品牌：IR/國際整流器
類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：88A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：10 毫歐 @ 58A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：4V @ 150μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：180nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds：5150pF @ 50V
功率 - 最大：200W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
批號：2013+
數(shù)量：8000
單價(jià)：面議
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