯)
DS90UB948TNKDRQ1
TI(德州儀器)
LSM303AGRTR
ST(意法)
MCF5474VR266
NXP(恩智浦)
FS32K116LAT0MLFT
NXP(恩智浦)
XC7A100T-2FGG676I
XILINX(賽靈思)
S9S12ZVL32F0MLC
Freescale(飛思卡爾)
88E1543-A1-LKJ2C000
Marvell(美滿)
ADSP-21489BSWZ-4B
ADI(亞德諾)
SJA1000T
NXP(恩智浦)
MT25QL256ABA8ESF-0AAT
micron(鎂光)
TLP291
ISOCOM COMPONENTS
CD4517BE
Harris Semiconductor
LT1763CS8-5
ADI(亞德諾)
LM46002PWPR
TI(德州儀器)
IRFP4668PBF
IR(國際整流器)
NC7SZ04P5X
ON(安森美)
OPA2348AIDCNR
TI(德州儀器)
PIC18F4550-I/PT
Microchip(微芯)
LCMXO2-1200HC-4TG100C
Lattice(萊迪斯)
TQP3M9028
TriQuint (超群)
RTL8367S-CG
REALTEK(瑞昱)
TLE9842QX
Infineon(英飛凌)
L293DD013TR
ST(意法)
IKW75N60T
Infineon(英飛凌)
UC3844BD1R2G
ST(意法)
TPS3808G01DRVR
TI(德州儀器)
EN5312QI
ALTERA(阿爾特拉)
PM8055B-FEI
PMC-Sierra
TAS5711PHPR
TI(德州儀器)
HI3559ARFCV100
Hisilicon
ADT7410TRZ
ADI(亞德諾)
LIS3MDLTR
ST(意法)
SN74HC595N
TI(德州儀器)
W25Q128JVEIQ
WINBOND(華邦)
NUP4201MR6T1G
ON(安森美)
PCF8578HT/1
NXP(恩智浦)
STM32H723VET6
ST(意法)
ADUM5401ARWZ
ADI(亞德諾)
MK22FN128VLH10
Freescale(飛思卡爾)
STM32L431CCU6
ST(意法)
ENC424J600-I/ML
Microchip(微芯)
ADM3202ARUZ
ADI(亞德諾)
ADS124S08IPBS
TI(德州儀器)
STW3N170
ST(意法)
TPS92520QDADRQ1
TI(德州儀器)
AT27C512R-70PU
Atmel(愛特梅爾)
SN74LVC1G04DCKR
TI(德州儀器)
PIC12F683-I/SN
Microchip(微芯)
NC7SB3157P6X
ON(安森美)
PIC24FJ256GB106-I/PT
Microchip(微芯)
XTR110KU
TI(德州儀器)
W5100
WIZnet
SI2301CDS-T1-GE3
Vishay(威世)
RHRG30120
Freescale(飛思卡爾)
SCB13H4G160AF-11MI
ATTINY44A-SSUR
Microchip(微芯)
STM32F101C8T6
ST(意法)
SDIN7DP2-4G
Sandisk
CD74HC4067M96
TI(德州儀器)
BTS3800SL
Infineon(英飛凌)
RT8231BGQW
RICHTEK(臺灣立锜)
ADA4522-2ARZ
ADI(亞德諾)
ADSP-21569KBCZ10
ADI(亞德諾)
NVBG070N120M3S
ON(安森美)
MAX3485EESA+T
Maxim(美信)
INA219BIDCNR
TI(德州儀器)
CH340E
WCH(南京沁恒)
FDN5618P
ON(安森美)
EP4CE15F17I7N
ALTERA(阿爾特拉)
XC6SLX45T-3FGG484I
XILINX(賽靈思)
M24C64-WMN6TP
ST(意法)
CD4093BE
TI(德州儀器)
KSZ9477STXI
Microchip(微芯)
S912ZVML31F1WKH
NXP(恩智浦)
CC1120RHBR
TI(德州儀器)
TPS63700DRCR
TI(德州儀器)
PIC16F883-I/SO
Microchip(微芯)
RT7207KBGQW-HLAG1
RICHTEK(臺灣立锜)
MPQ8633AGLE-Z
MPS(美國芯源)
AD633JNZ
ADI(亞德諾)
