廠家：IR
基本參數(shù)：類別：分立式半導(dǎo)體
家庭：MOSFET，GaNFET -單
系列：HEXFET?
FET型：MOSFET N通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：9毫歐@ 60A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：40V
電流-連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：100A
Id時(shí)的Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：93nC @ 10V
在Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：2900pF @ 25V
功率-最大：170W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3 (直引線)
包裝：管件
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB
其它名稱：*IRF1104PBF
聯(lián) 系 人：夏先生 朱小姐
電話（Tel）: 86-755-82772189 82723761
傳真（Fax）: 86-0755-82737687
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