NCP10××系列單片反激式開(kāi)關(guān)電源芯片
發(fā)布時(shí)間:2015/3/23 20:32:32 訪問(wèn)次數(shù):2316
NCP10××系列是單片反激式開(kāi)關(guān)電源芯片,A920CY-560M內(nèi)部除了控制電路外,還有作為高壓開(kāi)關(guān)的、耐壓為700V的MOSFET管,這樣就可以不必外置MOSFET管。NCP10××系列單片開(kāi)關(guān)電源的典型應(yīng)用電路如圖3-11所示。
NCP10××系列中有NCP1010、NCP1011、NCP1012、NCP1013、NCP1014,它們的主要參數(shù)見(jiàn)表3-2。
表3-2 NCP1010、NCP1011、NCP1012、NCP1013、NCP1014主要參數(shù)
芯片的開(kāi)關(guān)頻率與型號(hào)同時(shí)在芯片外封裝上打印出來(lái),SOT-223封裝的符號(hào)分別為A對(duì)應(yīng)65kHz,B對(duì)應(yīng)lookHz,C對(duì)應(yīng)130kHz。DIP封裝則以數(shù)字表示,如06為65kHz,10為lOOkHz,13為130kHz。
NCP10××的封裝形式有SOT-223形式、DIP-8(為確保高壓MOSFET管漏極的其他引腳的絕緣,漏極的第5腳與其他電極之間存在一個(gè)默認(rèn)的第6腳,形成實(shí)際為7個(gè)引腳的DIP封裝)形式,封裝形式如圖3-12所示。
從圖3-13中可以看出,由于NCP10××用于隔離型反激式開(kāi)關(guān)電源,因此增加了如高壓電流源、軟啟動(dòng)、用以處理開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生尖峰的前沿消隱以及各種保護(hù)措施,還有提高電磁兼容性能的EMI頻率抖動(dòng)技術(shù)等功能。限子篇幅,其工作原理可參考相關(guān)文獻(xiàn)。
NCP10××系列是單片反激式開(kāi)關(guān)電源芯片,A920CY-560M內(nèi)部除了控制電路外,還有作為高壓開(kāi)關(guān)的、耐壓為700V的MOSFET管,這樣就可以不必外置MOSFET管。NCP10××系列單片開(kāi)關(guān)電源的典型應(yīng)用電路如圖3-11所示。
NCP10××系列中有NCP1010、NCP1011、NCP1012、NCP1013、NCP1014,它們的主要參數(shù)見(jiàn)表3-2。
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芯片的開(kāi)關(guān)頻率與型號(hào)同時(shí)在芯片外封裝上打印出來(lái),SOT-223封裝的符號(hào)分別為A對(duì)應(yīng)65kHz,B對(duì)應(yīng)lookHz,C對(duì)應(yīng)130kHz。DIP封裝則以數(shù)字表示,如06為65kHz,10為lOOkHz,13為130kHz。
NCP10××的封裝形式有SOT-223形式、DIP-8(為確保高壓MOSFET管漏極的其他引腳的絕緣,漏極的第5腳與其他電極之間存在一個(gè)默認(rèn)的第6腳,形成實(shí)際為7個(gè)引腳的DIP封裝)形式,封裝形式如圖3-12所示。
從圖3-13中可以看出,由于NCP10××用于隔離型反激式開(kāi)關(guān)電源,因此增加了如高壓電流源、軟啟動(dòng)、用以處理開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生尖峰的前沿消隱以及各種保護(hù)措施,還有提高電磁兼容性能的EMI頻率抖動(dòng)技術(shù)等功能。限子篇幅,其工作原理可參考相關(guān)文獻(xiàn)。
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